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substrat de saphir
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Wafer en saphir de 12 pouces pour la fabrication de dispositifs LED et GaN

Wafer en saphir de 12 pouces pour la fabrication de dispositifs LED et GaN

Nom De Marque: ZMSH
MOQ: 2
Prix: by case
Détails De L'emballage: Cartons personnalisés
Conditions De Paiement: T/T
Les informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Diamètre de la gaufre:
12 pouces (300 mm)
matériel:
Saphir monocristallin (Al2O3)
Orientation cristalline:
Plan C (0001), plan A (11-20), plan R (1-102)
Épaisseur:
430-500 μm
Finition de surface:
Poli simple face (SSP) / Poli double face (DSP)
Rugosité de surface (RA):
≤0,5 nm (poli)
Capacité d'approvisionnement:
Par cas
Description de produit

Vue d'ensemble du produit

Les plaquettes en saphir de 12 pouces sont des substrats en saphir monocristallin de très grand diamètre fabriqués pour des applications de semi-conducteurs et d'optoélectronique avancés.Comparé aux gaufres traditionnelles de saphir de 2 ′′ 6 pouces, les plaquettes en saphir de 12 pouces améliorent considérablement l'efficacité de la production, l'utilisation des matériaux et l'uniformité des appareils, ce qui en fait un choix idéal pour les LED de nouvelle génération, l'électronique de puissance,et technologies d'emballage avancées.

 

Nos gaufres en saphir de 12 pouces sont fabriquées à partir de cristaux uniques Al2O3 de haute pureté cultivés par des méthodes de croissance de cristaux avancées, suivis d'une tranche de précision, de lapping, de polissage,et une inspection stricte de la qualitéLes plaquettes présentent une excellente planéité de surface, une faible densité de défaut et une grande stabilité optique et mécanique, répondant aux exigences strictes de la fabrication de dispositifs de grande surface.

 

Wafer en saphir de 12 pouces pour la fabrication de dispositifs LED et GaN 0


Wafer en saphir de 12 pouces pour la fabrication de dispositifs LED et GaN 1Caractéristiques du matériau

Le saphir (oxyde d'aluminium monocristallin, Al2O3) est bien connu pour ses excellentes propriétés physiques et chimiques.Les plaquettes en saphir de 12 pouces héritent de tous les avantages du matériau en saphir tout en fournissant une surface utilisable beaucoup plus grande.

Les principales caractéristiques du matériau sont les suivantes:

  • Dureté extrêmement élevée et résistance à l'usure

  • Excellente stabilité thermique et point de fusion élevé

  • Résistance chimique supérieure aux acides et aux alcalis

  • Haute transparence optique des longueurs d'onde UV à IR

  • Excellentes propriétés d'isolation électrique

Ces caractéristiques rendent les plaquettes de saphir de 12 pouces adaptées à des environnements de traitement difficiles et à des processus de fabrication de semi-conducteurs à haute température.


Processus de fabrication

La production de plaquettes de saphir de 12 pouces nécessite une croissance cristalline avancée et des technologies de traitement ultra-précises.

  1. Croissance du cristal unique
    Les cristaux de saphir de haute pureté sont cultivés à l'aide de méthodes avancées telles que le KY ou d'autres technologies de croissance de cristaux de grand diamètre, garantissant une orientation cristalline uniforme et un faible stress interne.

  2. Formation et découpe de cristaux
    Le lingot de saphir est façonné avec précision et coupé en plaquettes de 12 pouces à l'aide d'un équipement de coupe de haute précision pour minimiser les dommages sous-marins.

  3. Lappage et polirage
    Des procédés de polissage mécanique chimique (CMP) en plusieurs étapes sont appliqués pour obtenir une excellente rugosité de surface, une planéité et une uniformité d'épaisseur.

  4. Nettoyage et inspection
    Chaque plaquette de saphir de 12 pouces est soumise à un nettoyage minutieux et à une inspection stricte, y compris la qualité de la surface, le TTV, l'arc, la déformation et l'analyse des défauts.

 


Applications

Les plaquettes en saphir de 12 pouces sont largement utilisées dans les technologies avancées et émergentes, notamment:

  • Substrats LED à haute puissance et à haute luminosité

  • Appareils de puissance à base de GaN et appareils RF

  • Les pièces et appareils pour les appareils de fabrication des métaux précieux

  • Fenêtres optiques et composants optiques à grande surface

  • Emballages de semi-conducteurs avancés et supports de procédés spéciaux

Le grand diamètre permet un débit plus élevé et une meilleure rentabilité dans la production de masse.

 


Les avantages des gaufres en saphir de 12 pouces

  • Surface utilisable plus grande pour une puissance de sortie plus élevée par plaquette

  • Amélioration de la cohérence et de l'uniformité des processus

  • Réduction du coût par appareil dans la production à grande échelle

  • Excellente résistance mécanique pour la manutention de grandes dimensions

  • Spécifications personnalisables pour différentes applications

 Wafer en saphir de 12 pouces pour la fabrication de dispositifs LED et GaN 2


Options de personnalisation

Nous offrons une personnalisation flexible pour les gaufres en saphir de 12 pouces, y compris:

  • Orientation des cristaux (plan C, plan A, plan R, etc.)

  • Tolérance d'épaisseur et de diamètre

  • Polissage à un ou deux côtés

  • Profil de bord et conception de l'encadrement

  • Exigences en matière de rugosité et de planéité de surface

Paramètre Spécification Les notes
Diamètre de la gaufre 12 pouces (300 mm) Wafer de grand diamètre standard
Matériel Saphir monocristallin (Al2O3) de haute pureté, de qualité électronique/optique
L'orientation cristalline Le système d'échantillonnage est basé sur les données fournies par les autorités compétentes. Orientations facultatives disponibles
Épaisseur 430 ‰ 500 μm Épaisseur personnalisée disponible sur demande
Tolérance à l'épaisseur ± 10 μm Tolérance restreinte pour les dispositifs avancés
Variation totale de l'épaisseur (TTV) ≤ 10 μm Assure un traitement uniforme des plaquettes
Faites une fleur. ≤ 50 μm Mesurée sur l'ensemble de la galette
La distorsion. ≤ 50 μm Mesurée sur l'ensemble de la galette
Finition de surface Polie à une face (SSP) /polie à double face (DSP) Surface de haute qualité optique
Roughness de surface (Ra) ≤ 0,5 nm (polie) Lissure au niveau atomique pour la croissance épitaxienne
Profil de bord Rameau / bord arrondi Pour éviter les éclaboussures lors de la manipulation
Précision de l'orientation ±0,5° Assure une bonne croissance de la couche épitaxienne
Densité des défauts < 10 cm2 Mesurée par inspection optique
Plateur ≤ 2 μm / 100 mm Assure une lithographie uniforme et une croissance épitaxienne
La propreté Classe 100 ¢ Classe 1000 Compatible avec la salle blanche
Transmission optique > 85% (UV-IR) Ça dépend de la longueur d'onde et de l'épaisseur.

 

 

Les questions fréquemment posées sur les gaufres en saphir de 12 pouces

Q1: Quelle est l'épaisseur standard d'une gaufre en saphir de 12 pouces?
R: L'épaisseur standard varie de 430 μm à 500 μm. Des épaisseurs personnalisées peuvent également être produites selon les exigences du client.

 

Q2: Quelles orientations de cristaux sont disponibles pour les plaquettes en saphir de 12 pouces?
R: Nous offrons des orientations C-plan (0001), A-plan (11-20), et R-plan (1-102).

 

Q3: Quelle est la variation de l'épaisseur totale (TTV) de la gaufre?
R: Nos plaquettes en saphir de 12 pouces ont généralement un TTV ≤10 μm, ce qui garantit l'uniformité sur toute la surface de la plaquette pour une fabrication de dispositifs de haute qualité.

 

 

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