• Substrat de GaSb d'antimoniure de gallium, monocristal de monocristal pour le semi-conducteur
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Substrat de GaSb d'antimoniure de gallium, monocristal de monocristal pour le semi-conducteur

Substrat de GaSb d'antimoniure de gallium, monocristal de monocristal pour le semi-conducteur

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: zmkj
Numéro de modèle: GASb

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 3pcs
Prix: by case
Détails d'emballage: paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 1000 catégories
Délai de livraison: 2-4 semaines
Conditions de paiement: T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 500pcs
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Matériau: Substrat de GaSb d'antimoniure de gallium Méthode de croissance: VFG
Taille: 2-4inch Epaisseur: 300-800um
Application: III-V dirigent le matériel de semi-conducteur de bandgap de surface: ssp/dsp
Paquet: boîte simple de gaufrette
Surligner:

substrat de gasb

,

gaufrette de semi-conducteur

Description de produit

monocristal de monocristal de substrat de GaSb d'antimoniure du gallium 2-4inch pour le semi-conducteur

 

L'antimoniure de gallium (GaSb) est un matériel direct très important de semi-conducteur de bandgap d'III-V. C'est un matériel de base pour des rangées de détecteurs infrarouges de milieu-long-vague non refroidie de super-réseau de la classe II et de plan focal ; les détecteurs infrarouges de milieu-long-vague non refroidie il a les avantages de la longue durée, du poids léger, de la sensibilité élevée et de la fiabilité élevée. Le produit est très utilisé en lasers infrarouges, détecteurs infrarouges, capteurs infrarouges et cellules thermo-photovoltaïques.

 

Les méthodes principales de croissance de matériaux de monocristal de GaSb incluent la technologie liquide-scellée traditionnelle de droit-dessin (LEC), chauffage mobile/technologie verticale de la solidification de gradient (VGF) /vertical Bridgman.

Substrat de GaSb d'antimoniure de gallium, monocristal de monocristal pour le semi-conducteur 0

2-4inch ou adapté aux besoins du client 
                                            spécifications
monocristal dopant type

Concentration en transporteur d'ion

cm-3

taux de mobilité

(cm2/V.s)
MPD (cm2) TAILLE
GaSb non I (1-2) *1017 600-700 <1>

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

GaSb Zn P (5-100) *1017 200-500

<1>

 

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

GaSb Te N (1-20) *1017 2000-3500 <1>

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

TAILLE (millimètres) Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mmCan soit adapté aux besoins du client
Ra Aspérité (Ra) :<>  
poli côté simple ou double poli
paquet

catégorie 100 nettoyant la boîte en plastique au-dessous de la pièce de nettoyage de 1000 catégories

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---FAQ –

Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?

A : le zmkj est une société commerciale mais a un fabricant de saphir 
en tant que fournisseur des gaufrettes de matériaux de semi-conducteur pour une grande envergure des applications.

Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?

A : Généralement c'est de 5-10 jours si les marchandises sont en stock. ou c'est de 15-20 jours si les marchandises ne sont pas

en stock, il est selon la quantité.

Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-il libre ou supplémentaire ?

A : Oui, nous pourrions offrir l'échantillon pour la charge libre mais ne payons pas le coût de fret.

Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?

A : Payment=1000USD<>,
50% T/T à l'avance, équilibre avant expédition.
Si vous avez une autre question, les pls se sentent libres pour nous contacter en tant que ci-dessous :

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à Substrat de GaSb d'antimoniure de gallium, monocristal de monocristal pour le semi-conducteur pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
Dans l'attente de votre réponse.