Nom De Marque:	ZMKJ
Numéro De Modèle:	UTI-AlN-150
MOQ:	3pcs
Prix:	by case
Détails De L'emballage:	conteneur simple de gaufrette dans la chambre de nettoyage
Conditions De Paiement:	T/T, Western Union, Paypal

Les informations détaillées

Description de produit

Les informations détaillées

Lieu d'origine:

La Chine

substrat:

gaufrette de silicium

couche:

Calibre d'AlN

épaisseur de couche:

200-1000nm

type de conductivité:

N/P

Orientation:

0001

application:

puissance élevée/appareils électroniques à haute fréquence

application 2:

dispositifs de 5G saw/BAW

épaisseur de silicium:

525um/625um/725um

Capacité d'approvisionnement:

50PCS/Month

Mettre en évidence:

Substrat de semi-conducteur d'AlN

substrat d'aln de diamètre de 30mm

l'aln de 30mm monocristal

Description de produit

diamètre 150mm film basé sur silicium des calibres 500nm AlN de 8inch 4inch 6inch AlN sur le substrat de silicium

Applications de Calibre d'AlN

la technologie des semiconducteurs basée sur silicium a atteint ses limites et n'a pas pu répondre aux exigences de l'avenir

appareils électroniques. Comme genre typique de matériel du semi-conducteur 3rd/4th-generation, la nitrure en aluminium (AlN) a

les propriétés physiques et chimiques supérieures telles que le bandgap large, conduction thermique élevée, panne élevée ont classé,

la tenue électronique élevée à mobilité et à corrosion/rayonnements, et est un substrat parfait pour les dispositifs optoélectroniques,

appareils électroniques de dispositifs de la radiofréquence (rf), de haute puissance/à haute fréquence, etc… en particulier, substrat d'AlN est

le meilleur candidat pour UV-LED, détecteurs UV, lasers UV, dispositifs RF de haute puissance/à haute fréquence de 5G et 5G SAW/BAW

dispositifs, qui pourraient largement être répandus dans la protection de l'environnement, l'électronique, communications sans fil, impression,

champs de biologie, de soins de santé, militaires et autre, tels que la purification/stérilisation UV, traitement UV, photocatalysis, coun ?

détection de terfeit, stockage à haute densité, communication médicale phototherapy, de drogue de découverte, sans fil et protégée,

détection aérospatiale/profond-espace et d'autres champs.

nous avons développé des publications périodiques des processus et des technologies de propriété industrielle pour fabriquer

calibres de haute qualité d'AlN. Actuellement, notre OEM est la seule société dans le monde entier qui peut produire 2-6 pouce AlN

calibres dans la capacité à grande échelle de production industrielle avec la capacité de 300 000 morceaux en 2020 de rencontrer explosif

demande du marché de la communication UVC-LED, 5G sans fil, des détecteurs UV et des capteurs etc.

Nous fournissons actuellement à des clients l'azote de haute qualité normalisé de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm
En aluminium les produits de substrat de monocristal, et peut également fournir à des clients 10-20mm non polaire
substrat de monocristal de nitrure en aluminium de M-avion, ou adapter 5mm-50.8mm aux besoins du client non standard aux clients
Substrat poli de monocristal de nitrure en aluminium. Ce produit est très utilisé comme matériel à extrémité élevé de substrat
Utilisé dans des puces d'UVC-LED, des détecteurs UV, des lasers UV, et la diverse puissance élevée
la température de /High/gisement à haute fréquence d'appareil électronique.

Spécifications

Spécifications caractéristiques

Modèle Cristal d'UTI-AlN-030B-single
Diamètre Dia30±0.5mm ;
Épaisseur de substrat (µm) 400 ± 50
Orientation C-axe [0001] +/- 0.5°

Classe de qualité S-catégorie (superbe) P-catégorie (production) R-catégorie (recherche)

Fissures Aucun Aucun <3mm>

FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
Aspérité [5×5µm] (nanomètre) Al-visage <0>
Secteur utilisable 90%
Absorbance<50>

1er de l'orientation de longueur {10-10} ±5° ;
TTV (µm) ≤30
Arc (µm) ≤30
Chaîne (µm) -30~30
Note : Ces résultats de caractérisation peuvent varier légèrement selon les équipements et/ou le logiciel utilisés

diamètre AlN Crystal Semiconductor Substrate simple de 30mm 1

diamètre AlN Crystal Semiconductor Substrate simple de 30mm 2

diamètre AlN Crystal Semiconductor Substrate simple de 30mm 3

diamètre AlN Crystal Semiconductor Substrate simple de 30mm 4

élément d'impureté Fe de Na W.P.S Ti de C O SI B

PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>

Structure cristalline	Wurtzite
Constante de trellis (Å)	a=3.112, c=4.982
Conduction à bande	Bandgap direct
Densité (g/cm3)	3,23
Microdureté extérieure (essai de Knoop)	800
Point de fusion (℃)	2750 (barre 10-100 en N2)
Conduction thermique (W/m·K)	320
Énergie d'espace de bande (eV)	6,28
Mobilité des électrons (V·s/cm2)	1100
Champ électrique de panne (MV/cm)	11,7

Les étiquettes:

substrat de saphir

Saphir Windows optique

Gaufrette de carbure de silicium

Sapphire Tube

Gaufrette de nitrure de gallium

Substrat de semi-conducteur

Gem Stone synthétique

Parties en céramique

équipement de laboratoire scientifique

Boîtier de montre de cristal de saphir

Boîte de transporteur de gaufrette

Substrat monocristallin mince supraconducteur