6" gaufrette plate de saphir de C SSP/DSP, épaisseur 650um/1000um du matériel 150mm de saphir
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | zmkj |
Numéro de modèle: | 6inch |
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: | 10pcs |
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Prix: | by case |
Détails d'emballage: | dans la boîte de gaufrette de la cassette 25pcs sous la pièce de nettoyage 100grade |
Délai de livraison: | 3-5weeks |
Conditions de paiement: | T / T, Western Union, MoneyGram |
Capacité d'approvisionnement: | 1000pcs par mois |
Détail Infomation |
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Matériau: | monocristal de saphir | Orientation: | C-axe |
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de surface: | ssp ou dsp | Epaisseur: | 1.0mm ou adapté aux besoins du client |
Application: | verre mené ou optique | Méthode de croissance: | les KY |
Surligner: | Gaufrette de saphir,substrat de silicium |
Description de produit
gaufrettes du saphir SSP/DSP de C-avion de m-axe de 2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/a-axis/r-axis/6"/6inch dia150mm avec l'épaisseur 650um/1000um
Au sujet du cristal de saphir synthétique
Le procédé de Kyropoulos (processus des KY) pour la cristallogénèse de saphir est actuellement employé par beaucoup de sociétés en Chine pour produire le saphir pour les industries de l'électronique et d'optique.
L'oxyde d'aluminium de grande pureté et est fondu dans un creuset à plus de 2100 degrés de Celsius. Typiquement le creuset est fait de tungstène ou molybdène. Un cristal de graine avec précision orienté est plongé dans l'alumine fondue. Le cristal de graine est lentement tiré vers le haut et peut être tourné simultanément. En commandant avec précision les gradients de température, taux de traction et taux de diminution de la température, il est possible de produire un grand, monocristallin, rudement cylindrique lingot à partir de la fonte.
Après que des boules de saphir de monocristal soient développés, ils noyau-sont forés dans les tiges cylindrique, les tiges sont découpées en épaisseur désirée de fenêtre et finalement polies en tranches à la finition extérieure désirée.
Utilisation comme substrat pour les circuits semi-conducteurs
Les gaufrettes minces de saphir étaient la première utilisation réussie d'un substrat isolant sur lequel pour déposer le silicium pour faire connaître les circuits intégrés comme silicium sur le saphir ou le « SOS », sans compter que ses excellentes propriétés isolantes électriques, le saphir a la conduction thermique élevée. Les puces de CMOS sur le saphir sont particulièrement utiles pour des applications de haute puissance de (RF) de radiofréquence comme ceux trouvés dans les téléphones cellulaires, les radios de bande de public-sécurité, et des systèmes de communication satellites.
Des gaufrettes du saphir monocristallin sont également employées dans l'industrie de semi-conducteur comme substrats pour la croissance des dispositifs basés sur la nitrure de gallium (GaN). L'utilisation du saphir réduit de manière significative le coût, parce qu'elle a environ un septième du coût de germanium. La nitrure de gallium sur le saphir est utilisée généralement dans des diodes électroluminescentes bleues (LEDs).
Utilisé comme matériel de fenêtre
Le saphir synthétique (parfois désigné sous le nom du verre de saphir) est utilisé généralement comme matériel de fenêtre, parce qu'il est tous deux fortement transparents aux longueurs d'onde de la lumière entre 150 nanomètre (UV) et 5500 le nanomètre (IR) (le spectre évident prolonge environ 380 nanomètre à 750 nanomètre, et extraordinairement éraflure-résistant. Les avantages principaux des fenêtres de saphir sont :
* bande optique très large de transmission d'UV à proche-infrarouge
* sensiblement plus forts que d'autres matériaux ou vitraux optiques
* de haute résistance à l'éraflure et à l'abrasion (9 sur l'échelle de Mohs de l'échelle minérale de dureté, à 3ème la plus dure substance naturelle à côté de moissanite et aux diamants)
* la température extrêmement de fusion élevée (°C) 2030
Propriétés de saphir
GÉNÉRALITÉS | |||||
Formule chimique |
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Al2O3
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Structure cristalline |
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Système hexagonal ((le HK o 1)
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Dimension de cellules d'unité |
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a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c : a=2.730
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PHYSIQUE | |||||
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Métrique
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L'anglais (impérial)
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Densité |
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3,98 g/cc
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0,144 lb/in3
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Dureté |
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1525 - 2000 Knoop, 9 mhos
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3700° F
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Point de fusion |
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2310 K (2040° C)
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STRUCTUREL | |||||
Résistance à la traction |
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MPA 275 à MPA 400
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40 000 à 58 000 livres par pouce carré
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à 20°
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MPA 400
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58 000 livres par pouce carré (conception mn)
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à 500° C
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MPA 275
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40 000 livres par pouce carré (conception mn)
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à 1000° C
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MPA 355
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52 000 livres par pouce carré (conception mn)
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Stength de flexion |
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MPA 480 à MPA 895
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70 000 à 130 000 livres par pouce carré
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Force de compression |
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2,0 GPa (final)
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300 000 livres par pouce carré (de final)
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Gaufrette standard gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 2 pouces
gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 3 pouces gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 4 pouces gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 6 pouces |
Coupe de Special
1120) gaufrettes de saphir d'Un-avion ( 1102) gaufrettes de saphir de R-avion ( 1010) gaufrettes de saphir de M-avion ( 1123) gaufrettes de saphir de N-avion ( C-axe avec une chute de 0.5°~ 4°, vers l'Un-axe ou le M-axe L'autre orientation adaptée aux besoins du client |
Taille adaptée aux besoins du client
gaufrette de saphir de 10*10mm gaufrette de saphir de 20*20mm Gaufrette ultra mince du saphir (100um) gaufrette de saphir de 8 pouces |
Substrat modelé (PSS) de saphir
C-avion PSS de 2 pouces C-avion PSS de 4 pouces |
2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm/1.0mmt C-axe 0.2/0.43mm de SSP (DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm
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3inch |
C-axe 0.43mm/0.5mm de DSP/SSP
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4Inch |
c-axe 0.4mm/0.5mm/1.0mm de dsp c-axe 0.5mm/0.65mm/1.0mmt de ssp
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6inch |
c-axe 1.0mm/1.3mmm de ssp
c-axe 0.65mm/0.8mm/1.0mmt de dsp
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Article | Paramètre | Spéc. | Unité | ||
1 | Nom de produit | Gaufrette de saphir (Al2O3) | |||
2 | Diamètre | 2" | 4" | 6" | millimètre |
3 | Épaisseur | 430± 25 | 650± 25 | ± 1000 25 | μm |
4 | Orientation extérieure | M-axe incliné 0.2°/0.35°± 0.1° du C-avion (0001) | degré | ||
5 | Appartement primaire | ± 0.2° du l'Un-axe (11-20) | degré | ||
Longueur d'orientation | 16 ± 0,5 | 31 ± 1,0 | 47,5 ± 2,0 | millimètre | |
6 | TTV | < 10=""> | < 10=""> | < 25=""> | μm |
7 | Arc | -10 | 0 | -15 | 0 | -30 | 0 | μm |
8 | Chaîne | 10 | 20 | 30 | μm |
9 | Partie antérieure de rugosité | 0,5 | 0,5 | 0,5 | nanomètre |
10 | Arrière de rugosité | 1,0 ± 0,3 | μm | ||
11 | Bord de gaufrette | De type r ou de type t | |||
12 | Marque de laser | Adaptez aux besoins du client |
NOTRE USINE
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