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3C-N type Wafers de carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces ou 5 * 5 10 * 10 mm Taille de production de qualité de recherche
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
Conditions de paiement et expédition:
| Délai de livraison: | 2-4weeks |
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| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| Diamètre: | 5*5mm±0.2mm et 10*10mm±0.2mm 2 pouces 4 pouces 6 pouces | Épaisseur: | 350 μm±25 μm |
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| Résistance 3C-N: | ≤ 0,8 mΩ•cm | Longueur plate primaire: | 150,9 mm ± 1,7 mm |
| Longueur plate secondaire: | 8.0 mm ±1,7 mm | Exclusion de bord: | 3 mm |
| TTV/Bow/Warp: | ≤ 2,5 μm/≤ 5 μm/≤ 15 | Roughness (graisseuse): | RAP ≤ 1 nm CMP RAP ≤ 0,2 nm |
| La surface du silicium est rayée par la lumière de haute intensité: | 3 rayures à 1 × longueur cumulée du diamètre de la wafer | ||
| Mettre en évidence: | gaufrettes de carbure de silicium 4inch,Waffles en carbure de silicium de 6 pouces,Waffles de carbure de silicium de qualité de recherche |
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Description de produit
Plaquettes en carbure de silicium de Type 3C-N, taille 2 pouces, 4 pouces, 6 pouces ou 5*5 et 10*10mm, qualité de production et de recherche
Présentation des plaquettes de carbure de silicium de type 3C-N
Plaquettes de carbure de silicium (SiC) de type 3C-Nsont une variante spécifique des plaquettes SiC qui utilisent le polytype cubique 3C. Connues pour leurs propriétés thermiques, électriques et mécaniques exceptionnelles, ces plaquettes sont conçues pour répondre aux exigences strictes des technologies avancées en électronique, optoélectronique et dispositifs de puissance.
LePolytype 3Cprésente une structure cristalline cubique, offrant plusieurs avantages par rapport aux polytypes hexagonaux comme le 4H-SiC et le 6H-SiC. L'un des principaux avantages du 3C-SiC est sonmobilité électronique plus élevée, ce qui le rend idéal pour les applications haute fréquence et l'électronique de puissance où une commutation rapide et une faible perte d'énergie sont essentielles. De plus, les plaquettes SiC 3C-N ont unbande interdite inférieure(environ 2,36 eV), ce qui leur permet toujours de gérer efficacement des puissances et des tensions élevées.
Ces plaquettes sont disponibles dans des tailles standard telles que5x5mmet10x10mm, avec unépaisseur de 350 μm ± 25 μm, garantissant une compatibilité précise pour divers processus de fabrication de dispositifs. Ils sont bien adaptés à une utilisation danshaute puissanceetappareils à haute fréquence, tels que les MOSFET, les diodes Schottky et d'autres composants semi-conducteurs, offrant des performances fiables dans des conditions extrêmes.
Leconductivité thermiquedes plaquettes SiC 3C-N permettent une dissipation efficace de la chaleur, une caractéristique cruciale pour les dispositifs fonctionnant à des densités de puissance élevées. De plus, leur résistance mécanique et leur résistance aux contraintes thermiques et chimiques les rendent durables dans des environnements difficiles, améliorant encore leur application dansélectronique de puissance,Technologies de réalité augmentée, etcapteurs haute température.
En résumé, les plaquettes SiC de type 3C-N combinent des caractéristiques électroniques, thermiques et mécaniques supérieures, ce qui les rend essentielles pour les dispositifs électroniques de nouvelle génération et les applications hautes performances.
Photos des plaquettes de carbure de silicium de type 3C-N
Propriétés des plaquettes de carbure de silicium de type 3C-N
Structure cristalline :
Structure polytype cubique (3C), offrant une mobilité électronique plus élevée par rapport aux polytypes hexagonaux SiC comme 4H-SiC et 6H-SiC, ce qui la rend adaptée aux applications haute fréquence.
Options de taille :
Disponible en dimensions 5x5 mm et 10x10 mm, offrant une flexibilité pour diverses applications.
Épaisseur:
Épaisseur contrôlée avec précision de 350 μm ± 25 μm, garantissant la stabilité mécanique et la compatibilité avec une large gamme de processus de fabrication.
Mobilité électronique élevée :
La structure cristalline cubique améliore le transport des électrons, ce qui la rend avantageuse pour les applications à grande vitesse et à faible perte d'énergie dans l'électronique de puissance et les dispositifs RF.
Conductivité thermique :
L'excellente conductivité thermique permet une dissipation efficace de la chaleur, essentielle pour les appareils fonctionnant à des densités de puissance élevées, contribuant ainsi à prévenir la surchauffe et à augmenter la longévité des appareils.
Bande interdite :
Une bande interdite inférieure d'environ 2,36 eV, adaptée aux applications haute tension et haute puissance tout en maintenant un fonctionnement efficace dans des environnements extrêmes.
Résistance mécanique :
Les plaquettes SiC 3C-N présentent une durabilité mécanique élevée, offrant une résistance à l'usure et à la déformation, garantissant une fiabilité à long terme dans des conditions difficiles.
Transparence optique :
Bonnes propriétés optiques, notamment pour les applications optoélectroniques telles que les LED et les photodétecteurs, grâce à sa transparence à certaines longueurs d'onde.
Stabilité chimique et thermique :
Très résistant aux contraintes thermiques et chimiques, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des environnements extrêmes tels que les appareils électroniques et les capteurs à haute température.
Ces propriétés rendent les plaquettes SiC 3C-N idéales pour un large éventail d'applications avancées, notamment l'électronique de puissance, les dispositifs haute fréquence, l'optoélectronique et les capteurs.
Tableau de données des plaquettes de carbure de silicium de type 3C-N
晶格领域 2 英寸 SiC 晶片产品标准
2 pouces de diamètre SiliciumSubstrat en carbure (SiC) Spécification
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等级 Note |
工业级 Qualité de production (Note P) |
研究级 Niveau de recherche (Catégorie R) |
photo Qualité factice (catégorie D) |
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| 直径 Diamètre | 50,8 mm ± 0,38 mm | |||||
| 厚度 Épaisseur | 350 μm±25 μm | |||||
| Lire la suite Orientation des plaquettes | Hors axe : 2,0°-4,0°vers [112 | 0] ± 0,5° pour 4H/6H-P, Sur axe :〈111〉± 0,5° pour 3C-N | ||||
| 微管密度 Densité des microtuyaux | 0 cm-2 | |||||
| 电阻率 ※Résistivité | 4H/6H-P | ≤0,1 Ω.cm | ||||
| 3C-N | ≤0,8 mΩ•cm | |||||
| 主定位边方向 Orientation plate principale | 4H/6H-P | {10-10} ±5,0° | ||||
| 3C-N | {1-10} ±5,0° | |||||
| 主定位边长度 Longueur plate primaire | 15,9 mm ±1,7 mm | |||||
| Longueur plate secondaire | 8,0 mm ±1,7 mm | |||||
| Orientation plate secondaire | Silicium face vers le haut : 90° CW. à partir du premier plat ±5,0° | |||||
| Exclusion de bord | 3 mm | 3 mm | ||||
| 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | |||||
| 表面粗糙度※ Rugosité | Polonais Ra≤1 nm | |||||
| CMP Ra≤0,2 nm | ||||||
| Fissures de bord causées par une lumière à haute intensité | Aucun | 1 autorisé, ≤1 mm | ||||
| 六方空洞(强光灯观测) ※ Plaques hexagonales par lumière à haute intensité | Superficie cumulée≤1 % | Superficie cumulée≤3 % | ||||
| 多型(强光灯观测) ※ Zones polytypiques par lumière de haute intensité | Aucun | Superficie cumulée≤2 % | Superficie cumulée≤5 % | |||
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Si 面划痕(强光灯观测)# La surface du silicium est rayée par une lumière de haute intensité |
3 rayures sur 1 × plaquette diamètre longueur cumulée |
5 rayures sur 1 × plaquette diamètre longueur cumulée |
8 rayures sur 1 × longueur cumulée du diamètre de la plaquette | |||
| 崩边(强光灯观测) Edge Chips haute par intensité lumineuse lumière | Aucun | 3 autorisés, ≤0,5 mm chacun | 5 autorisés, ≤1 mm chacun | |||
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硅面污染物(强光灯观测) Contamination de la surface du silicium par haute intensité |
Aucun | |||||
| 包装 Emballage | Cassette multi-gaufrettes ou conteneur de plaquettes simples | |||||
Remarques :
※Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion des bords. # Les rayures doivent être vérifiées uniquement sur la face Si.
Applications des plaquettes de carbure de silicium de type 3C-N
Applications des plaquettes de carbure de silicium (SiC) de type 3C-N dans l'industrie des semi-conducteurs et de la microélectronique
Les plaquettes de carbure de silicium de type 3C-N jouent un rôle crucial dans les industries des semi-conducteurs et de la microélectronique, offrant des propriétés uniques qui améliorent les performances et l'efficacité de divers dispositifs.
Électronique de puissance:
En électronique de puissance, les plaquettes SiC 3C-N sont largement utilisées dans les dispositifs haute puissance tels queMOSFET,Diodes Schottky, ettransistor de puissance. Leur conductivité thermique élevée et leur mobilité électronique permettent à ces dispositifs de fonctionner efficacement à des tensions et des températures élevées tout en minimisant les pertes d'énergie. Cela rend le SiC 3C-N idéal pour une utilisation danssystèmes de conversion de puissance,véhicules électriques (VE), etsystèmes d'énergie renouvelable, où une gestion efficace de l’énergie est cruciale.
Appareils haute fréquence:
L'excellente mobilité électronique des plaquettes SiC 3C-N les rend adaptées àfréquence radio (RF)etapplications micro-ondes, tel queamplificateurs,oscillateurs, etfiltres. Ces plaquettes permettent aux appareils de fonctionner à des fréquences plus élevées avec une perte de signal moindre, améliorant ainsi les performances des systèmes de communication sans fil, de la technologie satellite et des systèmes radar.
Electronique haute température:
Les plaquettes SiC 3C-N sont également utilisées dans les dispositifs à semi-conducteurs qui fonctionnent dans des environnements extrêmes, tels quecapteurs haute températureetactionneurs. La résistance mécanique, la stabilité chimique et la résistance thermique du matériau permettent à ces dispositifs de fonctionner de manière fiable dans des secteurs tels que l'aérospatiale, l'automobile, le pétrole et le gaz, où les dispositifs doivent résister à des conditions de fonctionnement difficiles.
Systèmes microélectromécaniques (MEMS):
Dans l'industrie microélectronique, les plaquettes SiC 3C-N sont utilisées dansAppareils MEMS, qui nécessitent des matériaux à haute résistance mécanique et stabilité thermique. Ces appareils comprennentcapteurs de pression,accéléromètres, etgyroscopes, qui bénéficient de la durabilité et des performances du SiC sous différentes températures et contraintes mécaniques.
Optoélectronique:
Les plaquettes SiC 3C-N sont également utilisées dansLED,photodétecteurs, et d'autres dispositifs optoélectroniques en raison de leur transparence optique et de leur capacité à gérer une puissance élevée, offrant des capacités efficaces d'émission de lumière et de détection.
En résumé, les plaquettes SiC de type 3C-N sont essentielles dans les industries des semi-conducteurs et de la microélectronique, en particulier dans les applications nécessitant des performances, une durabilité et une efficacité élevées dans des conditions extrêmes.