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Wafer SiC de 2 pouces 4H N type 6H-N type 4H Semi type 6H Semi type Double côté poli
Détails sur le produit:
| Place of Origin: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Model Number: | Silicon Carbide |
Conditions de paiement et expédition:
| Delivery Time: | 2 weeks |
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| Payment Terms: | 100%T/T |
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Détail Infomation |
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| Diamètre: | 2 pouces | Particule: | Particule libre/basse |
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| Matériel: | Carbure de silicium | Taper: | Pour les produits de la catégorie 1A, il convient d'utiliser des produits de la catégorie 2A. |
| orientation: | Sur-axe/en dehors de l'axe | Résistance: | Résistivité haute-basse |
| impureté: | Impureté libre/basse | Roughness de la surface: | ≤1.2nm |
| Mettre en évidence: | 50plaquettes en carbure de silicium de 0,8 mm,Wafer au carbure de silicium de qualité P |
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Description de produit
Wafer de carbure de silicium de 2 pouces Diamètre 50,8 mm P grade R grade D drade Double côté poli
Description du produit:
La gaufre en carbure de silicium est un matériau à haute performance utilisé dans la production d'appareils électroniques.Il est fabriqué à partir d'une couche de carbure de silicium sur une plaque de silicium et est disponible en différentes qualitésLa gaufre a une planéité de Lambda/10, ce qui garantit que les appareils électroniques fabriqués à partir de la gaufre sont de la plus haute qualité et de performances.La plaque de carbure de silicium est un matériau idéal pour une utilisation dans l'électronique de puissanceNous fournissons des plaquettes SiC de haute qualité ((Carbure de silicium)) à l'industrie électronique et optoélectronique.
Le personnage:
La gaufre SIC (Silicon Carbide) est un type de gaufre semi-conducteur à base de carbure de silicium.
1- Conductivité thermique plus élevée: Les plaquettes SIC ont une conductivité thermique beaucoup plus élevée que le silicium, ce qui signifie que les plaquettes SIC peuvent dissiper efficacement la chaleur et sont adaptées au fonctionnement dans des environnements à haute température.
2Mobilité électronique plus élevée:Les plaquettes SIC ont une mobilité électronique plus élevée que le silicium, ce qui permet aux appareils SIC de fonctionner à des vitesses plus élevées.
3Voltage de rupture plus élevé:Le matériau de plaquette SIC a une tension de rupture plus élevée, ce qui le rend approprié pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs haute tension.
4- Stabilité chimique plus élevée:La plaque SIC présente une plus grande résistance à la corrosion chimique, ce qui contribue à une meilleure fiabilité et durabilité des dispositifs.
5- Une bande passante plus large:La gaufre SIC a une bande passante plus large que le silicium, ce qui permet aux appareils SIC de fonctionner mieux et plus stablement à haute température.
6Une meilleure résistance aux radiations:Les plaquettes SIC sont plus résistantes aux rayonnements, ce qui les rend appropriées pour une utilisation dans des environnements à rayonnement
Il s'agit d'installations nucléaires et de navires spatiaux.
7Dureté plus élevée:La gaufre SIC est plus dure que le silicium, ce qui améliore la durabilité des gaufres pendant le traitement.
8Constante diélectrique inférieure:Les plaquettes SIC ont une constante diélectrique inférieure à celle du silicium, ce qui contribue à réduire la capacité parasitaire des appareils et à améliorer les performances à haute fréquence.
9- Vitesse de dérive électronique de saturation plus élevée:La plaque SIC a une vitesse de dérive d'électrons de saturation plus élevée que le silicium, ce qui donne aux dispositifs SIC un avantage dans les applications à haute fréquence.
10- Densité de puissance plus élevée:Grâce aux caractéristiques susmentionnées, les dispositifs de plaquettes SIC peuvent obtenir une puissance de sortie plus élevée dans des tailles plus petites.
| Grade | Grade de production | Grade de recherche | Grade de factice | ||
| Diamètre | 500,8 mm±0,38 mm | ||||
| Épaisseur | 330 μm±25 μm | ||||
| Orientation de la gaufre | Sur l'axe : <0001> ± 0,5° pour le 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
hors axe:40,0° vers 1120±0,5° pour le 4H-N/4H-SI | |||
| Pour les tests de dépistage de la toxicité, les tests de dépistage doivent être effectués sur des échantillons de produits chimiques. | ≤ 5 | ≤ 15 | ≤ 50 | ||
| Résistivité ((Ω·cm) | 4H-N | 00,015 à 0,028 Ω·cm | |||
| 6H-N | 0.02 à 0.1 | ||||
| 4/6H-SI | > 1E5 | (90%) > 1E5 | |||
| L'orientation principale est plate | {10-10} ± 5,0° | ||||
| Longueur plate primaire (mm) | 15.9 ± 1.7 | ||||
| Longueur plate secondaire ((mm) | 8.0 ± 1.7 | ||||
| Orientation à plat secondaire | Sicile face vers le haut: 90° CW. de la plaine principale ±5,0° | ||||
| Exclusion des bords | 1 mm | ||||
| TTV/Bow/Warp (en anglais) | ≤15 /≤25 /≤25 | ||||
| Roughness (graisseuse) | Ra≤1 nm polonais | ||||
| CMP Ra≤0,5 nm | |||||
| Les bords se fissurent à la lumière de haute intensité | Aucune | Aucune | 1 permis, ≤ 1 mm | ||
| Plaques hexagonales par haute intensité lumineuse | Surface cumulée ≤ 1 % | Surface cumulée ≤ 1 % | Surface cumulée ≤ 3% | ||
Applications:
1. électronique de puissance: les plaquettes SiC sont largement utilisées dans les appareils électroniques de puissance tels que les convertisseurs de puissance, les onduleurs,et commutateurs haute tension en raison de leurs caractéristiques de haute tension de rupture et de faible perte de puissance.
Véhicules électriques: Les plaquettes de SiC sont utilisées dans l'électronique de puissance des véhicules électriques pour améliorer l'efficacité et réduire le poids, permettant une charge plus rapide et des autonomie plus longues.
2Énergie renouvelable: les plaquettes SiC jouent un rôle crucial dans les applications d'énergie renouvelable telles que les onduleurs solaires et les systèmes d'énergie éolienne, améliorant ainsi l'efficacité et la fiabilité de la conversion d'énergie.
3Aérospatiale et Défense: Les plaquettes en SiC sont essentielles dans les industries aérospatiale et de la défense pour des applications à haute température, à haute puissance et résistantes aux radiations.y compris les systèmes d'alimentation des aéronefs et les systèmes radar.
4Les plaquettes SiC sont utilisées dans les moteurs industriels pour améliorer l'efficacité énergétique, réduire la dissipation de chaleur et augmenter la durée de vie des équipements.
5. Communication sans fil: Les plaquettes SiC sont utilisées dans les amplificateurs de puissance RF et les applications haute fréquence dans les systèmes de communication sans fil, offrant une plus grande densité de puissance et des performances améliorées.
6Électronique à haute température: les plaquettes en SiC conviennent aux applications électroniques à haute température où les dispositifs en silicium conventionnels peuvent ne pas fonctionner de manière fiable.comme dans les forages à trou en aval et les systèmes de commande des moteurs automobiles.
7. Dispositifs médicaux: Les plaquettes SiC trouvent des applications dans les dispositifs médicaux tels que les machines d'IRM et les équipements à rayons X en raison de leur durabilité, de leur haute conductivité thermique et de leur résistance aux rayonnements.
8- recherche et développement:Les plaquettes SiC sont utilisées dans les laboratoires de recherche et les établissements universitaires pour développer des dispositifs semi-conducteurs avancés et explorer de nouvelles technologies dans le domaine de l'électronique.
9. Autres applications: Les plaquettes SiC sont également utilisées dans des domaines tels que les capteurs d'environnement dur, les lasers à haute puissance et l'informatique quantique en raison de leurs propriétés uniques et de leurs avantages de performance.
Personnalisation:
Nous offrons des services de personnalisation pour les particules, le matériau, la qualité, l'orientation et le diamètre.Notre Wafer de carbure de silicium est livré avec orientation sur l'axe ou hors axe selon vos besoinsVous pouvez également choisir le diamètre de la galette de carbure de silicium dont vous avez besoin.
La gaufre en carbure de silicium est disponible dans différentes catégories, y compris la production, la recherche et le mannequin.La gaufre de qualité production est utilisée dans la production d'appareils électroniques et est de la plus haute qualitéLa gaufre de qualité recherche est utilisée à des fins de recherche, tandis que la gaufre de qualité Dummy est utilisée à des fins de test et d'étalonnage.y compris le 4H, qui est le type le plus courant utilisé dans les appareils électroniques.
FAQ:
Q: Comment faire une galette SiC?
R: Le procédé consiste à convertir des matières premières telles que le sable de silice en silicium pur.,et le nettoyage et la préparation des plaquettes pour leur utilisation dans les dispositifs à semi-conducteurs.
Q: Quel est le processus de fabrication du SiC?
A: procédé de fabrication du carbure de silicium - GAB Neumann. Le carbure de silicium (SiC) est un composé de silicium et de carbone avec une formule chimique de SiC.Le procédé de fabrication le plus simple pour produire du carbure de silicium est de combiner du sable de silice et du carbone dans un four de résistance électrique à graphite Acheson à haute température, entre 1600 °C (2910 °F) et 2500 °C (4530 °F).
Q: Quelles sont les utilisations de la gaufre en carbure de silicium?
R: Dans l'électronique, les matériaux SiC sont utilisés avec des diodes électroluminescentes (LED) et des détecteurs.Les plaquettes de SiC sont utilisées dans les appareils électroniques qui fonctionnent à haute température, haute tension, ou les deux.
Recommandation du produit:
2.2 pouces 3 pouces 4 pouces SiC Substrate 330um Épaisseur 4H-N Type Grade de production