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6H-N Semi-isolant SiC Substarte / Wafer Pour les MOSFETs、JFETs BJTs haute résistivité large bande passante
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | 4H Substrate/plaque SiC semi-isolateur |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
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| Délai de livraison: | 2 à 4 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| Grade: | Grade de production Grade de recherche Grade factice Grade | Diamètre: | 100.0 mm +/- 0,5 mm |
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| Épaisseur: | 500 μm +/- 25 μm (type semi-isolant), 350 μm +/- 25 μm (type N) | Orientation de gaufrette: | Sur l'axe: <0001> +/- 0,5 degré pour 4H-SI |
| Résistance électrique (ohm-cm): | 4H-N 0,015 à 0,028 4H-SI>1E5 | Concentration de dopage: | Le type N: ~ 1E18/cm3 Le type SI (dopé en V): ~ 5E18/cm3 |
| Le premier appartement: | 32.5 mm +/- 2,0 mm | Longueur plate secondaire: | 18.0 mm +/- 2,0 mm |
| Orientation plate secondaire: | Silicium face vers le haut: 90 degrés CW depuis le plateau primaire +/- 5,0 degrés | ||
| Surligner: | 6H-N Semi-isolant SiC Substarte,Wafer SiC semi-isolateur 6H-N,Large bande passante semi-isolateur SiC Substarte |
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Description de produit
6H-N Substrate/wafer SiC semi-isolateur pour MOSFET, JFET, BJT, large bande passante à haute résistivité
Résumé du substrat SiC semi-isolateur/plaque
Les substrats/plaquettes de carbure de silicium (SiC) semi-isolants sont devenus des matériaux cruciaux dans le domaine des appareils électroniques avancés.conductivité thermique élevéeCe résumé fournit un aperçu des propriétés et des applications des substrats/plaquettes semi-isolateurs en SiC.Il parle de leur comportement semi-isolateur, qui inhibe la libre circulation des électrons, améliorant ainsi les performances et la stabilité des appareils électroniques.L'écart de bande large du SiC permet une dérive électronique élevée et des vitesses de dérive de saturationEn outre, l'excellente conductivité thermique du SiC assure une dissipation de chaleur efficace,le rendant adapté à une utilisation dans des environnements d'exploitation difficilesLa stabilité chimique et la dureté mécanique du SiC améliorent encore sa fiabilité et sa durabilité dans diverses applications.Les substrats/plaquettes semi-isolateurs en SiC offrent une solution convaincante pour le développement de dispositifs électroniques de nouvelle génération offrant des performances et une fiabilité améliorées.
Vérificateur du substrat SiC semi-isolateur/plaque
Tableau des données du sous-sol/plaque SiC semi-isolateur (partiellement)
| Les principaux paramètres de performance | |
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Nom du produit
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Substrate de carbure de silicium, plaquette de carbure de silicium, plaquette de SiC, substrat de SiC
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Méthode de croissance
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Le dépistage
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Structure cristalline
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6h, 4h
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Paramètres de la grille
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6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å),
4H ((a=3,076 Å c=10,053 Å) |
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Séquence d'empilement
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6H: ABCACB,
4H: ABCB |
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Grade
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Grade de production, de recherche, de qualité factice
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Type de conductivité
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de type N ou semi-isolant |
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- Une bande.
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3.23 eV
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Dureté
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9.2 (mohs)
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Conductivité thermique @300K
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3.2 à 4.9 W/cm.K
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Constantes diélectriques
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Il y a une différence entre les deux.33
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Résistance
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4H-SiC-N: 0,015 à 0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02 à 0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm |
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Emballage
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Classe 100 sac propre, dans la classe 1000 salle blanche
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| Spécification standard | |||||
| Nom du produit | Les orientations | Taille standard | Épaisseur | Polissage | |
| Substrate de 6H-SiC Substrate de 4H-SiC |
Le numéro de série Le point de départ est le point de départ de l'appareil. Le nombre de cas Le taux de mortalité ou autre hors-angle |
10x10 mm 10x5 mm 5x5 mm 20x20 mm φ2" x 0,35 mm φ3" x 0,35 mm φ4" x 0,35 mm φ4" x 0,5 mm φ6" x 0,35 mm Ou d' autres |
0.1 mm 0.2 mm 0.5 mm 1.0 mm 2.0 mm Ou d' autres |
Un bon sol Polie à une seule face Polissage à double face Roughness: Ra<3A ((0,3 nm) |
Enquête Online |
les principales applications:
Les substrats/plaquettes de carbure de silicium (SiC) semi-isolateur trouvent des applications diverses dans plusieurs appareils électroniques haute performance. Voici quelques applications clés:
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électronique de puissance:Les substrats de SiC semi-isolateurs sont largement utilisés dans la fabrication de dispositifs de puissance tels que les transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde de métal (MOSFET),Transistors à effet de champ de jonction (JFET)La large bande passante du SiC permet à ces appareils de fonctionner à des températures et des tensions plus élevées,amélioration de l'efficacité et réduction des pertes dans les systèmes de conversion de puissance pour des applications telles que les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les sources d'alimentation industrielle.
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Appareils de radiofréquence (RF):Les plaquettes de SiC sont utilisées dans les appareils RF tels que les amplificateurs de puissance micro-ondes et les commutateurs RF.appareils RF de haute puissance pour des applications telles que la communication sans fil, des systèmes de radar et des communications par satellite.
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Optoélectronique:Les substrats de SiC semi-isolants sont utilisés dans la fabrication de photodétecteurs ultraviolets (UV) et de diodes électroluminescentes (LED).La sensibilité du SiC à la lumière UV le rend adapté aux applications de détection UV dans des domaines tels que la détection de flammesLes résultats de l'étude ont été publiés dans les journaux de l'Union européenne.
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électronique à haute température:Les appareils SiC fonctionnent de manière fiable à des températures élevées, ce qui les rend adaptés à des applications à haute température telles que l'aérospatiale, l'automobile et le forage en profondeur.Les substrats de SiC sont utilisés pour la fabrication de capteurs, actionneurs et systèmes de commande qui peuvent résister à des conditions de fonctionnement difficiles.
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Les photonics:Les substrats de SiC sont utilisés dans le développement de dispositifs photoniques tels que des commutateurs optiques, des modulateurs et des guides d'ondes.L'écart de large bande du SiC et sa haute conductivité thermique permettent la fabrication de, appareils photoniques à grande vitesse pour les télécommunications, la détection et l'informatique optique.
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Applications à haute fréquence et à haute puissance:Les substrats de SiC sont utilisés dans la production de dispositifs à haute fréquence et à haute puissance tels que les diodes Schottky, les thyristors et les transistors à haute mobilité électronique (HEMT).Ces appareils trouvent des applications dans les systèmes radar, les infrastructures de communication sans fil et les accélérateurs de particules.
En résumé, les substrats/plaquettes semi-isolateurs en SiC jouent un rôle crucial dans diverses applications électroniques, offrant des performances supérieures, une fiabilitéet efficacité par rapport aux matériaux semi-conducteurs traditionnelsLeur polyvalence en fait un choix privilégié pour les systèmes électroniques de nouvelle génération dans de nombreux secteurs.
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