• 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoélectronique haute puissance RF LEDS
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2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoélectronique haute puissance RF LEDS

2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoélectronique haute puissance RF LEDS

Détails sur le produit:

Place of Origin: China
Nom de marque: ZMSH
Model Number: Silicon carbide wafer

Conditions de paiement et expédition:

Delivery Time: 2 weeks
Payment Terms: 100%T/T
meilleur prix Contact

Détail Infomation

EPD: ≤ 1E10/cm2 Épaisseur: 600 ± 50 μm
Particule: Particule libre/basse Exclusion de bord: ≤ 50 μm
Finition de surface: Latéral simple/double poli Le type: 3C-N
Résistance: Résistivité haute-basse Diamètre: 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces
Mettre en évidence:

8 pouces de carbure de silicium DSP

,

DSP de carbure de silicium de 4 pouces

,

DSP de carbure de silicium de 6 pouces

Description de produit

2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoélectronique haute puissance RF LEDS

Description de la plaque SiC 3C-N:

Comparé à 4H-Sic, bien que le bandgap du carbure de silicium 3C

(3C SiC)2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoélectronique haute puissance RF LEDS 0La résistance à l'oxydation est plus faible, sa mobilité de support et sa conductivité thermique sont meilleures que celles du 4H-SiC.la densité de défaut à l'interface entre l'oxyde isolant qate et le 3C-sic est inférieure. qui est plus propice à la fabrication d'appareils à haute tension, très fiables et de longue durée de vie.Les dispositifs à base de 3C-SiC sont principalement préparés sur des substrats si avec un grand décalage de réseau et un décalage de coefficient de dilatation thermique entre Si et 3C SiC, ce qui entraîne une forte densité de défautEn outre, les plaquettes 3C-SiC à faible coût auront un impact de substitution significatif sur le marché des appareils de puissance dans la gamme de tension 600-1200v,accélérer le progrès de l'ensemble de l'industriePar conséquent, le développement en vrac de plaquettes 3C-SiC est inévitable.

 

Le caractère de la gaufre 3C-N SiC:

1. Structure cristalline: le 3C-SiC a une structure cristalline cubique, contrairement aux polytypes hexagonaux 4H-SiC et 6H-SiC plus communs. Cette structure cubique offre certains avantages dans certaines applications.
2La bande passante du 3C-SiC est d'environ 2,2 eV, ce qui le rend adapté aux applications en optoélectronique et en électronique à haute température.
3Conductivité thermique: le 3C-SiC a une conductivité thermique élevée, ce qui est important pour les applications nécessitant une dissipation thermique efficace.
4Compatibilité: Il est compatible avec les technologies de traitement du silicium standard, ce qui lui permet d'être intégré aux dispositifs existants à base de silicium.

Forme de gaufre SiC 3C-N:

Propriété N-type 3C-SiC, à cristal unique
Paramètres de la grille a=4,349 Å
Séquence d'empilement Le code ABC
Dureté de Mohs ≈9.2
Coefficient de dilatation thermique 3.8×10-6/K
Constante diélectrique c~9.66
Le band-gap 2.36 eV
Champ électrique de rupture 2 à 5 × 106 V/cm
Vitesse de dérive de saturation 2.7 × 107 m/s

 

Grade Grade zéro de production de MPD (grade Z) Grade de production standard (grade P) Grade de factice (grade D)
Diamètre 145.5 mm à 150 mm
Épaisseur 350 μm ± 25 μm
Orientation de la gaufre En dehors de l'axe: 2,0° à 4,0° vers [1120] ± 0,5° pour 4H/6H-P, sur l'axe: ∼111 ∼ 0,5° pour 3C-N
Densité des micropipes 0 cm à 2
Résistance ≤ 0,8 mΩ cm ≤ 1 m Ω ̊cm
L'orientation principale est plate {110} ± 5,0°
Longueur plate primaire 32.5 mm ± 2,0 mm
Longueur plate secondaire 18.0 mm ± 2,0 mm
Orientation à plat secondaire Sicile face vers le haut: 90° CW. de la plaine principale ± 5,0°
Exclusion des bords 3 mm 6 mm
LTV/TTV/Bow/Warp Pour les appareils de traitement des eaux usées, les mesures suivantes doivent être prises: Pour le calcul de la résistance à l'humidité
Roughness (graisseuse) Ra≤1 nm en polonais
CMP Ra≤0,2 nm Ra≤0,5 nm
Les bords se fissurent à la lumière de haute intensité Aucune Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤ 2 mm
Plaques hexagonales par haute intensité lumineuse Surface cumulée ≤ 0,05% Surface cumulée ≤ 0,1%
Zones de polytypes par haute intensité lumineuse Aucune Surface cumulée ≤ 3%
Inclusions de carbone visuel Surface cumulée ≤ 0,05% Surface cumulée ≤ 3%
La surface du silicium est rayée par la lumière de haute intensité Aucune Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaque
Les puces de pointe sont très lumineuses Aucune largeur et profondeur ≥ 0,2 mm 5 permis, ≤ 1 mm chacune
Contamination de la surface du silicium par haute intensité Aucune
Emballage Cassette à plaquettes multiples ou récipient à plaquette unique

Applications de la gaufre SiC 3C-N:

1Électronique électrique:Les plaquettes 3C-SiC sont utilisées dans les appareils électroniques de haute puissance tels que les MOSFET (transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde métallique) et les diodes Schottky en raison de leur tension de rupture élevée, une conductivité thermique élevée et une faible résistance.
2. Appareils RF et micro-ondes: The high electron mobility and superior thermal conductivity of 3C-SiC make it suitable for applications in radio frequency (RF) and microwave devices like high-power amplifiers and high-frequency transistors.
3Optoélectronique: les plaquettes 3C-SiC sont utilisées dans le développement de dispositifs optoélectroniques tels que les diodes élec­triques (LED), les photodétecteurs,et les diodes laser en raison de leur large bande passante et d'excellentes propriétés thermiques.
4. Dispositifs MEMS et NEMS: les systèmes microélectro-mécaniques (MEMS) et les systèmes nanoélectro-mécaniques (NEMS) bénéficient des plaquettes 3C-SiC pour leur stabilité mécanique,capacité de fonctionnement à haute température, et l'inertie chimique.
5Sensors: Les plaquettes 3C-SiC sont utilisées dans la production de capteurs pour environnements difficiles, tels que les capteurs à haute température, les capteurs de pression, les capteurs de gaz et les capteurs chimiques,en raison de leur robustesse et stabilité.
6Systèmes de réseau électrique: Dans les systèmes de distribution et de transmission d'électricité, les plaquettes 3C-SiC sont utilisées dans les appareils et composants haute tension pour une conversion efficace de l'énergie et une réduction des pertes d'énergie.
7Aérospatiale et défense: la tolérance à haute température et la dureté au rayonnement du 3C-SiC le rendent adapté aux applications aérospatiales et de défense, notamment dans les composants d'avions, les systèmes de radar,et appareils de communication.
8Le stockage de l'énergie: les plaquettes 3C-SiC sont utilisées dans des applications de stockage de l'énergie comme les batteries et les supercondensateurs en raison de leur haute conductivité thermique et de leur stabilité dans des conditions de fonctionnement difficiles.
Industrie des semi-conducteurs: les plaquettes 3C-SiC sont également utilisées dans l'industrie des semi-conducteurs pour le développement de circuits intégrés avancés et de composants électroniques hautes performances.

Figure d'application de la gaufre SiC 3C-N:

 

2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoélectronique haute puissance RF LEDS 1

Emballage et expédition

2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoélectronique haute puissance RF LEDS 2

FAQ:

1.Q: Quelle est la différence entre 4H et 3Cdu carbure de silicium?

R:Comparé au 4H-SiC, bien que l'écart de bande du carbure de silicium 3C (3C SiC) soit inférieur, sa mobilité de support, sa conductivité thermique et ses propriétés mécaniques sont meilleures que celles du 4H-SiC

2.Q: Quelle est l'affinité électronique du 3C SiC?
R:Les affinités électroniques du SIC 3C, 6H et 4H (0001) sont respectivement de 3,8 eV, 3,3 eV et 3,1 eV.

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2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 3C-N SiC Wafer Silicon Carbide Optoélectronique haute puissance RF LEDS 4

 

 

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