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2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Wafer de carbure de silicium d'usage industriel avec une rugosité de surface ≤ 0,2 nm
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Certification: | ROHS |
| Numéro de modèle: | Silicon Carbide |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 5 |
|---|---|
| Délai de livraison: | 2-4 semaines |
| Conditions de paiement: | 100%T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100000 |
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Détail Infomation |
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| Finition extérieure: | Latéral simple/double poli | Aspérité: | ≤0.2nm |
|---|---|---|---|
| Conductivité: | Conductivité élevée/faible | Particule: | Particule libre/basse |
| Catégorie: | Simulacre de recherches de production | impureté: | Impureté libre/basse |
| enduit: | Le silicium doped/Un-doped/Zn a enduit | Type: | 4H-N/ 6H-N/4H-Semi-insulting/6H-Semi-insulting |
| Surligner: | Substrate de carbure de silicium poli à double face,Utilisation industrielle Wafer au carbure de silicium,Une gaufre en carbure de silicium de 8 pouces |
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Description de produit
Description du produit:
ZMSH est devenu le principal fabricant et fournisseur de plaquettes de substrat SiC (carbure de silicium).Pour les clients à la recherche d'un excellent rapport qualité-prix, ZMSH propose le meilleur prix actuel du marché pour les plaquettes de substrat SiC de qualité recherche de 2 pouces et 3 pouces.
Les plaquettes de substrat SiC ont diverses applications dans la conception de dispositifs électroniques, en particulier pour les produits impliquant une puissance et une fréquence élevées.
De plus, la technologie LED est une grande consommatrice de plaquettes de substrat SiC.LED signifie Light Emitting Diode, qui est un type de semi-conducteur qui combine des électrons et des trous pour créer une source de lumière froide économe en énergie.
Caractéristiques:
Le monocristal de carbure de silicium (SiC) possède de nombreuses propriétés exceptionnelles, telles qu'une excellente conductivité thermique, une mobilité électronique à saturation élevée et une résistance au claquage haute tension.Ces propriétés en font le matériau idéal pour préparer des appareils électroniques haute fréquence, haute puissance, haute température et résistant aux radiations.
De plus, le monocristal SiC possède une excellente conductivité thermique et de fortes propriétés de claquage en tension.Il peut facilement résister à des températures et à des niveaux de rayonnement élevés sans se détériorer, ce qui en fait le choix idéal pour les appareils électroniques haut de gamme.
De plus, la mobilité électronique élevée du monocristal SiC offre une plus grande efficacité par rapport aux autres matériaux, lui permettant de travailler plus longtemps avec moins d'interruptions.C’est donc le matériau idéal pour créer une électronique fiable et performante.
Paramètres techniques:
Nom du produit : substrat en carbure de silicium, plaquette en carbure de silicium, plaquette SiC, substrat SiC
Méthode de croissance : MOCVD
Structure cristalline : 6H, 4H, 6H(a=3,073 Å c=15,117 Å), 4H(a=3,076 Å c=10,053 Å )
Séquence d'empilement : 6H : ABCACB, 4H : ABCB
Qualité : qualité production, qualité recherche, qualité factice
Type de conductivité : type N ou semi-isolant
Bande interdite : 3,23 eV
Dureté : 9,2 (mohs)
Conductivité thermique à 300 K : 3,2 ~ 4,9 W/cm.K
Constantes diélectriques : e(11)=e(22)=9,66 e(33)=10,33
Résistivité : 4H-SiC-N : 0,015~0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N : 0,02~0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI : >1E7 Ω·cm
Emballage : Sac propre classe 100, en salle blanche classe 1000.
Applications:
La plaquette de carbure de silicium (plaquette SiC) est une option idéale pour l'électronique automobile, les dispositifs optoélectroniques et les applications industrielles.Ces plaquettes comprennent à la fois des substrats SiC de type 4H-N et des substrats SiC semi-isolants, qui sont tous deux des composants clés de divers dispositifs.
Les substrats SiC de type 4H-N offrent des propriétés supérieures telles qu'une large bande interdite, qui permet une commutation très efficace en électronique de puissance.De plus, ils sont très résistants à l’usure mécanique et à l’oxydation chimique, ce qui les rend idéaux pour les dispositifs à haute température et à faibles pertes.
Les substrats SiC semi-isolants offrent également d'excellentes propriétés, telles qu'une stabilité et une résistance thermique élevées.Leur capacité à rester stables dans les dispositifs haute puissance les rend idéaux pour diverses applications optoélectroniques.En outre, ils peuvent également être utilisés comme plaquettes liées, qui constituent des composants importants dans les dispositifs microélectroniques hautes performances.
Ces caractéristiques des plaquettes SiC les rendent adaptées à diverses applications, notamment dans les secteurs automobile, optoélectronique et industriel.Les plaquettes SiC constituent un élément essentiel de la technologie actuelle et continuent de devenir de plus en plus populaires dans diverses industries.
Assistance et services :
Nous offrons une assistance technique et des services complets pour les plaquettes en carbure de silicium.Notre équipe d'experts est disponible pour vous guider dans la sélection des produits, répondre à toutes les questions techniques et vous aider à concevoir et à mettre en œuvre votre projet.
Notre équipe d'assistance technique compétente est disponible pour répondre à toutes vos questions ou préoccupations concernant les plaquettes en carbure de silicium.Nous fournissons des informations détaillées sur les produits, une assistance pour les applications et une assistance au dépannage.
Nous pouvons vous aider à sélectionner le meilleur produit de plaquette de carbure de silicium pour votre application.Notre équipe d'experts peut vous fournir des recommandations, des échantillons et une assistance pour vous assurer de faire le choix parfait.
Notre équipe d'ingénieurs expérimentés peut vous aider à concevoir et à mettre en œuvre la solution parfaite pour les plaquettes en carbure de silicium.Nous pouvons fournir des dessins détaillés, des simulations et une assistance pour garantir la réussite de votre projet.
Emballage et expédition :
Les plaquettes de carbure de silicium sont fragiles et nécessitent une manipulation et une protection spéciales lors du transport.Les procédures suivantes doivent être suivies pour garantir une livraison en toute sécurité au client.
- Les plaquettes doivent être placées dans un emballage antistatique avec de la mousse antistatique.
- Les plaquettes doivent être scellées dans un sac barrière contre l'humidité pour les protéger des contaminants environnementaux.
- L'emballage doit être scellé dans une boîte avec un matériau de rembourrage pour le protéger des chocs et des vibrations.
- La boîte doit être étiquetée avec les informations suivantes : l'adresse du client, le contenu du colis et le poids du colis.
- Le colis doit être expédié par un transporteur approprié et être assuré pour la valeur totale du contenu.
FAQ:
Q1 : Qu’est-ce qu’une plaquette de carbure de silicium ?A1 : La plaquette en carbure de silicium est une plaquette en carbure de silicium, qui est un matériau semi-conducteur avec une large bande interdite et une conductivité thermique élevée.Il convient à l’électronique de puissance et à d’autres applications à haute température.
Q2 : Quel est le nom de marque de ce produit ?
A2 : Le nom de marque de ce produit est ZMSH.
Q3 : Quel est le numéro de modèle de ce produit ?
A3 : Le numéro de modèle de ce produit est le carbure de silicium.
Q4 : Quelle est la quantité minimum de commande ?
A4 : La quantité minimum de commande est de 5.
Q5 : Combien de temps est le délai de livraison ?
A5 : Le délai de livraison est de 2 semaines.