• Type de la gaufrette N du diamètre 200mm AlGaN SI Epi pour la LED micro 6 pouces
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Type de la gaufrette N du diamètre 200mm AlGaN SI Epi pour la LED micro 6 pouces

Type de la gaufrette N du diamètre 200mm AlGaN SI Epi pour la LED micro 6 pouces

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: zmkj
Numéro de modèle: 8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-sur-heure SI Epiwafer

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1pcs
Prix: 1200~2500usd/pc
Détails d'emballage: caisse simple de gaufrette par l'emballage sous vide
Délai de livraison: 1-5weeks
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 50PCS par mois
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Matériel: Couche de GaN sur le substrat sI Taille: 8 pouces / 6 pouces
Épaisseur GaN: 2-5UM Le type: N-TYPE
Application du projet: Dispositif de semi-conducteur
Surligner:

Gaufrette du diamètre 200mm SI Epi

,

Gaufrette de 6 pouces SI Epi

,

Gaufrette d'arséniure de gallium d'AlGaN

Description de produit

 

8 pouces 6 pouces AlGaN/GaN HEMT-sur-HR Si Epiwafer GaN-sur-Si Epiwafer pour micro-LED pour une application RF

 

Caractéristique de la gaine GaN

  1. Il peut être utilisé pour la fabrication de produits chimiques.

Le nitrure de gallium est un type de semi-conducteurs composés à large écart.

un substrat monocristallin de haute qualité. Il est fabriqué avec la méthode HVPE originale et la technologie de traitement des plaquettes, qui a été initialement développée depuis plus de 10 ans en Chine.Les caractéristiques sont très cristallines.Les substrats GaN sont utilisés pour de nombreux types d'applications, pour les LED blanches et LD ((violet, bleu et vert).Le développement a progressé pour les applications de dispositifs électroniques de puissance et de haute fréquence.

 

 

Pour l'application de la puissance

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Spécification du produit

Les postes Values et champ d'application
Substrate Je sais.
Diamètre de la gaufre 4 ¢/ 6 ¢ / 8Je ne sais pas.
Épaisseur de la couche épi 4-5μm
Arcs à gaufres < 30μm, typique
Morphologie de la surface RMS < 0,5 nm en 5 × 5 μm²
La barrière Je vous en prie.XJe vais.1-XN, 0
Couche de plafond Dans le même lieuSiNou GaN (mode D); p-GaN (mode E)
Densité de 2DEG > 9E12/cm2(20 nm Al0.25GaN)
Mobilité des électrons > 1800 cm2/Vs(20 nm Al0.25GaN)

 

Pour l'application RF

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Spécification du produit

Les postes Values et champ d'application
Substrate RH_Si/SiC
Diamètre de la gaufre 4 ¢/6 ¢ pourSiC, 4/ 6/ 8 pour lesRH_Si
Épi- épaisseur de couche 2 à 3μm
Arcs à gaufres < 30μm, typique
Morphologie de la surface RMS < 0,5 nm en 5 × 5 μm²
La barrière AlGaNouAlNouInAlN
Couche de plafond Dans le même lieuSiNou GaN

 

 

Pour l'application de LED

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À propos de notre usine OEM

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Notre vision de l'entreprise Factroy
Nous fournirons des substrats GaN de haute qualité et une technologie d'application pour l'industrie avec notre usine.
Le GaNmatériau de haute qualité est le facteur limitant pour l'application des nitrides III, par exemple une longue durée de vie.
et les LD à haute stabilité, les appareils à micro-ondes à haute puissance et à haute fiabilité,
et LED à haut rendement, économes en énergie.

- FAQ
Q: Que pouvez-vous fournir pour la logistique et le coût?
(1) Nous acceptons DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF et autres.
2) Si vous avez votre propre numéro express, c'est génial.
Si ce n'est pas le cas, nous pouvons vous aider à livrer.

Q: Quel est le délai de livraison?
(1) Pour les produits standard tels que les plaquettes de 2 pouces de 0,33 mm.
Pour l'inventaire: la livraison est effectuée 5 jours ouvrables après la commande.
Pour les produits sur mesure: la livraison est de 2 ou 4 semaines ouvrables après commande.

Q: Comment payer?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, paiement sécurisé et assurance commerciale.

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Je suis intéressé à Type de la gaufrette N du diamètre 200mm AlGaN SI Epi pour la LED micro 6 pouces pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
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