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Substrate N-GaAs épaisseur 6 pouces 350um Pour l'utilisation de VCSEL OptiWave VCSEL EpiWafer
Détails sur le produit:
| Place of Origin: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
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Détail Infomation |
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| Cavity mode Tolerance: | Within ± 3% | Cavity mode Uniformity: | <= 1% |
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| Doping level tolerance: | Within ± 30% | Doping level Uniformity: | <= 10% |
| PL Uniformité de la longueur d'onde: | Std. Dev est meilleur que 2nm @inner 140mm | Uniformité d'épaisseur: | Meilleur que ± 3% @intérieur 140 mm |
| Mole fraction x tolerance: | Within ±0.03 | Mole fraction x Uniformity: | <= 0.03 |
| Mettre en évidence: | Substrate de N-GaAs de 350um VCSEL,Substrate à base de N-GaAs 350um,6 pouces de substrat N-GaAs |
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Description de produit
Substrate N-GaAs épaisseur 6 pouces 350um pour l'utilisation de VCSEL
Résumé du substrat du VCSEL epiWafer N-GaAs
LeEpiWafer VCSEL sur un substrat de N-GaAsest conçu pour des applications optiques hautes performances, en particulier pourÉthernet Gigabitetcommunication par liaison numérique de donnéesConstruit sur une plaque de 6 pouces, il dispose d'unune gamme laser à haute uniformitéet prend en charge les longueurs d'onde optiques du centre de850 nmet940 nmLa structure est disponible dans les deuxcontenus dans l'oxydeouImplantation de protons VCSELLa plaque est optimisée pour les applications nécessitant desfaible dépendance des caractéristiques électriques et optiques par rapport à la température, ce qui le rend idéal pour une utilisation danssouris laser,communication optique, et autres environnements sensibles à la température.
Structure du substrat du VCSEL epiWafer N-GaAs
Photo du substrat de l'épi-Wafer N-GaAs du VCSEL
Fiche de données du substrat du VCSEL epiWafer N-GaAsLes données relatives à l'équipement doivent être transmises à l'organisme de surveillance.
Propriétés du substrat du VCSEL epiWafer N-GaAs
LeEpiWafer VCSEL sur un substrat de N-GaAspossède plusieurs propriétés clés qui le rendent adapté aux applications optiques hautes performances:
Substrate de N-GaAs:
- Il fournit une excellenteconductivité électriqueet sert de base stable pour la croissance épitaxielle des structures VCSEL.
- Offresfaible densité de défauts, ce qui est crucial pour un fonctionnement fiable et performant de l'appareil.
Tonabilité par longueur d'onde:
- Soutenir850 nmet940 nmIl s'agit d'un appareil qui permet d'utiliser les longueurs d'onde optiques du centre, ce qui le rend idéal pour des applications danscommunication optiqueetDétection 3D.
Array laser à haute homogénéité:
- Assure des performances cohérentes sur l'ensemble de la plaque, ce qui est crucial pour les appareils basés sur des tableauxcentres de donnéesetréseaux à fibre optique.
Implantation à oxyde ou proton:
- Disponible encontenus dans l'oxydeouImplant de protonStructures VCSEL, offrant une flexibilité de conception pour optimiser les performances pour des applications spécifiques.
Stabilité thermique:
- Conçus pour l'expositionfaible dépendance aux caractéristiques électriques et optiques sur une large plage de températures, assurant un fonctionnement stable dans des environnements sensibles à la température.
Haute puissance et vitesse:
- La structure de la gaufre soutienttransmission de données à grande vitesseetfonctionnement à haute puissance, ce qui le rend adapté pourÉthernet Gigabit,communication de données, etLIDARles systèmes.
Évolutivité:
- Le format de gaufre de 6 pouces permet deproduction rentable, qui soutient la fabrication à grande échelle et l'intégration dans divers systèmes optiques.
Ces propriétés rendent l'epiWafer VCSEL sur substrat N-GaAs idéal pour les applications nécessitant une efficacité élevée, une stabilité thermique et des performances fiables.