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Wafers SiC semi-isolantes 3 pouces 76,2 mm 4H de type SiC pour les semi-conducteurs
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | Waffles à SiC semi-isolateur de 3 pouces |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Délai de livraison: | 2-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| Taille: | 3 pouces 76,2 mm | Structure cristalline: | D'une hauteur inférieure ou égale |
|---|---|---|---|
| Déficit énergétique: par exemple: | 3,26 | Mobilité des électrons: μ, ((cm^2 /Vs): | 900 |
| Mobilité des trous: vers le haut ((cm^2): | 100 | Champ de décomposition: E ((V/cm) X10^6: | 3 |
| Conductivité thermique ((W/cm): | 4,9 | Constante diélectrique relative:: | 9,7 |
| Surligner: | Semi-conducteurs Waffles SiC,Plaquettes SiC à semi-isolation,Wafer en carbure de silicium de 3 pouces |
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Description de produit
Résumé
Le 4-HSemi-isolant SiCLe substrat est un matériau semi-conducteur à haute performance avec un large éventail d'applications.Ce substrat présente des caractéristiques électriques exceptionnelles, y compris une résistivité élevée et une faible concentration de support, ce qui en fait un choix idéal pour les appareils électroniques à radiofréquence (RF), micro-ondes et de puissance.
Principales caractéristiques du 4-HSiC semi-isolantLe substrat possède des propriétés électriques très uniformes, une faible concentration d'impuretés et une excellente stabilité thermique.Ces caractéristiques le rendent approprié pour la fabrication de dispositifs de puissance RF à haute fréquence, capteurs électroniques à haute température et équipements électroniques à micro-ondes.Sa résistance élevée au champ de décomposition et son excellente conductivité thermique le positionnent également comme le substrat préféré pour les appareils à haute puissance.
En outre, le 4-HSemi-isolant SiCLe substrat présente une excellente stabilité chimique, ce qui lui permet de fonctionner dans des environnements corrosifs et d'élargir sa gamme d'applications.Il joue un rôle essentiel dans des industries telles que la fabrication de semi-conducteurs, les télécommunications, la défense, et les expériences de physique à haute énergie.
En résumé, le 4-HSiC semi-isolantun support, avec ses propriétés électriques et thermiques exceptionnelles,est très prometteur dans le domaine des semi-conducteurs et fournit une base fiable pour la production de dispositifs électroniques hautes performances.
Propriétés
Propriétés électriques:
- Résistance élevée:4 heures Semi-isolant SiCIl a une résistivité très élevée, ce qui en fait un excellent matériau pour les applications de semi-isolation où une faible conductivité électrique est souhaitée.
- En raison de sa large bande passante,4H Semi-isolant SiCa une tension de rupture élevée, ce qui le rend adapté aux applications à haute puissance et à haute tension.
Propriétés thermiques:
- Conductivité thermique élevée:SiCa généralement une conductivité thermique élevée et cette propriété s'étend à la 4-H semi-isolationSiCIl aide également à une dissipation de chaleur efficace.
- Stabilité thermique: ce matériau conserve ses propriétés et ses performances même à des températures élevées, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des environnements thermiques difficiles.
Propriétés mécaniques et physiques:
- Dureté: Comme les autres formes deSiC, le4-H semi-isolantLa variante est également très dure et résistante à l'abrasion.
- Inerté chimique: Il est chimiquement inerte et résistant à la plupart des acides et des alcalis, assurant la stabilité et la longévité dans des environnements chimiques difficiles.
| Polytypes | Cristaux simples 4H | ||
| Paramètres de la grille | a = 3,076 A C = 10,053 A |
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| Séquence d'empilement | Le code ABC | ||
| - Une bande. | 3.26 eV | ||
| Densité | 3.21 10^3 kg/m^3 | ||
| Coefficient de dilatation thermique | 4 à 5x10^-6/K | ||
| Indice de réfraction | n = 2.719 ne = 2.777 |
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| Constante diélectrique | 9.6 | ||
| Conductivité thermique | 490 W/mK | ||
| Champ électrique de rupture | 2-4 108 V/m | ||
| Vitesse de dérive de saturation | 2.0 105 m/s | ||
| Mobilité des électrons | 800 cm^2NS | ||
| Mobilité des trous | 115 cm^2N·S | ||
| Dureté de Mohs | 9 |
Propriétés optiques:
- Transparence dans l' infrarouge:4H SiC semi-isolantest transparent à la lumière infrarouge, ce qui peut être bénéfique dans certaines applications optiques.
Avantages pour les applications spécifiques:
- Électronique: idéale pour les appareils à haute fréquence et à haute puissance en raison de sa haute tension de rupture et de sa conductivité thermique.
- Optoélectronique: Convient pour les appareils optoélectroniques fonctionnant dans la région infrarouge.
- Appareils électriques: utilisés dans la fabrication d'appareils électriques tels que les diodes Schottky, les MOSFET et les IGBT.
4H SiC semi-isolantest un matériau polyvalent utilisé dans diverses applications de haute performance en raison de ses propriétés électriques, thermiques et physiques exceptionnelles.
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Le service
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