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SIC monocristallin conducteur de 6 pouces sur un substrat composite SIC polykristallin
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
Conditions de paiement et expédition:
| Minimum Order Quantity: | 1 |
|---|---|
| Prix: | undetermined |
| Packaging Details: | foamed plastic＋carton |
| Delivery Time: | 4weeks |
| Payment Terms: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 1pcs/month |
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Détail Infomation |
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| Type de produit: | Wafer épitaxial SiC monocristallin (substrate composite) | Wafer Size: | 6 inches (150 mm) |
|---|---|---|---|
| Type de substrat: | Composite SiC polycristallin | Crystal Structure: | 4H-SiC or 6H-SiC Single Crystal |
| Mettre en évidence: | Wafer en carbure de silicium de 6 pouces,Plaquettes de carbure de silicium à cristal unique |
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Description de produit
Le SiC monocristallin conducteur de 6 pouces sur un substrat composite SiC polycristallin
Résumé du SiC monocristallin conducteur de 6 pouces sur un substrat composite SiC polycristalline
Le
SiC à un seul cristal conducteur de 6 pouces sur polycristalLe substrat composite en SiC est un nouveau type de structure de substrat semi-conducteur.
Son noyau réside dans la liaison ou la croissance épitaxielle d'un film mince conducteur de SiC monocristallin sur un substrat de carbure de silicium polycristallin (SiC).sa structure combine les performances élevées du SiC monocristallin (telles qu'une grande mobilité du support et une faible densité de défaut) avec les avantages du faible coût et de la grande taille des substrats de SiC polycristallin.
Il convient à la fabrication de dispositifs à haute puissance et à haute fréquence et est particulièrement compétitif dans les applications rentables.Les substrats polycristallins de SiC sont préparés par processus de frittage, ce qui réduit le coût et permet des tailles plus grandes (telles que 6 pouces), mais leur qualité cristalline est plus médiocre et ne convient pas directement aux appareils haute performance.
Tableau des attributs, caractéristiques techniques et avantages deLe SiC monocristallin conducteur de 6 pouces sur un substrat composite SiC polycristallin
Tableau des attributs
| Nom de l'article | Spécification |
| Type de produit | Wafer épitaxial SiC monocristallin (substrate composite) |
| Taille de la gaufre | 6 pouces (150 mm) |
| Type de substrat | Composite SiC polycristallin |
| Épaisseur du substrat | 400 ‰ 600 μm |
| Résistance du substrat | < 0,02 Ω·cm (type conducteur) |
| Taille du grain polycristallin | 50 ‰ 200 μm |
| Épaisseur de la couche épitaxienne | 5 ‰ 15 μm (personnalisable) |
| Type de dopage de la couche épitaxienne | Type N / type P |
| Concentration du transporteur (Epi) | 1 × 1015 1 × 1019 cm-3 (facultatif) |
| Roughness de la surface épitaxienne | Le nombre de fois où les données sont utilisées est supérieur à 1 nm. |
| Orientation de la surface | 4° hors axe (4H-SiC) ou optionnel |
| Structure cristalline | 4H-SiC ou 6H-SiC monocristal |
| Densité de dislocation de vis de filetage (TSD) | < 5 × 104 cm−2 |
| Densité de dislocation du plan basal (BPD) | < 5 × 103 cm−2 |
| Morphologie du flux par étapes | Claire et régulière |
| Traitement de surface | Polissé (prêt pour l'épinectomie) |
| Emballage | Récipient à plaquettes simples, scellé sous vide |
Caractéristiques techniques et avantages
Conductivité élevée:
Les films de SiC monocristallins atteignent une faible résistivité (< 10−3 Ω·cm) par dopage (par exemple, dopage d'azote pour le type n), répondant aux exigences de faible perte pour les dispositifs de puissance.
Conductivité thermique élevée:
Le SiC a une conductivité thermique trois fois supérieure à celle du silicium, ce qui permet une dissipation thermique efficace adaptée à des environnements à haute température tels que les onduleurs électriques.
Caractéristiques de haute fréquence:
La mobilité électronique élevée du SiC monocristallin permet la commutation à haute fréquence, y compris les appareils RF 5G.
Réduction des coûts par des substrats polycristallins:
Les substrats polycristallins de SiC sont produits par frittage en poudre, ne coûtant qu'environ 1/5 à 1/3 des substrats monocristallins, et évolutifs à 6 pouces ou plus.
Technologie de liaison hétérogène:
Les procédés de liaison à haute température et à haute pression permettent d'obtenir une liaison au niveau atomique entre le SiC monocristallin et les interfaces du substrat polycristallin,éviter les défauts courants dans la croissance épitaxienne traditionnelle.
Amélioration de la résistance mécanique:
La haute ténacité des substrats polycristallins compense la fragilité du SiC monocristallin, ce qui améliore la fiabilité du dispositif.
Affichage de l'image physique
Processus de fabrication du SiC monocristallin conducteur de 6 pouces sur un substrat composite SiC polycristallin
Préparation de substrat SiC polycristallin:
La poudre de carbure de silicium est formée en substrats polycristallins (~ 6 pouces) par frittage à haute température.
La croissance du film SiC monocristallin:
Les couches de SiC monocristallines sont cultivées sur le substrat polycristallin par épitaxie à l'aide de dépôt chimique de vapeur (CVD) ou de transport physique de vapeur (PVT).
Technologie de liaison:
La liaison au niveau atomique aux interfaces monocristallines et polycristallines est obtenue par liaison métallique (par exemple, pâte d'argent) ou liaison directe (DBE).
Traitement par repassage:
Le recuit à haute température optimise la qualité de l'interface et réduit la résistance au contact.
Principaux domaines d'applicationle SiC monocristallin conducteur de 6 pouces sur un substrat composite SiC polycristallin
Véhicules à énergie nouvelle
- Invertisseurs principaux: les MOSFET SiC monocristallins conducteurs améliorent l'efficacité de l'inverseur (réduisant les pertes de 5% à 10%) et réduisent la taille et le poids. - Chargeurs embarqués (OBC):Caractéristiques de commutation à haute fréquence raccourcissent les temps de charge et prennent en charge les plates-formes haute tension 800V.
Énergie industrielle et photovoltaïque
- Invertisseurs haute fréquence: atteindre un rendement de conversion plus élevé (> 98%) dans les systèmes photovoltaïques, réduisant ainsi le coût global du système.
- Les réseaux intelligents: réduire les pertes d'énergie dans les modules de transmission de courant continu à haute tension (HVDC).
Aérospatiale et défense
- Dispositifs résistants aux rayonnements: la résistance aux rayonnements du SiC à cristal unique convient aux modules de gestion de l'alimentation par satellite.
- Les capteurs du moteur: la tolérance à haute température (> 300°C) simplifie la conception du système de refroidissement.
Radiodiffusion et communications
- Les appareils à ondes millimétriques 5G: les HEMT GaN à base de SiC à cristal unique fournissent une sortie haute fréquence et haute puissance.
- Communications par satellite: les substrats polycristallins résistent aux vibrations et s'adaptent aux conditions difficiles de l'espace.
Questions et réponses
- Je ne sais pas.Quelle est la conductivité d'un SiC monocristallin conducteur de 6 pouces sur un substrat composite polycristallin?
A: Je suis désolé.Source de conductivité: la conductivité du SiC monocristallin est principalement obtenue par dopage avec d'autres éléments (tels que l'azote ou l'aluminium).résultant en différentes conductivités électriques et concentrations de porteurs.
Influence du SiC polycristallin: Le SiC polycristallin présente généralement une conductivité inférieure en raison de défauts de treillis et de discontinuités affectant ses propriétés conductrices.dans un substrat composite, la partie polycristalline peut avoir un certain effet inhibiteur sur la conductivité globale.
Avantages de la structure composite:La combinaison du SiC monocristallin conducteur avec le SiC polycristallin peut potentiellement améliorer la résistance globale à haute température et la résistance mécanique du matériau, tout en obtenant la conductivité souhaitée grâce à une conception optimisée dans certaines applications.
Potentiel d'application: This composite structure is often used in high-power electronic devices and high-temperature environments because its excellent thermal and electrical conductivity make it suitable for operation under extreme conditions.
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