Substrate carré SIC 5×5 10×10 350um hors axe: 2,0°-4,0° vers le bas

L'abstrait du substrat carré SIC

Les substrats carrés de carbure de silicium (SiC) sont des matériaux essentiels dans les dispositifs semi-conducteurs avancés, en particulier dans les applications à haute puissance et à haute fréquence.tension de rupture élevée, et une large bande passante en font un choix idéal pour l'électronique de puissance de nouvelle génération, en particulier dans des environnements difficiles.La forme carrée de ces substrats facilite une utilisation efficace dans la fabrication des dispositifs et assure la compatibilité avec divers équipements de traitementEn outre, les substrats SiC avec des angles hors axe allant de 2,0° à 4,0° sont largement utilisés pour améliorer la qualité de la couche épitaxielle en réduisant les défauts tels que les micropipes et les dislocations.Ces substrats jouent également un rôle essentiel dans le développement de diodes hautes performancesLa demande pour des systèmes à haut rendement énergétique continue de croître, ce qui permet de réduire les coûts de production et de réduire les coûts de production.Les substrats carrés en SiC offrent des solutions prometteuses dans des secteurs tels que les véhicules électriquesLes recherches en cours portent sur l'optimisation de la production de substrats SiC afin de réduire les coûts et d'améliorer les performances des matériaux.Ce résumé décrit l'importance des substrats carrés SiC et souligne leur rôle dans l'avancement des technologies modernes de semi-conducteurs.

Propriétés du substrat carré SIC

Les propriétés d'un substrat carré de carbure de silicium (SiC) sont essentielles à ses performances dans les applications de semi-conducteurs.

1. Large bande passante (3,26 eV): Le SiC a une bande passante beaucoup plus large que le silicium, ce qui lui permet de fonctionner à des températures, des tensions et des fréquences plus élevées sans dégrader les performances.

2. Conductivité thermique élevée (3,7 W/cm·K): L'excellente conductivité thermique du SiC permet une dissipation thermique efficace, ce qui le rend idéal pour les applications à haute puissance.

3. Champ électrique à haute décomposition (3 MV/cm): Le SiC peut résister à des champs électriques plus élevés que le silicium, ce qui est crucial pour les appareils à haute tension, réduisant le risque de panne et améliorant l'efficacité.

4. Mobilité électronique élevée (950 cm2/V·s): Bien que légèrement inférieur au silicium, le SiC offre toujours une bonne mobilité électronique, permettant des vitesses de commutation plus rapides dans les appareils électroniques.

5. Dureté mécanique: Le SiC est un matériau extrêmement dur avec une dureté de Mohs d'environ 9.5, ce qui le rend hautement résistant à l'usure et capable de maintenir l'intégrité structurelle dans des conditions extrêmes.

6. Stabilité chimique: Le SiC est chimiquement inerte, résistant à l'oxydation et à la corrosion, ce qui le rend adapté à des conditions chimiques et environnementales difficiles.

7. Angle hors axe: De nombreux substrats SiC ont une coupe hors axe (par exemple, 2,0°-4,0°) pour améliorer la croissance de la couche épitaxielle, réduisant les défauts tels que les micropipes et les dislocations dans la structure cristalline.

8. Faible densité de défauts: Les substrats SiC de haute qualité présentent une faible densité de défauts cristallins, ce qui améliore les performances et la fiabilité des appareils électroniques.

Ces propriétés rendent les substrats carrés de SiC idéaux pour des applications dans l'électronique de puissance, les véhicules électriques, les télécommunications et les systèmes d'énergie renouvelable,où une efficacité et une durabilité élevées sont essentielles.

Les vraies photos du substrat carré SIC

Les applications réelles du substrat carré SIC

Les substrats carrés en carbure de silicium (SiC) ont trouvé des applications réelles dans diverses industries de haute technologie, principalement en raison de leurs propriétés thermiques, électriques et mécaniques exceptionnelles.Certaines des principales applications sont::

1.électronique de puissance:

• Appareils à haute puissance:Les substrats carrés de SiC sont utilisés dans la fabrication de dispositifs de haute puissance tels que les MOSFET, les IGBT et les diodes Schottky.En particulier dans les zones où l'efficacité est élevée, la fiabilité et les performances sont essentielles, comme dans les alimentations industrielles et les onduleurs solaires.
• Véhicules électriques (VE):L'électronique de puissance à base de SiC est de plus en plus utilisée dans les systèmes d'entraînement des véhicules électriques (VE), y compris les chargeurs embarqués, les onduleurs et les composants du groupe motopropulseur.L'amélioration de l'efficacité et la réduction de la production de chaleur permettent de, des systèmes plus compacts avec une meilleure consommation d'énergie.

2.Énergie renouvelable:

• Invertisseurs solairesLes substrats en SiC améliorent les performances des onduleurs solaires en permettant une conversion plus efficace de l'énergie du courant continu au courant alternatif, ce qui est essentiel pour optimiser la production des systèmes d'énergie solaire.
• Turbines éoliennes:Les modules de puissance à base de SiC sont utilisés dans les éoliennes pour gérer la conversion de puissance, assurant un fonctionnement efficace et fiable même dans des conditions de stress élevé.

3.Télécommunications:

• Infrastructure 5G:Les substrats en SiC sont utilisés dans les appareils RF à haute fréquence et haute puissance qui prennent en charge le déploiement de réseaux 5G.Leur capacité à gérer les hautes fréquences sans pertes importantes les rend idéales pour la prochaine génération de systèmes de communication.

4.Aérospatiale et défense:

• Systèmes radar:Les substrats de SiC sont utilisés dans les systèmes radar avancés, où le fonctionnement à haute fréquence et les capacités de traitement de l'énergie sont cruciaux.La robustesse du matériau assure également des performances à des températures extrêmes et dans des environnements difficiles.
• Applications spatiales et par satellite:La stabilité thermique et la résistance au rayonnement du SiC le rendent adapté aux satellites et à d'autres applications spatiales, où les matériaux sont soumis à des conditions extrêmes.

5.Applications industrielles:

• Les moteurs:Les substrats en SiC sont intégrés dans les moteurs des machines industrielles, ce qui améliore l'efficacité et réduit la consommation d'énergie, en particulier dans les applications à forte demande telles que la robotique et l'automatisation.
• Systèmes de climatisationL'électronique de puissance à base de SiC est également utilisée dans les systèmes CVC pour augmenter l'efficacité énergétique et réduire les coûts d'exploitation.

6.Équipement médical:

• Outils d'imagerie et de diagnostic:Les substrats de SiC contribuent aux besoins de haute performance des équipements d'imagerie médicale avancés, tels que les appareils d'IRM et les scanners TC, en permettant une gestion de l'énergie précise et efficace.

7.Transport ferroviaire:

• Trains électriques:La technologie SiC est utilisée dans les systèmes de traction des trains électriques, où le besoin de systèmes d'alimentation compacts et efficaces capables de supporter des charges élevées est crucial.Les onduleurs et les convertisseurs à base de SiC contribuent à des trains plus rapides et plus économes en énergie.

Ces applications démontrent la polyvalence et l'impact des substrats carrés de SiC pour permettre des solutions à haute performance et écoénergétiques dans divers secteurs.

Questions et réponses

Q: Quels sont les substrats de SiC?

A: Je suis désolé.Les plaquettes et les substrats en carbure de silicium sontmatériaux spécialisés utilisés dans la technologie des semi-conducteurs à base de carbure de silicium, un composé connu pour sa conductivité thermique élevée, son excellente résistance mécanique et son large écart de bande.