| Nom De Marque: | ZMSH |
| Numéro De Modèle: | Substrat de saphir |
| MOQ: | 2 |
| Prix: | 20USD |
| Détails De L'emballage: | cartons personnalisés |
| Conditions De Paiement: | T/T |
Wafer de saphir 12 pouces AL2O3 Personnalisation DSP SSP plan C plan A plan plan M substrat de saphir LED
Le saphir est un matériau doté d'une combinaison unique de propriétés physiques, chimiques et optiques, qui le rendent résistant aux hautes températures, aux chocs thermiques, à l'érosion par l'eau et le sable, ainsi qu'aux rayures. C'est un matériau de fenêtre supérieur pour de nombreuses applications infrarouges de 3 µm à 5 µm. Les substrats de saphir de plan C sont largement utilisés pour la croissance de composés III-V et II-VI tels que le GaN pour les LED bleues et les diodes laser, tandis que les substrats de saphir de plan R sont utilisés pour le dépôt hétéro-épitaxique de silicium pour les applications microélectroniques IC.
Les wafers de saphir sont un matériau semi-conducteur couramment utilisé, se référant généralement aux cristaux d'alumine (Al2O3). Voici quelques-unes des caractéristiques des wafers de saphir :
1. Propriétés optiques :
Les wafers de saphir ont une excellente transparence optique, en particulier dans le spectre visible et proche infrarouge. Cela rend les wafers de saphir largement utilisés dans les capteurs optiques, les lasers et les dispositifs optoélectroniques.
2. Dureté et résistance à l'usure :
Les wafers de saphir ont une très grande dureté, juste derrière le diamant, et ont donc une bonne résistance à l'usure. Cette propriété rend les wafers de saphir très utiles dans les applications qui nécessitent des surfaces résistantes aux rayures et à l'usure, telles que les revêtements de surface de montres et les fenêtres optiques.
3. Stabilité chimique :
Les wafers de saphir ont une bonne stabilité chimique et peuvent résister à la corrosion acide et alcaline. Cela les rend avantageux pour une utilisation dans les capteurs chimiques, les dispositifs biomédicaux et les environnements à haute température/haute pression.
4. Propriétés thermiques :
Les wafers de saphir ont une conductivité thermique et une capacité thermique élevées, ce qui les rend plus stables dans les environnements à haute température. Par conséquent, les wafers de saphir sont un choix de matériau idéal dans les capteurs à haute température, les systèmes de refroidissement laser et les dispositifs électroniques à haute température.
| Article | Spécification | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Diamètre | 2 pouces | 4 pouces | 6 pouces | 8 pouces | 12 pouces |
| Matériau | Saphir artificiel (Al2O3 ≥ 99,99 %) | ||||
| Épaisseur | 430±15μm | 650±15μm | 1300±20μm | 1300±20μm | 3000±20μm |
| Surface orientation |
plan c (0001) | ||||
| Longueur OF | 16±1mm | 30±1mm | 47,5±2,5mm | 47,5±2,5mm | *négociable |
| Orientation OF | plan a 0±0,3° | ||||
| TTV * | ≦10μm | ≦10μm | ≦15μm | ≦15μm | *négociable |
| BOW * | -10 ~ 0μm | -15 ~ 0μm | -20 ~ 0μm | -25 ~ 0μm | *négociable |
| Déformation * | ≦15μm | ≦20μm | ≦25μm | ≦30μm | *négociable |
| Face avant finition |
Prêt pour épitaxie (Ra < 0,3 nm) | ||||
| Face arrière finition |
Rodage (Ra 0,6 - 1,2 µm) | ||||
| Emballage | Emballage sous vide en salle blanche | ||||
| Qualité prime | Nettoyage de haute qualité : taille des particules ≥ 0,3 µm), ≤ 0,18 pièces/cm², contamination métallique ≤ 2E10/cm² | ||||
| Remarques | Spécifications personnalisables : orientation plan a/r/m, hors angle, forme, polissage double face | ||||
1. Les wafers de saphir de plan C sont largement utilisés pour la croissance de matériaux semi-conducteurs III-V et II-VI à large bande interdite, tels que le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'aluminium (AlN), le nitrure d'indium (InN), l'oxyde de zinc (ZnO pour l'émission de lumière UV) et l'oxyde d'étain (SnO2 pour les matériaux émetteurs de lumière UV).
2. De plus, les wafers de saphir de plan C standard (0001) trouvent de larges applications dans la préparation de wafers épitaxiaux LED blancs, bleus, UV et UV profonds par des techniques telles que le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD), l'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et d'autres méthodes de croissance épitaxiale.
3. Les wafers de saphir standard peuvent également servir de substrats pour les transistors bipolaires à hétérojonction (HBT), les diodes laser (LD), les détecteurs UV, les nanotubes, et comme matériaux de dissipation thermique pour les dispositifs électroniques à haute température, haute puissance et haute fréquence.
1. Utilisation de matériau optique Al2O3 monocristallin de haute pureté à 99,999%.
2. Une technologie spécialisée de polissage chimico-mécanique (CMP) est employée pour garantir ses performances rentables.
3. Toutes les orientations cristallines présentent une excellente qualité de surface (rugosité de surface du plan C inférieure à 0,2 nm, plans A, M, R, etc., inférieure à 0,5 nm).
4. Nettoyés dans une zone de purification de classe 100 avec de l'eau ultrapure dépassant 18 MΩ*cm pour assurer une propreté supérieure sur chaque surface de wafer.
5. Emballés dans des boîtes de 25 wafers ou des boîtes pour wafer unique afin de maximiser la flexibilité de recherche du client.
6. Chaque wafer se voit attribuer un numéro de série de produit pour la traçabilité.
7. Un emballage en carton rationnel et compact assure un transport plus sûr et des économies.
8. Les wafers de spécifications standard sont généralement disponibles en stock pour une livraison rapide.
FAQ :
R : Les LED sont les applications les plus populaires pour le saphir. Le matériau est transparent et est un excellent conducteur de lumière. En comparaison, le silicium est opaque et ne permet pas une extraction de lumière efficace. Le matériau semi-conducteur est idéal pour les LED, cependant, car il est à la fois bon marché et transparent.
2. Q : Qu'est-ce que le saphir dans le domaine des semi-conducteurs ?
R : Monocristal de haute pureté (AI2O3), le saphir est idéal pour les exigences précises et exigeantes de la fabrication de semi-conducteurs, offrant une solution transparente mais durable, sans particules et rentable dans des environnements agressifs qui s'avèrent trop difficiles pour les matériaux de technologie inférieure.
3. Q : Pourquoi y a-t-il du silicium sur saphir ?
R : Le silicium sur saphir (SOS) fait partie de la famille des technologies CMOS (MOS complémentaire) de silicium sur isolant (SOI). ) sur des substrats de saphir chauffés. L'avantage du saphir est qu'il s'agit d'un excellent isolant électrique, empêchant les courants parasites causés par les radiations de se propager aux éléments de circuit voisins.
Produit recommandé :
Wafers de saphir d'épaisseur 0,1 mm 2.
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Wafer de saphir monocristallin plan A de 2 pouces Substrats Al2O3 monocristallin
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