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Gaufrette polie de carbure de silicium 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35mm sic
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | ZMKJ |
| Numéro de modèle: | Taille adaptée aux besoins du client |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 5pcs |
|---|---|
| Prix: | by case |
| Détails d'emballage: | paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories |
| Délai de livraison: | 1-6weeks |
| Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacité d'approvisionnement: | 1-50pcs/month |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | SiC monocristallin 4h-semi | Grade: | qualité de l'essai |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.35 mm ou 0.5 mm | Suraface: | DSP poli |
| Application du projet: | épithaxial | Diamètre: | 3 pouces |
| Couleur: | Parfait | MPD: | < 10 cm-2 |
| Le type: | à haute pureté non dopée | Résistance: | > 1E7 O.hm |
| Mettre en évidence: | gaufrette de carbure de silicium de 0.35mm,Gaufrette de carbure de silicium de 4 pouces,Sic gaufrette de carbure de silicium |
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Description de produit
Taille personnalisée/2 pouces/3 pouces/4 pouces/6 pouces 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N lingots SIC/haute pureté 4H-N 4 pouces 6 pouces de diamètre 150mm plaquettes de substrats monocristallins en carbure de silicium (sic)S/Semi-résistivité 4H non dopée de haute pureté> 1E7, plaquettes sic de 3 pouces, 4 pouces, 0,35 mm
À propos du cristal de carbure de silicium (SiC)
Le carbure de silicium (SiC), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant du silicium et du carbone de formule chimique SiC. Le SiC est utilisé dans les dispositifs électroniques à semi-conducteurs qui fonctionnent à des températures élevées ou à des tensions élevées, ou les deux. Le SiC est également l'un des composants importants des LED, c'est un substrat populaire pour la croissance des dispositifs GaN, et il sert également de dissipateur de chaleur dans les environnements à haute température. LED d'alimentation.
| Propriété | 4H-SiC, monocristal | 6H-SiC, monocristal |
| Paramètres de réseau | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Séquence d'empilement | ABCB | ABCACB |
| Dureté de Mohs | ≈9,2 | ≈9,2 |
| Densité | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Thermie. Coefficient de dilatation | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Indice de réfraction à 750 nm |
non = 2,61 |
non = 2,60 |
| Constante diélectrique | c ~ 9,66 | c ~ 9,66 |
| Conductivité thermique (type N, 0,02 ohm.cm) |
a~4,2 W/cm·K@298K |
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| Conductivité thermique (semi-isolant) |
a~4,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K |
| Bande interdite | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Champ électrique de panne | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Vitesse de dérive de saturation | 2,0 × 105 m/s | 2,0 × 105 m/s |
Spécifications du substrat en carbure de silicium (SiC) 4H-N de 4 pouces de diamètre
| Spécification du substrat en carbure de silicium (SiC) de 2 pouces de diamètre | ||||||||||
| Grade | Zéro MPD | Qualité de production | Niveau de recherche | Qualité factice | ||||||
| Diamètre | 100, mm ± 0,38 mm | |||||||||
| Épaisseur | 350 μm±25μm ou 500±25um ou autre épaisseur personnalisée | |||||||||
| Orientation de la plaquette | Sur axe : <0001>±0.5° pour 4h-semi | |||||||||
| Densité des microtuyaux | ≤1 cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤10cm-2 | ≤30 cm-2 | ||||||
| Résistivité | 4H-N | 0,015~0,028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0,02~0,1 Ω•cm | |||||||||
| 4h-semi | ≥1E7 Ω·cm | |||||||||
| Appartement principal | {10-10}±5,0° | |||||||||
| Longueur à plat primaire | 18,5 mm ± 2,0 mm | |||||||||
| Longueur plate secondaire | 10,0 mm ± 2,0 mm | |||||||||
| Orientation plate secondaire | Silicium face vers le haut : 90° CW. à partir du premier plat ±5,0° | |||||||||
| Exclusion de bord | 1 mm | |||||||||
| TTV/Arc/Warp | ≤10μm /≤15μm /≤30μm | |||||||||
| Rugosité | Polonais Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
| Fissures causées par une lumière de haute intensité | Aucun | 1 autorisé, ≤2 mm | Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤ 2 mm | |||||||
| Plaques hexagonales par lumière haute intensité | Superficie cumulée ≤1% | Superficie cumulée ≤1% | Superficie cumulée ≤3% | |||||||
| Zones polytypes par lumière de haute intensité | Aucun | Superficie cumulée ≤2% | Superficie cumulée ≤5% | |||||||
| Rayures causées par une lumière de haute intensité | 3 rayures sur 1 × longueur cumulée du diamètre de la plaquette | 5 rayures sur 1 × longueur cumulée du diamètre de la plaquette | 5 rayures sur 1 × longueur cumulée du diamètre de la plaquette | |||||||
| puce de bord | Aucun | 3 autorisés, ≤0,5 mm chacun | 5 autorisés, ≤1 mm chacun | |||||||
Applications :
1) Dépôt de nitrure III-V
2)Dispositifs optoélectroniques
3)Appareils haute puissance
4)Appareils à haute température
5)Dispositifs d'alimentation haute fréquence
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Électronique de puissance :
- Appareils haute tension :Les plaquettes SiC sont idéales pour les dispositifs de puissance nécessitant des tensions de claquage élevées. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les MOSFET de puissance et les diodes Schottky, essentielles à une conversion efficace de l'énergie dans les secteurs de l'automobile et des énergies renouvelables.
- Onduleurs et convertisseurs :La conductivité thermique élevée et l'efficacité du SiC permettent le développement d'onduleurs compacts et efficaces pour les véhicules électriques (VE) et les onduleurs solaires.
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Appareils RF et micro-ondes :
- Amplificateurs haute fréquence :L'excellente mobilité électronique du SiC permet la fabrication de dispositifs RF haute fréquence, ce qui les rend adaptés aux systèmes de télécommunications et de radar.
- Technologie GaN sur SiC :Nos plaquettes SiC peuvent servir de substrats pour les dispositifs GaN (nitrure de gallium), améliorant ainsi les performances dans les applications RF.
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Dispositifs LED et optoélectroniques :
- LED UV :La large bande interdite du SiC en fait un excellent substrat pour la production de LED UV, utilisée dans des applications allant de la stérilisation aux processus de durcissement.
- Diodes laser :La gestion thermique supérieure des plaquettes SiC améliore les performances et la longévité des diodes laser utilisées dans diverses applications industrielles.
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Applications à haute température :
- Aéronautique et Défense :Les plaquettes SiC peuvent résister à des températures extrêmes et à des environnements difficiles, ce qui les rend adaptées aux applications aérospatiales et à l'électronique militaire.
- Capteurs automobiles :Leur durabilité et leurs performances à haute température rendent les plaquettes SiC idéales pour les capteurs et systèmes de contrôle automobiles.
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Recherche et développement :
- Science des matériaux :Les chercheurs utilisent des tranches de SiC polies pour diverses études en science des matériaux, notamment des recherches sur les propriétés des semi-conducteurs et le développement de nouveaux matériaux.
- Fabrication d'appareils :Nos plaquettes sont utilisées dans les laboratoires et les installations de R&D pour la fabrication de prototypes de dispositifs et l'exploration de technologies avancées de semi-conducteurs.
Spectacle de production
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Type 4H-N / Plaquette/lingots SiC de haute pureté
Plaquette/lingots SiC de type N 4H de 2 pouces
Plaquette SiC de type N 4H de 3 pouces Plaquette/lingots SiC de type N 4H 4 pouces Plaquette/lingots SiC de type N 4H 6 pouces |
Plaquette SiC semi-isolante / haute pureté 4H Plaquette SiC semi-isolante 4H de 2 pouces
Plaquette SiC semi-isolante 4H de 3 pouces Plaquette SiC semi-isolante 4H de 4 pouces Plaquette SiC semi-isolante 4H de 6 pouces |
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Plaquette SiC 6H de type N
Plaquette/lingot SiC de type N 6H de 2 pouces |
Taille personnalisée pour 2-6 pouces
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Applications SiC
Domaines d'application
- 1 appareils électroniques haute fréquence et haute puissance diodes Schottky, JFET, BJT, PiN,
- diodes, IGBT, MOSFET
- 2 dispositifs optoélectroniques : principalement utilisés dans le matériau de substrat LED bleu GaN/SiC (GaN/SiC) LED
>Emballage – Logistique
nous concernons chaque détail de l'emballage, nettoyage, antistatique, traitement choc.
Selon la quantité et la forme du produit, nous adopterons un processus d'emballage différent ! Presque par cassettes de plaquettes simples ou cassettes de 25 pièces dans une salle de nettoyage de qualité 100.