Nom De Marque:	ZMKJ
Numéro De Modèle:	UTI-AlN-100
MOQ:	3pcs
Prix:	by case
Détails De L'emballage:	conteneur simple de gaufrette dans la chambre de nettoyage
Conditions De Paiement:	T/T, Western Union, Paypal

Les informations détaillées

Description de produit

Les informations détaillées

Lieu d'origine:

La Chine

substrat:

gaufrette de silicium

couche:

Calibre d'AlN

épaisseur de couche:

200-1000nm

type de conductivité:

N/P

Orientation:

0001

application:

puissance élevée/appareils électroniques à haute fréquence

application 2:

dispositifs de 5G saw/BAW

épaisseur de silicium:

525um/625um/725um

Capacité d'approvisionnement:

50PCS/Month

Mettre en évidence:

Substrat de semi-conducteur de film d'AlN

Substrat de nitrure en aluminium d'AlN

gaufrette de la nitrure 1000nm en aluminium

Description de produit

film basé sur silicium des calibres 500nm AlN de 4inch 6inch AlN sur le substrat de silicium

Applications de Calibre d'AlN

la technologie des semiconducteurs basée sur silicium a atteint ses limites et n'a pas pu répondre aux exigences de l'avenir

appareils électroniques. Comme genre typique de matériel du semi-conducteur 3rd/4th-generation, la nitrure en aluminium (AlN) a

les propriétés physiques et chimiques supérieures telles que le bandgap large, conduction thermique élevée, panne élevée ont classé,

la tenue électronique élevée à mobilité et à corrosion/rayonnements, et est un substrat parfait pour les dispositifs optoélectroniques,

appareils électroniques de dispositifs de la radiofréquence (rf), de haute puissance/à haute fréquence, etc… en particulier, substrat d'AlN est

le meilleur candidat pour UV-LED, détecteurs UV, lasers UV, dispositifs RF de haute puissance/à haute fréquence de 5G et 5G SAW/BAW

dispositifs, qui pourraient largement être répandus dans la protection de l'environnement, l'électronique, communications sans fil, impression,

champs de biologie, de soins de santé, militaires et autre, tels que la purification/stérilisation UV, traitement UV, photocatalysis, coun ?

détection de terfeit, stockage à haute densité, communication médicale phototherapy, de drogue de découverte, sans fil et protégée,

détection aérospatiale/profond-espace et d'autres champs.

nous avons développé des publications périodiques des processus et des technologies de propriété industrielle pour fabriquer

calibres de haute qualité d'AlN. Actuellement, notre OEM est la seule société dans le monde entier qui peut produire 2-6 pouce AlN

calibres dans la capacité à grande échelle de production industrielle avec la capacité de 300 000 morceaux en 2020 de rencontrer explosif

demande du marché de la communication UVC-LED, 5G sans fil, des détecteurs UV et des capteurs etc.

Le factroy est une entreprise high tech innovatrice fondée en 2016 par les professionnels d'outre-mer chinois renommés du semicon ? industrie de ductor.

ils concentrent ses activités de base sur le développement et la commercialisation de 3rd/4th-genera ? substrats de la taille ultra d'AlN de semi-conducteur de bandgap de tion,

Calibres d'AlN, réacteurs complètement automatiques de croissance de PVT et produits et services relatifs pour différentes entreprises high techs.

on l'a identifié en tant que chef global dans ce domaine. Nos produits de noyau sont les matériaux principaux de stratégie énumérés dans « fait en Chine ».

ils ont développé des publications périodiques des technologies de propriété industrielle et des réacteurs et des équipements de croissance le-état- -le art PVT à

fabriquez les différentes tailles des gaufrettes mono-cristallines de haute qualité d'AlN, temlpates d'AlN. Nous sommes l'un des quelques monde-principaux

entreprises high techs qui propre plein capa de fabrication d'AlN ?

bilities pour produire les boules et les gaufrettes de haute qualité d'AlN, et pour fournir des profes ? services de sional et solutions clés en main à nos clients,

disposé de la conception de réacteur et de hotzone de croissance, de la modélisation et de la simulation, de la conception de processus et de l'optimisation, cristallogénèse,

characteriza wafering et matériel ? tion. Jusqu'à en avril 2019, ils ont appliqué plus de 27 brevets (PCT y compris).

Spécifications

Spécifications caractéristiques

Modèle UTI-AlN-100S
Type de conductivité C-avion de gaufrette de monocristal de SI
Résistivité (Ω) 2500-8000
Structure d'AlN Wurtzite
Diamètre (pouce) 4inch

Épaisseur de substrat (µm) 525 ± 15
Épaisseur de film d'AlN (µm) 500nm

Orientation C-axe [0001] +/- 0.2°
Secteur utilisable ≥95%
Fissures Aucun
FWHM-2θXRD@ (0002) ≤0.22°
FWHM-HRXRD@ (0002) ≤1.5°
Aspérité [5×5µm] (nanomètre) RMS≤6.0
TTV (µm) ≤7
Arc (µm) ≤30
Chaîne (µm) -30~30
Note : Ces résultats de caractérisation peuvent varier légèrement selon les équipements et/ou le logiciel utilisés

2 le silicium de film de pouce 1000nm AlN a basé le substrat de semi-conducteur de nitrure en aluminium 1

2 le silicium de film de pouce 1000nm AlN a basé le substrat de semi-conducteur de nitrure en aluminium 2

Structure cristalline	Wurtzite
Constante de trellis (Å)	a=3.112, c=4.982
Conduction à bande	Bandgap direct
Densité (g/cm3)	3,23
Microdureté extérieure (essai de Knoop)	800
Point de fusion (℃)	2750 (barre 10-100 en N2)
Conduction thermique (W/m·K)	320
Énergie d'espace de bande (eV)	6,28
Mobilité des électrons (V·s/cm2)	1100
Champ électrique de panne (MV/cm)	11,7

2 le silicium de film de pouce 1000nm AlN a basé le substrat de semi-conducteur de nitrure en aluminium 4

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