Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED
Détails sur le produit:
Place of Origin: | China |
Nom de marque: | ZMSH |
Model Number: | Silicon Carbide |
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: | 1 |
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Delivery Time: | 2 weeks |
Payment Terms: | 100%T/T |
Détail Infomation |
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Exclusion de bord: | ≤ 50 μm | Matériel: | Carbure de silicium |
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Arc/chaîne: | ≤ 50 μm | Roughness de la surface: | ≤1.2nm |
Plateur: | Lambda/10 | Grade: | Simulacre de recherches de production |
orientation: | Sur-axe/en dehors de l'axe | Particule: | Particule libre/basse |
Mettre en évidence: | Wafer au carbure de silicium de qualité supérieure,Une gaufre en carbure de silicium de 4 pouces.,Wafer à carbure de silicium à LED RF |
Description de produit
Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED
Description de la plaque SiC 3C-N:
Nous pouvons offrir des gaufres en carbure de silicium 3C-N de 4 pouces avec des substrats en SiC de type N.Il a une structure cristalline de carbure de silicium où les atomes de silicium et de carbone sont disposés dans un réseau cubique avec une structure de diamantIl possède plusieurs propriétés supérieures à celles du 4H-SiC largement utilisé, telles qu'une mobilité électronique plus élevée et une vitesse de saturation.et plus facile à fabriquer que la gaufre 4H-SiC courante actuellementIl est particulièrement adapté aux appareils électroniques de puissance.
Les caractéristiques de la gaufre 3C-N SiC:
1Une large bande.
Voltage de rupture élevé: les plaquettes SiC 3C-N ont une large bande passante (~ 3,0 eV), ce qui permet un fonctionnement à haute tension et les rend appropriées pour l'électronique de puissance.
2. Haute conductivité thermique
Dissipation thermique efficace: Avec une conductivité thermique d'environ 3,0 W/cm·K, ces plaquettes peuvent dissiper efficacement la chaleur, permettant aux appareils de fonctionner à des niveaux de puissance plus élevés sans surchauffe.
3Mobilité élevée des électrons
Performance améliorée: la grande mobilité des électrons (~ 1000 cm2/V·s) conduit à des vitesses de commutation plus rapides, ce qui rend le 3C-N SiC idéal pour les applications à haute fréquence.
4Résistance mécanique
Durabilité: les plaquettes 3C-N SiC présentent d'excellentes propriétés mécaniques, notamment une dureté et une résistance élevée à l'usure, ce qui améliore leur fiabilité dans diverses applications.
5Stabilité chimique
Résistance à la corrosion: le matériau est chimiquement stable et résistant à l'oxydation, ce qui le rend adapté aux environnements difficiles.
6. courants de fuite faibles
Efficacité: le faible courant de fuite dans les appareils fabriqués à partir de plaquettes SiC 3C-N contribue à une efficacité améliorée dans l'électronique de puissance.
Forme de gaufre SiC 3C-N:
Grade | Grade de production | Grade de factice |
Diamètre | 100 mm +/- 0,5 mm | |
Épaisseur | 350 mm +/- 25 mm | |
Polytypes | 3C | |
Densité des micropipes (MPD) | 5 cm à 2 | 30 cm-2 |
Résistance électrique | 00,0005 à 0,001 Ohm.cm | 00,001 à 0,0015 Ohm.cm |
Comparaison des propriétés du SiC:
Les biens immobiliers | Cristaux simples 4H-SiC | Cristaux simples 3C-SiC |
Paramètres de la grille (Å) |
A est égal à 3.076 c est égal à 10.053 |
a est égal à 4.36 |
Séquence d'empilement | Le code ABC | Le code ABC |
Densité (g/cm3) | 3.21 | 3.166 |
Dureté de Mohs | - 9 ans.2 | - 9 ans.2 |
Coefficient de dilatation thermique (CTE) (/K) | 4 à 5 x 10 à 6 | 2.5-3.5 x10-6 |
Constante diélectrique | c ~ 9.66 | c ~ 9.72 |
Type de dopage | Type N ou semi-isolateur ou type P | Type N |
Le débit de la bande (eV) | 3.23 | 2.4 |
Vitesse de dérive de saturation (m/s) | 2.0 x 105 | 2.5 x 105 |
Tailles des plaquettes et des substrats | Wafers: 2, 4 pouces; sous-produits plus petits: 10x10, 20x20 mm, d'autres tailles sont disponibles et peuvent être fabriquées sur demande |
Photo physique de la gaufre SiC 3C-N:
Applications de la gaufre SiC 3C-N:
1électronique
Dispositifs à haute puissance: utilisés dans les MOSFET et les IGBT de puissance en raison de leur haute tension de rupture et de leur conductivité thermique.
Appareils de commutation: idéaux pour les applications nécessitant une efficacité élevée, telles que les convertisseurs et les onduleurs CC-DC.
2. Appareils RF et micro-ondes
Transistors à haute fréquence: utilisés dans les amplificateurs RF et les appareils à micro-ondes, bénéficiant d'une grande mobilité électronique.
Systèmes de radar et de communication: utilisés dans les communications par satellite et la technologie radar pour une meilleure performance.
3. Technologie LED
LED bleues et ultraviolettes: le 3C-SiC peut être utilisé dans la production de diodes électroluminescentes, en particulier pour les applications de lumière bleue et UV.
4Applications à haute température
Capteurs: Convient pour les capteurs à haute température utilisés dans les applications automobiles et industrielles.
Aérospatiale: utilisé dans les composants qui doivent fonctionner efficacement dans des environnements extrêmes.
Figure d'application de la gaufre 3C-N SiC:
Emballage et expédition de gaufres SiC 3C-N:
Personnalisé:
Des produits en cristal SiC personnalisés peuvent être fabriqués pour répondre aux exigences et spécifications particulières du client.
Recommandation du produit:
1.2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Sic Wafer 4H-N/Semi Type
2.6 pouces de Wafer SiC 4H/6H-P