largeur de bande du substrat N-InP 02:2Wavelength.5G 1270nm epi wafer pour une diode laser FP

Largeur de bande du substrat N-InP 02:2Wavelength.5G 1270nm epi wafer pour une diode laser FP

Résumé du substrat N-InP FP Epiwafer

Notre N-InP Substrate FP Epiwafer est une plaque épitaxielle haute performance conçue pour la fabrication de diodes laser Fabry-Pérot (FP), spécialement optimisée pour les applications de communication optique.Cet Epiwafer est équipé d'un substrat de phosphure d'indium de type N (N-InP), un matériau réputé pour ses excellentes propriétés électroniques et optoélectroniques, ce qui le rend idéal pour les appareils à haute vitesse et à haute fréquence.

L'Epiwafer est conçu pour produire des diodes laser fonctionnant à une longueur d'onde de 1270 nm,qui est une longueur d'onde critique pour les systèmes de multiplexage par division de longueur d'onde grossière (CWDM) dans les communications par fibre optiqueLe contrôle précis de la composition et de l'épaisseur de la couche épitaxielle assure des performances optimales, la diode laser FP pouvant atteindre une bande passante opérationnelle allant jusqu'à 2,5 GHz.Cette bande passante rend l'appareil bien adapté pour la transmission de données à grande vitesse, pour les applications qui exigent une communication rapide et fiable.

La structure de cavité Fabry-Pérot (FP) de la diode laser, facilitée par les couches épitaxiennes de haute qualité sur le substrat InP,assure la production de lumière cohérente avec un bruit minimal et une efficacité élevéeCet Epiwafer est conçu pour offrir des performances fiables et cohérentes, ce qui en fait un excellent choix pour les fabricants qui souhaitent produire des diodes laser de pointe pour les télécommunications,centres de données, et autres environnements de réseautage à haute vitesse.

En résumé, notre N-InP Substrate FP Epiwafer est un composant essentiel pour les systèmes de communication optique avancés, offrant d'excellentes propriétés de matériau, une cible de longueur d'onde précise,et une large bande passante opérationnelleIl fournit une base solide pour la production de diodes laser FP qui répondent aux exigences strictes des réseaux de communication modernes à grande vitesse.

Propriétés du substrat N-InP FP Epiwafer

The N-InP Substrate FP Epiwafer is characterized by a set of specialized properties that make it an ideal choice for the fabrication of Fabry-Pérot (FP) laser diodes used in high-performance optical communication systemsVoici les principales propriétés de cet Epiwafer:

1. Matériau du substrat:

   • Le type: Phosphure d'indium de type N (N-InP)
   • Propriétés: Mobilité électronique élevée, faible résistivité et excellente conductivité thermique, ce qui la rend adaptée aux applications électroniques et optoélectroniques à grande vitesse.

1. Couche épitaxienne:

   • Technique de croissance: Les couches épitaxiales sont cultivées sur le substrat N-InP à l'aide de techniques telles que la déposition chimique par vapeur organique-métallique (MOCVD) ou l'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE).
   • Composition de la couche: contrôle précis de la concentration de dopage et de la composition du matériau pour obtenir les propriétés électroniques et optiques souhaitées.

2. Longueur d'onde:

   • Longueur d'onde cible: 1270 nm
   • Application du projet: Idéal pour le multiplexage par division de longueur d'onde grossière (CWDM) dans les systèmes de communication par fibre optique.

3. Largeur de bande:

   • Largeur de bande opérationnelle: jusqu'à 2,5 GHz
   • Résultats: Convient pour la transmission de données à grande vitesse, assurant des performances fiables dans les télécommunications et les réseaux de données.

4. Cavité de Fabry-Pérot:

   • La structure: L'Epiwafer favorise la formation d'une cavité de Fabry-Pérot, essentielle pour générer une lumière cohérente à haut rendement.
   • Propriétés du laser: Produit des diodes laser avec un bruit minimal, une émission de longueur d'onde stable et une puissance de sortie élevée.

5. Qualité de la surface:

   • Polissage: La surface du substrat est très polie pour minimiser les défauts, assurant une couche épitaxienne de haute qualité avec des dislocations minimales.

6. Propriétés thermiques:

   • Dissipation de la chaleur: L'excellente conductivité thermique du substrat N-InP favorise une dissipation thermique efficace, essentielle pour maintenir les performances et la longévité des diodes laser.

7. Adaptation à l'application:

   • Dispositifs cibles: Conçu pour les diodes laser FP utilisées dans les systèmes de communication optique, les centres de données et autres environnements de réseautage à haute vitesse.

Ces propriétés contribuent collectivement à la capacité de l'Epiwafer à soutenir la production de diodes laser FP de haute qualité,répondre aux exigences rigoureuses des technologies de communication optique modernes.

Applications du substrat N-InP FP Epiwafer

L'épi-wafer FP à substrat N-InP est un composant essentiel dans le développement de dispositifs optoélectroniques avancés, en particulier des diodes laser Fabry-Pérot (FP).Ses propriétés le rendent adapté à un large éventail d'applications dans la communication à grande vitesse et les domaines connexesVoici les principales applications:

1. Systèmes de communication optique:

   • Transmission par fibre optique: L'Epiwafer est idéal pour la fabrication de diodes laser FP fonctionnant à la longueur d'onde de 1270 nm, couramment utilisées dans les systèmes de multiplexage par division de longueur d'onde grossière (CWDM).Ces systèmes reposent sur un contrôle précis de la longueur d'onde pour transmettre plusieurs canaux de données sur une seule fibre, augmentant la bande passante sans avoir besoin de fibres supplémentaires.
   • Liens de données à grande vitesse: la plaque prend en charge des diodes laser d'une bande passante opérationnelle allant jusqu'à 2,5 GHz, ce qui la rend adaptée aux applications de transmission de données à grande vitesse,y compris les réseaux métropolitains (MAN) et les réseaux optiques longue distance.

2. Centres de données:

   • Interconnexions: Les diodes laser FP fabriquées à partir de cet Epiwafer sont utilisées dans les interconnexions optiques au sein des centres de données, où une communication à grande vitesse et à faible latence est cruciale.Ces lasers assurent un transfert de données efficace entre les serveurs., des systèmes de stockage et des équipements de réseautage.
   • Infrastructure de calcul en nuage: Les services cloud exigeant des débits de données toujours plus élevés, les diodes laser FP aident à maintenir les performances et la fiabilité des réseaux de centres de données,environnements informatiques distribués.

3. Les télécommunications:

   • Réseaux 5G: L'Epiwafer est utilisé dans la production de diodes laser pour les infrastructures de télécommunications 5G, où des débits de données élevés et des connexions fiables sont nécessaires.Les diodes laser FP fournissent les signaux optiques nécessaires à la transmission de données à travers le réseau de 5G.
   • FTTx (Fibre au x): Cette technologie consiste à déployer des réseaux de fibres optiques plus près des utilisateurs finaux (maison, entreprises) et les diodes laser FP sont des composants clés des émetteurs optiques utilisés dans les systèmes FTTx.

4. Équipement d'essai et de mesure:

   • Analyseurs de spectre optique: Les diodes laser FP produites à partir de cet Epiwafer sont utilisées dans les analyseurs de spectre optique, qui sont des outils essentiels pour tester et mesurer les performances des systèmes de communication optique.
   • Tomographie de cohérence optique (TOC): Dans l'imagerie médicale, en particulier dans les systèmes OCT, les diodes laser FP offrent la source lumineuse nécessaire à l'imagerie à haute résolution des tissus biologiques.

5. Détection et métrologie:

   • Capteurs optiques: La précision et la stabilité des diodes laser FP les rendent adaptées à l'utilisation dans les capteurs optiques pour la surveillance de l'environnement, le contrôle des processus industriels et les applications biomédicales.
   • Distance et systèmes de positionnement: Les diodes laser FP sont également utilisées dans les systèmes qui nécessitent des mesures précises de la distance, comme le LIDAR (Light Detection and Ranging) et d'autres technologies de positionnement.

La polyvalence et les caractéristiques de haute performance de l'Epiwafer N-InP Substrate FP en font une pierre angulaire pour une large gamme de technologies de pointe dans les communications optiques, les centres de données,les télécommunications, et au-delà.

Les photos du substrat N-InP FP Epiwafer