 |
Substrate composite SiC conducteur de type N de 6 pouces pour Epitaxy MBE CVD LPE
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Numéro de modèle: | Substrate SiC conducteur de type N |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Délai de livraison: | 2 à 4 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
|
Détail Infomation |
|||
| Diamètre: | 150 ± 0,2 mm | Polytype: | 4 heures |
|---|---|---|---|
| Résistance: | 0.015-0.025 ohm · cm | Épaisseur de couche: | ≥ 0,4 μm |
| VIDE: | ≤ 5ea/plaque (2 mm>D>0,5 mm) | Roughness avant (Si-face): | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
| Les éclaboussures, les rayures, les fissures (inspection visuelle): | Aucune | TTV: | ≤3μm |
| Mettre en évidence: | Substrate SiC conducteur de type N de 6 pouces,Substrate SiC conducteur de type MBE N,Substrate SiC conducteur de type Epitaxy N |
||
Description de produit
Substrate composite SiC conducteur de type N de 6 pouces pour Epitaxy MBE CVD LPE
Résumé du substrat SiC conducteur de type N
Ce substrat SiC conducteur de type N a un diamètre de 150 mm avec une précision de ± 0,2 mm et utilise le polytypes 4H pour des propriétés électriques supérieures.La résistance du substrat est de 0Il comprend une épaisseur de couche de transfert robuste d'au moins 0,4 μm, améliorant ainsi son intégrité structurelle.Le contrôle de la qualité limite les vides à ≤ 5 par waferCes caractéristiques rendent le substrat SiC idéal pour des applications hautes performances dans l'électronique de puissance et les appareils à semi-conducteurs,assurer la fiabilité et l'efficacité.
Spécifications et schéma schématique pour le substrat SiC conducteur de type N
| Les postes | Spécification | Les postes | Spécification |
| Diamètre | 150 ± 0,2 mm |
Roughness avant (Si-face) |
Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
|
Polytypes Résistance |
4 heures 0.015-0.025 ohm · cm |
Je ne sais pas. (inspection visuelle) TTV |
Aucune ≤ 3 μm |
| Épaisseur de la couche de transfert | ≥ 0,4 μm | La distorsion. | ≤ 35 μm |
|
Ne fonctionne pas |
≤ 5ea/plaque (2 mm>D>0,5 mm) |
Épaisseur |
350 ± 25 μm |
Propriétés du substrat SiC conducteur de type N
Les substrats conducteurs de carbure de silicium (SiC) de type N sont largement utilisés dans diverses applications électroniques et optoélectroniques en raison de leurs propriétés uniques.Voici quelques propriétés clés des substrats SiC conducteurs de type N:
-
Propriétés électriques:
- Mobilité électronique élevée:Le SiC a une grande mobilité électronique, ce qui permet un débit de courant efficace et des appareils électroniques à grande vitesse.
- Faible concentration intrinsèque de porteur:Le SiC maintient une faible concentration intrinsèque de support même à haute température, ce qui le rend adapté aux applications à haute température.
- Voltage de rupture élevé:Le SiC peut résister à des champs électriques élevés sans se décomposer, ce qui permet la fabrication d'appareils à haute tension.
-
Propriétés thermiques:
- Conductivité thermique élevée:Le SiC a une excellente conductivité thermique, ce qui permet de dissiper efficacement la chaleur des appareils à haute puissance.
- Stabilité thermique:Le SiC reste stable à haute température, conservant son intégrité structurelle et ses propriétés électroniques.
-
Propriétés mécaniques:
- Dureté:Le SiC est un matériau très dur, offrant durabilité et résistance à l'usure mécanique.
- Inerté chimique:Le SiC est chimiquement inerte et résistant à la plupart des acides et des bases, ce qui est bénéfique pour les environnements de fonctionnement difficiles.
-
Caractéristiques du dopage:
- Dopage contrôlé de type N:Le SiC de type N est généralement dopé avec de l'azote pour introduire des électrons en excès en tant que porteurs de charge.
Photo du substrat SiC conducteur de type N
Questions et réponses
Q: Qu'est-ce que l'épitaxe du SiC?
A: Je suis désolé.L'épitaxie du SiC est le processus de culture d'une couche mince et cristalline de carbure de silicium (SiC) sur un substrat de SiC.où les précurseurs gazeux se décomposent à haute température pour former la couche SiCLa couche épitaxielle correspond à l'orientation cristalline du substrat et peut être dopée et contrôlée avec précision en épaisseur pour obtenir les propriétés électriques souhaitées.Ce procédé est essentiel pour la fabrication de dispositifs SiC à haute performance utilisés en électronique de puissance, l'optoélectronique et les applications à haute fréquence, offrant des avantages tels qu'un haut rendement, une stabilité thermique et une fiabilité.