Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED

Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED

Description de la plaque SiC 3C-N:

Nous pouvons offrir des gaufres en carbure de silicium 3C-N de 4 pouces avec des substrats en SiC de type N.Il a une structure cristalline de carbure de silicium où les atomes de silicium et de carbone sont disposés dans un réseau cubique avec une structure de diamantIl possède plusieurs propriétés supérieures à celles du 4H-SiC largement utilisé, telles qu'une mobilité électronique plus élevée et une vitesse de saturation.et plus facile à fabriquer que la gaufre 4H-SiC courante actuellementIl est particulièrement adapté aux appareils électroniques de puissance.

Les caractéristiques de la gaufre 3C-N SiC:

1Une large bande.
Voltage de rupture élevé: les plaquettes SiC 3C-N ont une large bande passante (~ 3,0 eV), ce qui permet un fonctionnement à haute tension et les rend appropriées pour l'électronique de puissance.
2. Haute conductivité thermique
Dissipation thermique efficace: Avec une conductivité thermique d'environ 3,0 W/cm·K, ces plaquettes peuvent dissiper efficacement la chaleur, permettant aux appareils de fonctionner à des niveaux de puissance plus élevés sans surchauffe.
3Mobilité élevée des électrons
Performance améliorée: la grande mobilité des électrons (~ 1000 cm2/V·s) conduit à des vitesses de commutation plus rapides, ce qui rend le 3C-N SiC idéal pour les applications à haute fréquence.
4Résistance mécanique
Durabilité: les plaquettes 3C-N SiC présentent d'excellentes propriétés mécaniques, notamment une dureté et une résistance élevée à l'usure, ce qui améliore leur fiabilité dans diverses applications.
5Stabilité chimique
Résistance à la corrosion: le matériau est chimiquement stable et résistant à l'oxydation, ce qui le rend adapté aux environnements difficiles.
6. courants de fuite faibles
Efficacité: le faible courant de fuite dans les appareils fabriqués à partir de plaquettes SiC 3C-N contribue à une efficacité améliorée dans l'électronique de puissance.

Forme de gaufre SiC 3C-N:

Comparaison des propriétés du SiC:

Photo physique de la gaufre SiC 3C-N:

Applications de la gaufre SiC 3C-N:

1électronique
Dispositifs à haute puissance: utilisés dans les MOSFET et les IGBT de puissance en raison de leur haute tension de rupture et de leur conductivité thermique.
Appareils de commutation: idéaux pour les applications nécessitant une efficacité élevée, telles que les convertisseurs et les onduleurs CC-DC.
2. Appareils RF et micro-ondes
Transistors à haute fréquence: utilisés dans les amplificateurs RF et les appareils à micro-ondes, bénéficiant d'une grande mobilité électronique.
Systèmes de radar et de communication: utilisés dans les communications par satellite et la technologie radar pour une meilleure performance.
3. Technologie LED
LED bleues et ultraviolettes: le 3C-SiC peut être utilisé dans la production de diodes électroluminescentes, en particulier pour les applications de lumière bleue et UV.
4Applications à haute température
Capteurs: Convient pour les capteurs à haute température utilisés dans les applications automobiles et industrielles.
Aérospatiale: utilisé dans les composants qui doivent fonctionner efficacement dans des environnements extrêmes.

Figure d'application de la gaufre 3C-N SiC:

Emballage et expédition de gaufres SiC 3C-N:

Personnalisé:

Des produits en cristal SiC personnalisés peuvent être fabriqués pour répondre aux exigences et spécifications particulières du client.

Recommandation du produit:

1.2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Sic Wafer 4H-N/Semi Type

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