Nom De Marque:	ZMKJ
Numéro De Modèle:	AlN-saphir 2inch
MOQ:	5pcs
Prix:	by case
Détails De L'emballage:	conteneur simple de gaufrette dans la chambre de nettoyage
Conditions De Paiement:	T/T, Western Union, Paypal

Les informations détaillées

Description de produit

Les informations détaillées

Lieu d'origine:

La Chine

substrat:

gaufrette de saphir

couche:

Calibre d'AlN

épaisseur de couche:

1-5um

type de conductivité:

N/P

Orientation:

0001

application:

puissance élevée/appareils électroniques à haute fréquence

application 2:

dispositifs de 5G saw/BAW

épaisseur de silicium:

525um/625um/725um

Capacité d'approvisionnement:

50PCS/Month

Mettre en évidence:

calibre d'AlN de 2 pouces

calibre d'AlN de dispositifs de 5G BAW

substrat de saphir de 2 pouces

Description de produit

le saphir de 2inch 4iinch 6Inch a basé le film d'AlN de calibres d'AlN sur le substrat de saphir

2inch sur la gaufrette de couche de calibre d'AlN de substrat de saphir pour des dispositifs de 5G BAW

Applications de Calibre d'AlN

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Spécifications

Spécifications Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW 0

aracteristic de ch

D'autres spécifications du relaterd 4INCH GaN Template

	Substrats de ₃ du ₂ O d'Al de GaN/(4") 4inch
Article	Non dopé	de type n	Haut-enduit de type n
Taille (millimètres)	Φ100.0±0.5 (4")
Structure de substrat	GaN sur le saphir (0001)
SurfaceFinished	(Norme : Option de SSP : DSP)
Épaisseur (μm)	4.5±0.5 ; 20±2 ; Adapté aux besoins du client
Type de conduction	Non dopé	de type n	de type n Haut-enduit
Résistivité (Ω·cm) (300K)	≤0.5	≤0.05	≤0.01
GaN Thickness Uniformity	≤±10% (4")
Densité de dislocation (cm2)	≤5×108
Superficie utilisable	>90%
Paquet	Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100.

Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW 1

Structure cristalline	Wurtzite
Constante de trellis (Å)	a=3.112, c=4.982
Conduction à bande	Bandgap direct
Densité (g/cm3)	3,23
Microdureté extérieure (essai de Knoop)	800
Point de fusion (℃)	2750 (barre 10-100 en N2)
Conduction thermique (W/m·K)	320
Énergie d'espace de bande (eV)	6,28
Mobilité des électrons (V·s/cm2)	1100
Champ électrique de panne (MV/cm)	11,7

Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW 3

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