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pouce Al2O3 0.5mm C - épaisseur du substrat 4 de saphir de 100mm d'axe adaptée aux besoins du client
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | zmkj |
| Numéro de modèle: | 4INCH*0.5mmt |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 25pcs |
|---|---|
| Prix: | by case |
| Détails d'emballage: | dans la boîte de gaufrette de la cassette 25pcs sous la pièce de nettoyage 100grade |
| Délai de livraison: | 3-5weeks |
| Conditions de paiement: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacité d'approvisionnement: | 1000pcs par mois |
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Détail Infomation |
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| Matériau: | monocristal de saphir | Orientation: | C-axe |
|---|---|---|---|
| de surface: | ssp ou dsp | Epaisseur: | 0.5mm ou adapté aux besoins du client |
| Application: | verre mené ou optique | Méthode de croissance: | les KY |
| Taille: | 4inch dia100mm | ||
| Surligner: | matériel de saphir,substrat de silicium |
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Description de produit
gaufrettes du saphir SSP/DSP de C-avion de m-axe de 2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/a-axis/r-axis/6"/6inch dia150mm avec l'épaisseur 650um/1000um
Au sujet du cristal de saphir synthétique
Propriétés de saphir
| Physique | |
| Formule chimique | Al2 O3 |
| Densité | 3,97 g/cm3 |
| Dureté | 9 Mohs |
| Point de fusion | OC 2050 |
| La température maximale d'utilisation | 1800-1900oC |
| Mécanique | |
| Résistance à la traction | 250-400 MPA |
| Résistance à la pression | MPA 2000 |
| Le coefficient de Poisson | 0.25-0.30 |
| Module de Young | 350-400 GPa |
| Résistance à la flexion | 450-860 MPA |
| Module d'enchantement | 350-690 MPA |
| Thermique | |
| Taux linéaire d'expansion (à 293-323 K) | 5.0*10-6K-1 (⊥ C) |
| 6.6*10-6K-1 (∥ C) | |
| Conduction thermique (à 298 K) | 30,3 avec (m*K) (⊥ C) |
| 32,5 avec (m*K) (∥ C) | |
| La chaleur spécifique (à 298 K) | 0,10 cal*g-1 |
| Élém. élect. | |
| Résistivité (à 298 K) | 5.0*1018 Ω*cm (⊥ C) |
| 1.3-2.9*1019 Ω*cm (∥ C) | |
| Constante diélectrique (à 298 K, dans 10 intervalles de3 - 109 hertz) | 9,3 (⊥ C) |
| 11,5 (∥ C) | |
Le saphir synthétique est Al pur2 O3 du monocristal 99,99% transparents qui montre une combinaison unique des propriétés physiques, chimiques, électriques et optiques : la hauts conduction thermique, de haute résistance et rayent la résistance, la dureté (9 sur l'échelle de Mohs), transparente dans l'éventail de longueur d'onde, inertie chimique.
La perfection en cristal élevée, la basse réactivité, et la taille appropriée de cellules d'unité font à saphir un excellent substrat dans l'industrie de semi-conducteur pour les diodes électroluminescentes bleues (LED).
Depuis que le Prix Nobel dans la physique Shuji Nakamura a employé le substrat en 1990 s de saphir pour la LED, la demande du cristal de saphir s'était développée rapidement.
Elle conduit le développement des marchés comme l'éclairage général, l'éclairage de postérieur dans des téléviseurs, les affichages, les appareils du consommateur, l'espace et la défense, et d'autres applications
Le matériel est développé et orienté, et des substrats sont fabriqués et polis sur une surface Epi-prête sans dommage extrêmement douce un ou des deux côtés de la gaufrette. Un grand choix d'orientations et de tailles de gaufrette jusqu'à 6" diamètre sont disponibles.
Des substrats de saphir d'Un-avion - sont habituellement employés pour des applications microélectroniques hybrides exigeant une constante diélectrique uniforme et isolant fortement des caractéristiques.
Des substrats de C-avion - tendez à être employé pour des composés de lll-V et de ll-Vl, tels que GaN, pour la LED lumineuse et les diodes lasers bleues et vertes.
Substrats de R-avion - ceux-ci sont préférés pour le dépôt hétéro-épitaxial du silicium utilisé dans des applications microélectroniques d'IC.
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Gaufrette standard gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 2 pouces
gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 3 pouces gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 4 pouces gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 6 pouces |
Coupe de Special
1120) gaufrettes de saphir d'Un-avion ( 1102) gaufrettes de saphir de R-avion ( 1010) gaufrettes de saphir de M-avion ( 1123) gaufrettes de saphir de N-avion ( C-axe avec une chute de 0.5°~ 4°, vers l'Un-axe ou le M-axe L'autre orientation adaptée aux besoins du client |
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Taille adaptée aux besoins du client
gaufrette de saphir de 10*10mm gaufrette de saphir de 20*20mm Gaufrette ultra mince du saphir (100um) gaufrette de saphir de 8 pouces |
Substrat modelé (PSS) de saphir
C-avion PSS de 2 pouces C-avion PSS de 4 pouces |
| 2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm /0.5mm/ 1.0mmt C-axe 0.2/0.43mm de SSP (DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm
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| 3inch |
C-axe 0.43mm/0.5mm de DSP/SSP
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| 4Inch |
c-axe 0.4mm/0.5mm/1.0mm de dsp c-axe 0.5mm/0.65mm/1.0mmt de ssp
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| 6inch |
c-axe 1.0mm/1.3mmm de ssp
c-axe 0.65mm/0.8mm/1.0mmt de dsp
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Spécifications pour des substrats
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Détail de produits
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