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9.4 Dureté Wafer en carbure de silicium Pièces de roulement à cristal unique Forme personnalisée
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | ZMKJ |
| Numéro de modèle: | sic pièces |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 10pcs |
|---|---|
| Prix: | by case |
| Détails d'emballage: | paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories |
| Délai de livraison: | 1-6weeks |
| Conditions de paiement: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacité d'approvisionnement: | 1-50pcs/month |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Monocristal sic | Dureté: | 9,4 |
|---|---|---|---|
| forme: | Adapté aux besoins du client | Tolérance: | ±0.1mm |
| Application: | composant d'équipement | ||
| Surligner: | substrat de carbure de silicium,sic gaufrette |
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Description de produit
6 pouces 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC ingots/ haute pureté 4H-N 4 pouces 6 pouces diamètre 150 mm carbure de silicium sous-strats à cristal unique (sic) plaquettes, ingots de cristal sic sic sous-strats à semi-conducteurs,Wafer en cristal de carbure de silicium/ Wafer sur mesure/ pièces de roulement
À propos du carbure de silicium (SiC)
Le carbure de silicium (SiC), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant du silicium et du carbone avec la formule chimique SiC.Le SiC est utilisé dans les appareils électroniques à semi-conducteurs fonctionnant à haute température ou à haute tensionSiC est également l'un des composants importants des LED, c'est un substrat populaire pour la culture de dispositifs GaN, et il sert également de diffuseur de chaleur dans les LED haute puissance.
| Les biens immobiliers | 4H-SiC, cristal unique | 6H-SiC, cristal unique |
| Paramètres de la grille | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Séquence d'empilement | Le code ABC | ABCACB |
| Dureté de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densité | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Coefficient de dilatation thermique | 4 à 5 × 10 à 6/K | 4 à 5 × 10 à 6/K |
| Indice de réfraction @750 nm |
n = 2.61 ne = 2.66 |
n = 2.60 ne = 2.65 |
| Constante diélectrique | c~9.66 | c~9.66 |
| Conductivité thermique (type N, 0,02 ohm.cm) |
a~4,2 W/cm·K@298K C ~ 3,7 W/cm·K@298K |
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| Conductivité thermique (semi-isolant) |
a~4,9 W/cm·K@298K C ~ 3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K C ~ 3,2 W/cm·K@298K |
| - Une bande. | 3.23 eV | 30,02 eV |
| Champ électrique de rupture | 3 à 5 × 106 V/cm | 3 à 5 × 106 V/cm |
| Vitesse de dérive de saturation | 2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s |
Carbide de silicium (SiC) de haute pureté de 4 pouces de diamètre Spécification du substrat
À propos de la société ZMKJ
Le ZMKJ peut fournir des plaquettes en SiC monocristalline de haute qualité (Carbure de silicium) à l' industrie électronique et optoélectronique.avec des propriétés électriques uniques et d' excellentes propriétés thermiques , par rapport à la gaufre en silicium et à la gaufre en GaAs, la gaufre en SiC est plus adaptée à une application à haute température et à des appareils à haute puissance. La gaufre en SiC peut être fournie en diamètre de 2 à 6 pouces, à la fois en SiC 4H et 6H,Type NLes produits à base d' azot et semi-isolants sont disponibles.
FAQ:
Q: Quel est le mode d'expédition et le coût?
R: Nous acceptons DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) c'est très bien si vous avez votre propre compte express, sinon, nous pourrions vous aider à les expédier et
Le fret est in conformément au règlement effectif.
Q: Comment payer?
R: T/T 100% de dépôt avant livraison.
Q: Quel est votre MOQ?
R: (1) Pour l'inventaire, le MOQ est 1pcs. si 2-5pcs c'est mieux.
(2) Pour les produits commen personnalisés, le MOQ est de 10 pièces.
Q: Quel est le délai de livraison?
A: (1) Pour les produits standard
Pour l'inventaire: la livraison est de 5 jours ouvrables après la commande.
Pour les produits personnalisés: la livraison est de 2 à 4 semaines après votre commande.
Q: Avez-vous des produits standard?
R: Nos produits standard sont en stock. comme les substrats de 4 pouces 0,35 mm.