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8 pouces 4H-N SiC Wafer épaisseur 500±25μm ou personnalisé N-dopé qualité de recherche de production de mannequin
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
Conditions de paiement et expédition:
| Délai de livraison: | 2-4weeks |
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| Conditions de paiement: | T/T, |
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Détail Infomation |
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| Diamètre de la gaufre: | 8 pouces (200 mm) | Structure cristalline: | Type 4H-N (système cristallin hexagonal) |
|---|---|---|---|
| Type de dopage: | Type N (doppé à l'azote) | Le bandgap: | 3.23 eV |
| Mobilité des électrons: | 800 ‰ 1000 cm2/V·s | Conductivité thermique: | 120 ‰ 150 W/m·K |
| Roughness de la surface: | Résistance à l'écoulement | Dureté: | Dureté de Mohs 9.5 |
| Épaisseur de la gaufre: | 500 ± 25 μm | Résistance: | 0.01 10 Ω·cm |
| Mettre en évidence: | Wafer SiC de qualité de recherche,Une gaufre SiC de 8 pouces,Plaquettes SiC 4H-N |
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Description de produit
Wafer SiC 4H-N de 8 pouces, épaisseur 500 ± 25 μm ou sur mesure, N-dopé, factice, de qualité de production, de recherche
8 pouces 4H-N type SiC Wafer résumé
La gaufre en carbure de silicium (SiC) de type 4H-N de 8 pouces représente un matériau de pointe largement utilisé dans l'électronique de puissance et les applications de semi-conducteurs avancés.en particulier le poly-type 4H, est très apprécié pour ses propriétés physiques et électriques supérieures, y compris une large bande passante de 3,26 eV, une haute conductivité thermique et une tension de rupture exceptionnelle.Ces caractéristiques le rendent idéal pour une puissance élevée, à haute température et à haute fréquence.
LeDopage de type Nintroduit des impuretés donneuses telles que l'azote, ce qui améliore la conductivité électrique de la gaufre et permet un contrôle précis de ses propriétés électroniques.Ce dopage est essentiel pour la fabrication de dispositifs de puissance avancés comme les MOSFETLa taille de la galette de 8 pouces marque une étape importante dans la technologie des galettes SiC.offrant un rendement et une rentabilité accru pour la production à grande échelle, répondant aux demandes des industries telles que les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et l'automatisation industrielle.
Propriétés de la gaufre SiC de type 8 pouces 4H-N
Propriétés de base
1.Taille de la galette: 8 pouces (200 mm), une taille standard pour la production à grande échelle, couramment utilisée dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs hautes performances.
2. Structure cristalline: 4H-SiC, appartenant au système cristallin hexagonal.
3.Types de dopage: de type N (dopé à l'azote), fournissant une conductivité adaptée aux appareils de puissance, aux appareils RF, aux appareils optoélectroniques, etc.
Propriétés électriques
1- Le bandgap.: 3,23 eV, offrant une large bande passante qui assure un fonctionnement fiable dans des environnements à haute température et haute tension.
2Mobilité des électrons: 800 ‰ 1000 cm2/V·s à température ambiante, assurant un transport de charge efficace, adapté aux applications à haute puissance et à haute fréquence.
3- Défaillance du champ électrique.: > 2,0 MV/cm, ce qui indique que la gaufre peut résister à la haute tension, ce qui la rend adaptée aux applications à haute tension.
Propriétés thermiques
1Conductivité thermique: 120-150 W/m·K, permettant une dissipation de chaleur efficace dans les applications à haute densité de puissance, évitant ainsi la surchauffe.
2Coefficient de dilatation thermique: 4.2 × 10−6 K−1, similaire au silicium, ce qui le rend compatible avec d'autres matériaux tels que les métaux, réduisant les problèmes de déséquilibre thermique.
Propriétés mécaniques
1Dureté: Le SiC a une dureté de Mohs de 9.5, dépassant seulement le diamant, ce qui le rend très résistant à l'usure et aux dommages dans des conditions extrêmes.
2.Roughness de la surface: généralement inférieure à 1 nm (RMS), assurant une surface lisse pour un traitement de semi-conducteurs de haute précision.
Stabilité chimique
1.Résistance à la corrosion: Excellente résistance aux acides, aux bases et aux environnements difficiles, assurant une stabilité à long terme dans des conditions difficiles.
8 pouces 4H-N type image de la gaufre SiC
Application de la gaufre SiC de type 8 pouces 4H-N
1- électronique de puissance: Largement utilisé dans les MOSFET, les IGBT, les diodes Schottky, etc., pour des applications telles que les véhicules électriques, la conversion d'énergie, la gestion de l'énergie et la production d'énergie solaire.
2.RF et applications à haute fréquence: Utilisé dans les stations de base 5G, les communications par satellite, les systèmes radar et autres applications à haute fréquence et à haute puissance.
3- Optoélectronique: Utilisé dans les LED bleues et ultraviolettes et autres appareils optoélectroniques.
4.Electronique automobile: Utilisé dans les systèmes de gestion de la batterie des véhicules électriques (BMS), les systèmes de contrôle de la puissance et d'autres applications automobiles.
5.Énergie renouvelable: Utilisé dans les onduleurs à haut rendement et les systèmes de stockage d'énergie, améliorant l'efficacité de la conversion d'énergie.