• Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED
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Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED

Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED

Détails sur le produit:

Place of Origin: China
Nom de marque: ZMSH
Model Number: Silicon Carbide

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Delivery Time: 2 weeks
Payment Terms: 100%T/T
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Exclusion de bord: ≤ 50 μm Matériel: Carbure de silicium
Arc/chaîne: ≤ 50 μm Roughness de la surface: ≤1.2nm
Plateur: Lambda/10 Grade: Simulacre de recherches de production
orientation: Sur-axe/en dehors de l'axe Particule: Particule libre/basse
Mettre en évidence:

Wafer au carbure de silicium de qualité supérieure

,

Une gaufre en carbure de silicium de 4 pouces.

,

Wafer à carbure de silicium à LED RF

Description de produit

Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED

Description de la plaque SiC 3C-N:

Nous pouvons offrir des gaufres en carbure de silicium 3C-N de 4 pouces avec des substrats en SiC de type N.Il a une structure cristalline de carbure de silicium où les atomes de silicium et de carbone sont disposés dans un réseau cubique avec une structure de diamantIl possède plusieurs propriétés supérieures à celles du 4H-SiC largement utilisé, telles qu'une mobilité électronique plus élevée et une vitesse de saturation.et plus facile à fabriquer que la gaufre 4H-SiC courante actuellementIl est particulièrement adapté aux appareils électroniques de puissance.

 

Les caractéristiques de la gaufre 3C-N SiC:

 

1Une large bande.
Voltage de rupture élevé: les plaquettes SiC 3C-N ont une large bande passante (~ 3,0 eV), ce qui permet un fonctionnement à haute tension et les rend appropriées pour l'électronique de puissance.
2. Haute conductivité thermique
Dissipation thermique efficace: Avec une conductivité thermique d'environ 3,0 W/cm·K, ces plaquettes peuvent dissiper efficacement la chaleur, permettant aux appareils de fonctionner à des niveaux de puissance plus élevés sans surchauffe.
3Mobilité élevée des électrons
Performance améliorée: la grande mobilité des électrons (~ 1000 cm2/V·s) conduit à des vitesses de commutation plus rapides, ce qui rend le 3C-N SiC idéal pour les applications à haute fréquence.
4Résistance mécanique
Durabilité: les plaquettes 3C-N SiC présentent d'excellentes propriétés mécaniques, notamment une dureté et une résistance élevée à l'usure, ce qui améliore leur fiabilité dans diverses applications.
5Stabilité chimique
Résistance à la corrosion: le matériau est chimiquement stable et résistant à l'oxydation, ce qui le rend adapté aux environnements difficiles.
6. courants de fuite faibles
Efficacité: le faible courant de fuite dans les appareils fabriqués à partir de plaquettes SiC 3C-N contribue à une efficacité améliorée dans l'électronique de puissance.

Forme de gaufre SiC 3C-N:

 

Grade Grade de production Grade de factice
Diamètre 100 mm +/- 0,5 mm
Épaisseur 350 mm +/- 25 mm
Polytypes 3C
Densité des micropipes (MPD) 5 cm à 2 30 cm-2
Résistance électrique 00,0005 à 0,001 Ohm.cm 00,001 à 0,0015 Ohm.cm

 

Comparaison des propriétés du SiC:

 

Les biens immobiliers Cristaux simples 4H-SiC Cristaux simples 3C-SiC
Paramètres de la grille (Å)

A est égal à 3.076

c est égal à 10.053

a est égal à 4.36
Séquence d'empilement Le code ABC Le code ABC
Densité (g/cm3) 3.21 3.166
Dureté de Mohs - 9 ans.2 - 9 ans.2
Coefficient de dilatation thermique (CTE) (/K) 4 à 5 x 10 à 6 2.5-3.5 x10-6
Constante diélectrique c ~ 9.66 c ~ 9.72
Type de dopage Type N ou semi-isolateur ou type P Type N
Le débit de la bande (eV) 3.23 2.4
Vitesse de dérive de saturation (m/s) 2.0 x 105 2.5 x 105
Tailles des plaquettes et des substrats Wafers: 2, 4 pouces; sous-produits plus petits: 10x10, 20x20 mm, d'autres tailles sont disponibles et peuvent être fabriquées sur demande

Photo physique de la gaufre SiC 3C-N:

Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED 0Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED 1

 

 

 

 

 

 

 

Applications de la gaufre SiC 3C-N:

1électronique
Dispositifs à haute puissance: utilisés dans les MOSFET et les IGBT de puissance en raison de leur haute tension de rupture et de leur conductivité thermique.
Appareils de commutation: idéaux pour les applications nécessitant une efficacité élevée, telles que les convertisseurs et les onduleurs CC-DC.
2. Appareils RF et micro-ondes
Transistors à haute fréquence: utilisés dans les amplificateurs RF et les appareils à micro-ondes, bénéficiant d'une grande mobilité électronique.
Systèmes de radar et de communication: utilisés dans les communications par satellite et la technologie radar pour une meilleure performance.
3. Technologie LED
LED bleues et ultraviolettes: le 3C-SiC peut être utilisé dans la production de diodes électroluminescentes, en particulier pour les applications de lumière bleue et UV.
4Applications à haute température
Capteurs: Convient pour les capteurs à haute température utilisés dans les applications automobiles et industrielles.
Aérospatiale: utilisé dans les composants qui doivent fonctionner efficacement dans des environnements extrêmes.

Figure d'application de la gaufre 3C-N SiC:

Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED 2

Emballage et expédition de gaufres SiC 3C-N:

Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED 3

Personnalisé:

Des produits en cristal SiC personnalisés peuvent être fabriqués pour répondre aux exigences et spécifications particulières du client.

Recommandation du produit:

1.2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Sic Wafer 4H-N/Semi Type

 

 

Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED 4

 

2.6 pouces de Wafer SiC 4H/6H-P

 

Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED 5

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à Wafer 3C-N SiC de 4 pouces de carbure de silicium de qualité primaire de qualité factice Mobilité électronique élevée RF LED pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
Dans l'attente de votre réponse.