 |
2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 12 pouces Wafer Si Wafer de silicium Polissage sans tampon type P type N type semi-conducteur
Détails sur le produit:
| Place of Origin: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | GAUFRETTE DE SI |
|
Détail Infomation |
|||
| orientation: | Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la valeur de l'énergie utilisée. | Résistance: | 1 à 10 ohms-cm (ou selon les spécifications) |
|---|---|---|---|
| TTV: | ≤ 2 μm | Faites une fleur.: | ≤ 40 μm |
| La distorsion.: | ≤ 40 μm | Nombre de particules: | ≤ 50 @ ≥ 0,12 μm |
| VTT: | ≤ 1 μm (dans une zone de 20 mm x 20 mm) | Le niveau de la couche de couche est le niveau de la couche de couche de couche de couche de couche : | ≤ 0,5 μm (intervalle idéal global de la face arrière) |
| Mettre en évidence: | D'une épaisseur n'excédant pas 1 mm,Wafer en silicone de 12 pouces,Type gaufrette de P de silicium |
||
Description de produit
2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 12 pouces Wafer Si Wafer de silicium Polissage sans tampon type P type N type semi-conducteur
Description de la galette au Si:
Les plaquettes de silicium sont un matériau utilisé pour produire des semi-conducteurs, qui peuvent être trouvés dans tous les types d'appareils électroniques qui améliorent la vie des gens.Le silicium est le deuxième élément le plus commun de l'univers.La plupart des gens ont eu la chance de rencontrer une vraie plaquette de silicium dans leur vie.Ce disque super plat est raffiné jusqu'à une surface miroir.En outre, il est également constitué de subtiles irrégularités de surface qui en font l'objet le plus plat au monde.qualités essentielles pour en faire le matériau de substrat parfait pour les semi-conducteurs modernes.
Le caractère de la gaufre Si:
Module de Young: environ 130-185 GPa, indiquant la rigidité de la plaque de silicium de 300 mm
Dureté à la fracture: Le silicium a une faible dureté à la fracture, ce qui signifie qu'il est sujet à la fissuration sous contrainte.
Conductivité thermique: environ 149 W/m·K à 300 K, ce qui est relativement élevé et bénéfique pour dissiper la chaleur générée dans les appareils électroniques.
Coefficient de dilatation thermique: environ 2,6 x 10^-6 /K, indiquant la dilatation de la gaufre avec les changements de température.
Bande d'écart: Le silicium a un écart de bande indirect d'environ 1,1 eV à température ambiante, ce qui convient à la création d'appareils électroniques tels que les transistors.
Résistivité: varie en fonction du dopage; le silicium intrinsèque a une résistivité élevée (~10^3 Ω·cm), tandis que le silicium dopé peut avoir des résistivités allant de 10^-3 à 10^3 Ω·cm.
Constante diélectrique: environ 11,7 à 1 MHz, ce qui affecte la capacité des appareils fabriqués à partir de silicium.
Stabilité chimique: Le silicium est chimiquement stable et résistant à la plupart des acides et des alcalis à température ambiante, à l'exception de l'acide fluorhydrique (HF).
Oxydation: Le silicium forme une couche d'oxyde native (SiO2) lorsqu'il est exposé à l'oxygène à des températures élevées, qui est utilisé dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs pour les couches isolantes et de protection.
Forme de SiUne gaufre:
| Paramètre ou caractéristique | Définition/spécification |
| Type de matériau | Silicium monocristallin |
| La pureté | 990,9999% (6N) ou plus |
| Diamètre | 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, etc. |
| Épaisseur | Épaisseur standard ou personnalisée selon les exigences du client |
| L'orientation cristalline | Les résultats de l'analyse sont les suivants: |
| Tolérance à l'orientation | ± 0,5° ou plus précis |
| Tolérance à l'épaisseur | d'une précision égale ou supérieure à ± 5 μm |
| Plateur | ≤ 1 μm ou plus |
| Roughness de la surface | < 0,5 nm RMS ou moins |
Des photos physiques de Si Wafer:
Application de la galette de Si:
1Production de puces et fabrication de circuits intégrés
2. MEMS et systèmes microélectromécaniques
3. fabrication de semi-conducteurs et de capteurs
4. L'éclairage LED et la création de diodes laser
5- cellules et plaquettes solaires/photovoltaïques
6. Composants d'équipements optiques
7R & D prototypage et essais
Application des images de la gaufre de Si:
Image de l'emballage du SiUne gaufre:
Personnalisation:
Nous pouvons personnaliser la taille, l'épaisseur et la forme, y compris les aspects suivants:
Orientation cristalline: Les orientations communes pour les plaquettes de silicium de 300 mm comprennent <100>, <110> et <111>, chacune offrant des propriétés électroniques et des avantages différents pour diverses applications.
Dopants: les plaquettes de silicium de 300 mm peuvent être dopées avec des éléments tels que le phosphore (type n), le bore (type p), l'arsenic et l'antimoine pour modifier leurs propriétés électriques.
Concentration de dopage: peut varier considérablement selon l'application,de très faibles concentrations (~10^13 atomes/cm^3) pour les plaquettes à haute résistivité à des concentrations très élevées (~10^20 atomes/cm^3) pour les plaquettes à faible résistivité.
FAQ:
1.Q: À quoi sert une galette en silicium?
R:Dans l'électronique, une wafer (également appelée tranche ou substrat) est une tranche mince de semi-conducteur, tel qu'un silicium cristallin (c-Si, silicium), utilisé pour la fabrication de circuits intégrés et,dans le secteur photovoltaïque, pour la fabrication de cellules solaires.
2Q: Quelle est la différence entre une galette de silicium et une puce?
R: Bien que les puces et les plaquettes soient généralement utilisées de manière interchangeable dans l'électronique, il existe des différences notables entre les deux.L'une des principales différences est qu'une puce ou un circuit intégré est un assemblage d'électronique, tandis qu'une gaufre est une mince tranche de silicium qui est utilisée pour la formation de circuits intégrés.
Recommandation de produit:
1.6 pouces type N Wafer de silicium poli de haute pureté revêtement PVD / CVD
2.8 pouces GaN-sur-Si Epitaxy Si Substrate 110 111 110 pour les réacteurs MOCVD ou les applications d'énergie RF