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Gaufrette HVPE Chip Template debout libre 5x5/10x10/5x10 millimètre de nitrure de gallium d'Un-axe
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | LA CHINE |
| Nom de marque: | zmkj |
| Numéro de modèle: | GaN-FS-M-N-S5*10-DSP |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 10pcs |
|---|---|
| Prix: | 1200~2500usd/pc |
| Détails d'emballage: | caisse simple de gaufrette par l'emballage sous vide |
| Délai de livraison: | 1-5weeks |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 50pcs par mois |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Monocristal de GaN | taille: | mmt 10x10/5x5/5x10 |
|---|---|---|---|
| épaisseur: | 0.35mm | type: | de type n |
| application: | dispositif de semi-conducteur | ||
| Surligner: | Une gaufrette de nitrure de gallium d'axe,gaufrette de nitrure du gallium 5x5,Position libre Chip Template GaN Wafer |
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Description de produit
calibre de substrats de 2inch GaN, gaufrette de GaN pour LeD, gaufrette semi-conductrice de nitrure de gallium pour le LD, calibre de GaN, MOCVD GaN Wafer, GaN Substrates libre par taille adaptée aux besoins du client, gaufrette de petite taille de GaN pour la LED, gaufrette 10x10mm, 5x5mm, gaufrette de 10x5mm GaN, GaN Substrates libre non polaire de nitrure de gallium de MOCVD (un-avion et m-avion)
GaN Wafer Characteristic
| Produit | Substrats de nitrure de gallium (GaN) | ||||||||||||||
| Description de produit : |
Le calibre de Saphhire GaN est présenté la méthode de l'épitaxie de phase vapeur d'hydrure d'Epitxial (HVPE). Dans le processus de HVPE, l'acide a produit par la réaction GaCl, qui consécutivement est mise à réagir avec l'ammoniaque pour produire la fonte de nitrure de gallium. Le calibre épitaxial de GaN est une manière rentable de remplacer le substrat de monocristal de nitrure de gallium. |
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| Paramètres techniques : |
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| Caractéristiques : |
Film épitaxial de GaN (avion de C), de type n, 2" * 30 microns, saphir ; Film épitaxial de GaN (avion de C), de type n, 2" * 5 microns de saphir ; Film épitaxial de GaN (avion de R), de type n, 2" * 5 microns de saphir ; Film épitaxial de GaN (M Plane), de type n, 2" * 5 microns de saphir. Film d'AL2O3 + de GaN (SI enduit de type n) ; Film d'AL2O3 + de GaN (magnésium enduit de type p) Note : selon l'orientation et la taille spéciales de prise de requête du client. |
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| Emballage standard : | sac 1000 pièce propre, 100 propre ou emballage simple de boîte |
Application
GaN peut être employé dans beaucoup de secteurs tels que l'affichage à LED, la détection de grande énergie et la représentation,
Affichage de projection de laser, dispositif de puissance, etc.
- Affichage de projection de laser, dispositif de puissance, etc.
- Stockage de date
- Éclairage de rendement optimum
- Affichage polychrome de fla
- Laser Projecttions
- Appareils électroniques à haute efficacité
- Dispositifs à haute fréquence à micro-ondes
- Détection de grande énergie et imaginer
- Nouvelle technologie d'hydrogène de solor d'énergie
- Détection d'environnement et médecine biologique
- Bande de terahertz de source lumineuse
Caractéristiques :
| GaN Substrates libre non polaire (un-avion et m-avion) | ||
| Article | GAN-FS-un | GAN-FS-m |
| Dimensions | 5.0mm×5.5mm | |
| 5.0mm×10.0mm | ||
| 5.0mm×20.0mm | ||
| Taille adaptée aux besoins du client | ||
| Épaisseur | 350 µm du ± 25 | |
| Orientation | ± 1° d'un-avion | ± 1° de m-avion |
| TTV | µm ≤15 | |
| ARC | µm ≤20 | |
| Type de conduction | de type n | |
| Résistivité (300K) | < 0=""> | |
| Densité de dislocation | Moins que cm2 5x106 | |
| Superficie utilisable | > 90% | |
| Polonais | Front Surface : Ra < 0=""> | |
| Surface arrière : La terre fine | ||
| Paquet | Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote. | |
Q : Quelle est votre condition minimum d'ordre ?
: MOQ : 10 morceaux
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: confirmez l'ordre 1days après confirmation du paiement et de la livraison dans 5days si sur des actions.
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