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Wafer de saphir 4 pouces DSP SSP 0001 C Plane Acceptez l'axe personnalisé Al2O3 monocristallin
Détails sur le produit:
| Place of Origin: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Model Number: | Sapphire subatrate |
Conditions de paiement et expédition:
| Délai de livraison: | 2-4weeks |
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| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| Poids moléculaire: | 101,96 | Polissage: | DSP, SSP |
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| Tolérance de diamètre: | ≤3% | Personnaliser: | C' est acceptable. |
| Longueur: | 30m | Roughness de la surface: | Ra < 0,5 Nm |
| Résistance intrinsèque: | 1E16 Ω-cm | Méthode de croissance: | Le KY |
| Surligner: | 4inch Sapphire Wafer,Avion Sapphire Wafer de C,Plaquettes monocristallines de saphir |
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Description de produit
Wafer de saphir 4 pouces DSP SSP (0001) C Plane Acceptez l'axe personnalisé Al2O3 monocristallin
Description du produit:
La gaufre en saphir est composée d'oxyde d'aluminium (Al2O3), où trois atomes d'oxygène se lient à deux atomes d'aluminium dans une structure covalente.Il présente une structure cristalline en treillis hexagonal et présente généralement des plans de coupe comme le plan AEn raison de sa large plage de transparence optique, la gaufre en saphir permet la transmission de la lumière du proche ultraviolet (190 nm) aux longueurs d'onde infrarouges moyennes,ce qui le rend idéal pour les composants optiquesLa gaufre en saphir est connue pour sa vitesse sonore élevée, sa résistance aux températures élevées, sa résistance à la corrosion, sa dureté élevée,excellente transparenceIl s'agit d'un matériau difficile à traiter, mais il est couramment utilisé dans les appareils optoélectroniques.
La qualité des LED blanc/bleu ultra-brillant dépend de la qualité des couches épitaxales de nitrure de gallium (GaN), qui, à leur tour,est étroitement liée à la qualité du traitement de surface des gaufres en saphir utiliséesLe décalage de la constante de réseau entre le plan C de la plaque de saphir (Al2O3) et les films minces déposés par les groupes III-V et II-VI est minime.bien aligné sur les exigences de haute température des processus d'épitaxie du GaNCela fait des plaquettes de saphir des matériaux cruciaux pour la production de LEDs blanches, bleues et vertes.
Personnage
1Structure et composition des gaufres de saphir
La gaufre de saphir a une structure cristalline hexagonale avec le groupe spatial R-3c, et son unité structurelle de base est l'octaèdre AlO6.,formant un réseau tridimensionnel hautement symétrique et stable.
2Propriétés optiques et électroniques de la plaque de saphir
Les excellentes propriétés optiques de la gaufre en saphir en font un matériau idéal pour les composants optiques.particulièrement dans la gamme ultraviolette à proche infrarouge (150 nm à 5500 nm), avec un indice de réfraction d'environ 1.76Cette transparence généralisée permet de l'utiliser largement dans les instruments optiques de haute précision.
En termes de propriétés électroniques, la gaufre de saphir est un isolant avec une large bande passante d'environ 9,9 eV, ce qui la rend excellente dans les appareils électroniques haute tension et haute fréquence.En raison de sa haute isolation et de ses faibles pertes diélectriquesLe saphir est couramment utilisé comme matériau de substrat pour les dispositifs semi-conducteurs, en particulier dans les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) et les dispositifs à base de nitrure de gallium (GaN).
3Propriétés mécaniques et thermodynamiques
La plaque de saphir a une dureté de Mohs de 9, la seconde après le diamant, ce qui lui donne une résistance exceptionnelle à l'abrasion et aux rayures.d'une épaisseur n'excédant pas 1 mmLa plaque de saphir présente également une très haute conductivité thermique d'environ 25 W/m·K, conservant des propriétés physiques et chimiques stables dans des environnements à haute température.Avec un point de fusion élevé de 2054°C et un faible coefficient de dilatation thermique (8.4 x 10^-6/K), la gaufre de saphir peut maintenir une stabilité dimensionnelle dans les applications à haute température.
| Diamètre | 4 pouces 100 ± 0,3 mm |
| Épaisseur | 650 ± 20 μm |
| Les orientations | C-plan (0001) à M-plan (1-100) ou A-plan ((1 1-2 0) 0,2±0,1° /0,3±0,1°, R-plan (1-1 0 2), A-plan (1 1-2 0 ), M-plan ((1-1 0 0) |
| Longueur plate primaire | 32.5 ± 1,5 mm |
| L'orientation du plan principal | Plan A (1 à 2 0) ± 0,2° |
| TTV | ≤ 20 μm |
| VTT | ≤ 20 μm |
| Le titre TIR | ≤ 20 μm |
| - Je vous en prie. | ≤ 20 μm |
| La distorsion. | ≤ 20 μm |
| Surface avant | Épi-polissé (Ra< 0,2 nm) |
| Surface arrière | Finement moulu (Ra=0,5 à 1,2 μm), épi-polissé (Ra< 0,2 nm) |
| Nom de l'entreprise | Peut fournir des plaquettes de substrat de saphir de haute qualité selon les exigences spécifiques des clients |
Applications:
Les plaquettes de saphir sont d'excellents matériaux multifonctionnels connus pour leur résistance à haute température, leur bonne conductivité thermique, leur haute dureté, leur transparence infrarouge et leur stabilité chimique.Ils sont largement utilisés dans diverses industries.Il s'agit d'un outil qui permet d'améliorer les performances de l'appareil, notamment dans les domaines de la défense et de la recherche, comme pour les vitres infrarouges à haute température.Les plaquettes de saphir servent de substrats polyvalents à cristal unique et sont les substrats préférés dans les industries de la peinture bleue., les diodes électroluminescentes violette et blanche (LED) et les diodes laser bleues (LD) (qui nécessitent des films épitaxiaux de nitrure de gallium sur des substrats de saphir).Ils sont également cruciaux pour les superconducteurs de substrats à film mince.
procédé de transformation du substrat de saphir:
1. Croissance des cristaux: Utiliser un four de croissance des cristaux pour faire pousser du saphir monocristallin de grande et haute qualité.
2Orientation: s'assurer que le cristal de saphir est correctement placé sur la scie pour un traitement ultérieur.
3Sauvage: extraction des tiges de saphir du cristal d'une manière spécifique.
4. broyage: utiliser un broyeur cylindrique externe pour broyer avec précision le diamètre extérieur de la tige de saphir.
5Inspection de la qualité: vérifier la qualité de la tige de saphir et vérifier si les dimensions et l'orientation après extraction répondent aux spécifications du client.
6. Orientation (encore une fois): positionnez avec précision la tige de saphir sur la machine à trancher pour une découpe précise.
7Couper la tige de saphir en galettes minces.
8Polissage: élimine les dommages causés par la coupe et améliore la planéité des plaquettes.
9- Chamfering: découpage des bords de la gaufre en une forme arrondie pour améliorer la résistance mécanique et prévenir les défauts induits par la concentration de contraintes.
10- Polissage: améliorer la rugosité de la surface des plaquettes pour obtenir une précision de niveau épitaxial.
11Nettoyage: éliminer les contaminants de la surface de la galette (par exemple, particules de poussière, métaux, résidus organiques).
12. Inspection de la qualité (encore une fois): Utiliser des équipements d'inspection de haute précision pour évaluer la qualité de la gaufre (planéité, propreté de la surface, etc.) afin de répondre aux exigences du client.
Recommandation du produit:
1.8 pouces 0,725 Dia100mm C plan Single Crystal Sapphire Wafer 1300mm 1500mm épaisseur
2.Orientation de la plaque de saphir de 6 pouces 0001 Al2O3 Transparence optique à cristal unique
FAQ:
Q: Qu'est-ce que la gaufre en saphir?
A: Des plaquettes de saphir de Vritra Technologies
Le saphir synthétique est une forme monocristalline d'oxyde d'aluminium (Al2O3).résistance aux rayures, faible perte diélectrique et bonne isolation électrique.
Q: Quelle est la différence entre les plaquettes en saphir et en silicium?
R: Les LED sont les applications les plus populaires pour le saphir. Le matériau est transparent et un excellent conducteur de lumière.le silicium est opaque et ne permet pas une extraction efficace de la lumièreCependant, le matériau semi-conducteur est idéal pour les LED, car il est à la fois bon marché et transparent.
Q: Qu'est-ce que le saphir dans les semi-conducteurs?
R: Les plaquettes de saphir sont utilisées pour l'épitaxie de films semi-conducteurs tels que le Si, le nitrure de gallium (GaN) et l'AlGaN, et pour la fabrication de circuits intégrés.Les substrats de saphir en plan C sont utilisés pour la croissance du GaN et d'autres composés III ̊V et II ̊VI lors de la fabrication de LED et pour les applications de détecteurs IR..