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6 Inch 4H Silicon Carbide SiC Substrates Wafers For Device Epitaxial Growth Customized

De 6 pouces 4H de silicium de carbure gaufrettes de substrats sic pour la croissance épitaxiale de dispositif adaptée aux besoins du client

  • Surligner

    substrat de carbure de silicium

    ,

    sic gaufrette

  • Matériau
    Type du monocristal sic 4H-N
  • Qualité
    Simulacre/catégorie /Production de recherches
  • Thicnkss
    430um ou adapté aux besoins du client
  • Suraface
    LP/LP
  • Application
    essai de polissage de fabricant de dispositif
  • Diamètre
    150±0.5mm
  • Lieu d'origine
    La Chine
  • Nom de marque
    ZMKJ
  • Numéro de modèle
    6inch sic
  • Quantité de commande min
    1pcs
  • Prix
    600-1500usd/pcs by FOB
  • Détails d'emballage
    paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
  • Délai de livraison
    1-6weeks
  • Conditions de paiement
    T / T, Western Union, MoneyGram
  • Capacité d'approvisionnement
    1-50pcs/month

De 6 pouces 4H de silicium de carbure gaufrettes de substrats sic pour la croissance épitaxiale de dispositif adaptée aux besoins du client

Gaufrettes de substrats de monocristal de carbure de silicium du diamètre 150mm de la catégorie 6inch de l'essai 4H-N (sic), de lingots substrats sic en cristal de semi-conducteur sic, gaufrette en cristal de carbure de silicium

Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)  

Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Sic est employé dans des dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou both.SiC est également l'un des composants importants de LED, c'est un substrat populaire pour élever des dispositifs de GaN, et il sert également d'écarteur de la chaleur dans la LED de haute puissance

 

1. Les spécifications                               

6 po. de diamètre, spécifications de substrat de carbure de silicium (sic)  
Catégorie Catégorie zéro de MPD Catégorie de production Catégorie de recherches Catégorie factice
Diamètre 150,0 mm±0.2mm
ThicknessΔ 350 μm±25μm ou 500±25un
Orientation de gaufrette Outre de l'axe : 4.0° vers< 1120=""> ±0.5° pour 4H-N sur l'axe : <0001>±0.5° pour 6H-SI/4H-SI
Appartement primaire {10-10} ±5.0°
Longueur plate primaire 47,5 mm±2.5 millimètre
Exclusion de bord 3 millimètres
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Densité de Micropipe cm2 ≤1 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤100
Résistivité 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Rugosité Ra≤1 polonais nanomètre
CMP Ra≤0.5 nanomètre
Fissures par la lumière de forte intensité Aucun 1 laissé, ≤2 millimètre ≤ cumulatif 10mm, length≤2mm simple de longueur
Plats de sortilège par la lumière de forte intensité Secteur cumulatif ≤1% Secteur cumulatif ≤2% Secteur cumulatif ≤5%
Régions de Polytype par la lumière de forte intensité Aucun Area≤2% cumulatif Area≤5% cumulatif
Éraflures par la lumière de forte intensité 3 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer 5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer 5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer
Puce de bord Aucun 3 laissés, ≤0.5 millimètre chacun 5 laissés, ≤1 millimètre chacun
Contamination par la lumière de forte intensité Aucun

 

De 6 pouces 4H de silicium de carbure gaufrettes de substrats sic pour la croissance épitaxiale de dispositif adaptée aux besoins du client 0De 6 pouces 4H de silicium de carbure gaufrettes de substrats sic pour la croissance épitaxiale de dispositif adaptée aux besoins du client 1

 

Au sujet de nos ZMKJ Company
Le COMMERCE CÉLÈBRE Cie., Ltd de CHANGHAÏ place dans la ville de Changhaï, qui est la meilleure ville de la Chine, et notre usine est fondée dans la ville de Wuxi en 2014.
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et verre optique custiomized parts.components très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D.
C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bons reputatiaons.
De 6 pouces 4H de silicium de carbure gaufrettes de substrats sic pour la croissance épitaxiale de dispositif adaptée aux besoins du client 2
 
TAILLE DE TERRAIN COMMUNAL DE CATALOGUE                             
Gaufrette du type 4H-N/grande pureté sic
2 gaufrette de type n de pouce 4H sic
3 gaufrette de type n de pouce 4H sic
4 gaufrette de type n de pouce 4H sic
6 gaufrette de type n de pouce 4H sic

 

gaufrette pureté semi-isolante/grande de 4H sic

2 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
3 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
4 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
6 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
 
 
sic gaufrette 6H de type n
2 gaufrette de type n de pouce 6H sic

 
 
 

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Ventes et service à la clientèle               

Achat de matériaux

Le service des achats de matériaux est responsable pour recueillir toutes les matières premières requises pour fabriquer votre produit. La traçabilité complète de tous les produits et matériaux, y compris l'analyse chimique et physique sont toujours disponible.

Qualité

Pendant et après la fabrication ou l'usinage de vos produits, le département de contrôle de qualité est impliqué en veillant que tous les matériaux et tolérances répondent ou dépassent à vos spécifications.

 

Service

Nous nous glorifions en ayant le personnel d'ingénierie de ventes avec sur 5 ans d'expériences dans l'industrie de semi-conducteur. Elles sont formées pour répondre à des questions techniques aussi bien que pour fournir des citations opportunes pour vos besoins.

nous sommes sur votre côté par n'importe quand quand vous avez le problème, et le résolvons dans 10hours.