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SiC épitaxial Wafer Carbure de silicium 4H 4 pouces 6 pouces Industrie des semi-conducteurs à haute résistance
Détails sur le produit:
| Place of Origin: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
Conditions de paiement et expédition:
| Délai de livraison: | 2 à 4 semaines |
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| Payment Terms: | 100%T/T |
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Détail Infomation |
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| Le type: | 4 heures | Grade: | Simulacre de recherches de production |
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| Exclusion de bord: | ≤ 50 μm | Finition de surface: | Latéral simple/double poli |
| Résistance: | Résistivité haute-basse | orientation: | Sur-axe/en dehors de l'axe |
| Matériel: | Carbure de silicium | Diamètre: | 4 pouces 6 pouces |
| Mettre en évidence: | Une gaufre épitaxienne de 4 pouces.,Wafer épitaxial SiC à haute résistance,gaufrette sic épitaxiale 6inch |
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Description de produit
SiC épitaxial Wafer Carbide de silicium 4H 4 pouces 6 pouces Industrie des semi-conducteurs à haute résistance
Description du produit Plaquette épitaxienne SiC:
L'épitaxie du carbure de silicium est un matériau composé de semi-conducteurs composé d'éléments de carbone et de silicium (hors facteurs de dopage).La feuille épitaxielle de carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur important, largement utilisé dans les appareils électroniques à haute puissance, à haute température et à haute fréquence.Le carbure de silicium a un écart de bande large (environ 3Une excellente conductivité thermique permet une dissipation thermique efficace et convient aux applications à haute puissance.Les techniques de croissance épitaxienne courantes comprennent la dépôt chimique de vapeur (CVD) et l'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE)L'épaisseur de la couche épitaxienne varie généralement de quelques microns à plusieurs centaines de microns.largement utilisé dans les véhicules électriquesIl est également utilisé dans les capteurs de haute température et les appareils RF.Les appareils SiC ont une résistance à la tension plus élevée et une meilleure efficacitéIl peut maintenir des performances stables dans un environnement à haute température.la demande de tôles épitaxales au carbure de silicium continue d'augmenter.
Notre société est spécialisée dans les produits épitaxiels homogènes au carbure de silicium cultivés sur des substrats de carbure de silicium, connus pour leur haute tolérance à la tension, forte résistance au courant,et une grande stabilité opérationnelleCes caractéristiques en font une matière première cruciale pour la fabrication de dispositifs électriques.Les plaquettes épitaxales en carbure de silicium servent de pierre angulaire pour la production de dispositifs électriques et sont essentielles à l'optimisation des performances des dispositifs.
Les caractéristiques de la gaufre épitaxienne SiC:
A. Structure cristalline
Ce polytype a une constante de réseau plus petite, une mobilité électronique élevée et une vitesse d'électron de saturation, ce qui le rend idéal pour les appareils à haute fréquence et à haute puissance.La largeur de bande de 4H-SiC est d'environ 3.26 eV, fournissant des performances électriques stables à haute température.
B. Propriétés électroniques
La largeur de la bande passante du carbure de silicium détermine sa stabilité à des températures élevées et sous des champs électriques élevés.leur permettent de maintenir une excellente performance électrique à des températures atteignant plusieurs centaines de degrés, tandis que le silicium traditionnel (Si) a une largeur de bande de seulement 1,12 eV.
Vitesse d'électron de saturation: le carbure de silicium a une vitesse d'électron de saturation proche de 2 × 107 cm/s, soit environ deux fois celle du silicium,amélioration de sa compétitivité dans les applications de haute fréquence et de haute puissance.
C. Propriétés thermiques
Le carbure de silicium présente une excellente conductivité thermique et un coefficient de dilatation thermique, ce qui le rend exceptionnellement performant dans des environnements à haute puissance et à haute température.
Coefficient d'expansion thermique: Le coefficient d'expansion thermique du carbure de silicium est d'environ 4,0 × 10−6 /K, similaire au silicium.Ses performances stables à haute température aident à réduire les contraintes mécaniques lors des processus de cycle thermique.
D. Propriétés mécaniques
Le carbure de silicium est connu pour sa dureté, sa résistance à l'abrasion, son excellente stabilité chimique et sa résistance à la corrosion.
Dureté: le carbure de silicium a une dureté de Mohs de 9.5, proche de celle du diamant, lui conférant une résistance à l'usure et une résistance mécanique élevées.
Stabilité chimique et résistance à la corrosion: la stabilité du carbure de silicium à des températures élevées, des pressions,et des environnements chimiques difficiles le rendent adapté aux appareils électroniques et aux applications de capteurs dans des conditions difficiles.
Spécifications de la gaufre épitaxienne SiC:
Des photos physiques de la gaufre épitaxienne SiC:
Emballage Des photos de la galette épitaxienne SiC:
Le carbure de silicium (SiC) a besoin d'épitaxie pour les raisons suivantes:
1Caractéristiques du matériau
Les dispositifs électriques au carbure de silicium diffèrent dans les processus de fabrication des dispositifs électriques au silicium traditionnels.des couches épitaxiales de haute qualité doivent être cultivées sur des substrats monocristallins de type conducteur., où différents dispositifs peuvent être fabriqués.
2Amélioration de la qualité du matériel
Les substrats de carbure de silicium peuvent contenir des défauts tels que les limites des grains, les dislocations, les impuretés, etc., ce qui peut avoir un impact significatif sur les performances et la fiabilité de l'appareil.La croissance épitaxienne aide à former une nouvelle couche de carbure de silicium sur le substrat avec une structure cristalline complète et moins de défauts, améliorant ainsi considérablement la qualité des matériaux.
3Contrôle précis du dopage et de l'épaisseur
La croissance épitaxienne permet un contrôle précis du type de dopage et de la concentration dans la couche épitaxienne, ainsi que de l'épaisseur de la couche épitaxienne.Ceci est essentiel pour la fabrication de dispositifs à base de carbure de silicium de haute performance, car des facteurs tels que le type et la concentration de dopage, l'épaisseur de la couche épitaxielle, etc., affectent directement les propriétés électriques, thermiques et mécaniques des dispositifs.
4. Contrôle des caractéristiques du matériau
En faisant pousser du SiC par épitaxie sur des substrats, des orientations cristallines différentes de la croissance du SiC peuvent être obtenues sur différents types de substrats (tels que 4H-SiC, 6H-SiC, etc.),obtention de cristaux de SiC avec des directions spécifiques de face cristalline pour répondre aux exigences de caractéristiques du matériau dans différents domaines d'application.
5. Efficacité des coûts
La croissance du carbure de silicium est lente, avec un taux de croissance de seulement 2 cm par mois et un four peut produire environ 400-500 pièces par an.la production par lots peut être réalisée dans des procédés de production à grande échelleCette méthode est plus adaptée aux besoins de production industrielle que la découpe directe des blocs de SiC.
Applications de la gaufre épitaxienne SiC:
Les plaquettes épitaxales au carbure de silicium ont un large éventail d'applications dans les appareils électroniques de puissance, couvrant des domaines tels que les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les systèmes d'alimentation industrielle.
- Véhicules électriques et bornes de recharge:Les dispositifs d'alimentation au carbure de silicium améliorent l'efficacité et la fiabilité des systèmes d'alimentation des véhicules électriques, permettant une recharge plus rapide et une autonomie plus longue.
- Systèmes de production et de stockage d'énergie renouvelables:Les dispositifs au carbure de silicium atteignent une plus grande efficacité de conversion de puissance dans les onduleurs solaires et les systèmes éoliens, réduisant ainsi les pertes d'énergie.
- Équipement pour le traitement des déchetsL'efficacité et la fiabilité élevées des dispositifs d'alimentation au carbure de silicium les rendent largement utilisés dans les sources d'alimentation industrielles et les entraînements à fréquence variable,amélioration des performances et de l'efficacité énergétique des équipements.
- LED et lasers UV:Les matériaux en carbure de silicium peuvent produire une lumière ultraviolette efficace, largement utilisée dans les domaines de la désinfection, de la purification de l'eau et de la communication.
- Détecteurs optoélectroniques à haute température:Les détecteurs optoélectroniques au carbure de silicium maintiennent une sensibilité et une stabilité élevées dans des environnements à haute température, adaptés à la détection d'incendie et à l'imagerie à haute température.
- Capteurs de pression à haute température et capteurs de gaz:Les capteurs en carbure de silicium présentent d'excellentes performances dans des environnements à haute température et haute pression, largement utilisés dans le contrôle industriel et la surveillance de l'environnement.
- Sensors chimiques et biosensors:La résistance à la corrosion des matériaux en carbure de silicium offre une durée de vie plus longue et une plus grande stabilité dans les produits chimiques et les biosensors.
- Appareils électroniques à haute température:L'excellente performance des dispositifs au carbure de silicium dans des environnements à haute température les rend précieux dans l'aérospatiale et les applications de forage de puits profonds.
- Applications aérospatiales et militaires:La fiabilité élevée et la résistance environnementale des dispositifs au carbure de silicium en font un choix idéal dans les domaines aérospatiale et militaire, capables d'exécuter des tâches dans des conditions extrêmes.
Application Des photos de la plaque épitaxienne SiC:
FAQ:
1. Q: Qu'est-ce que l'épitaxe SiC?
R:La croissance épitaxienne est utilisée pour produire des couches actives de structures de dispositifs à base de carbure de silicium (SiC) avec une densité et une épaisseur de dopage conçues.
2Q: Comment fonctionne l'épitaxie?
A: l'épitaxie, le processus de croissance d'un cristal d'une orientation particulière au-dessus d'un autre cristal, où l'orientation est déterminée par le cristal sous-jacent.
3Q: Que signifie l'épitaxie?
R: L'épitaxie se réfère au dépôt d'une couche superposée sur un substrat cristallin, où la couche superposée est en rapport avec le substrat.
Recommandation du produit:
1 plaque de carbure de silicium épitaxial SIC poli de 100 mm épaisseur de 1 mm pour la croissance des lingots
(Cliquez sur l'image pour plus de détails)
2 SiC Substrate 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm~150,0 mm Z Grade P Grade D Grade
(Cliquez sur l'image pour plus de détails)
Personnalisation des plaquettes SiC:
1Nous pouvons personnaliser la taille du substrat SiC pour répondre à vos besoins spécifiques.
2Le prix est déterminé par le cas, et les détails de l'emballage peuvent être personnalisés selon vos préférences.
3Nous acceptons le paiement par T/T.
4Notre usine dispose d'équipements de production avancés et d'une équipe technique, qui peut personnaliser diverses spécifications, épaisseurs et formes de plaquettes SiC selon les exigences spécifiques des clients.