Bref: Regardez cette présentation pour découvrir pourquoi de nombreux professionnels s'intéressent au plateau en carbure de silicium CVD/SSiC de haute pureté pour le traitement des plaquettes de semi-conducteurs. Découvrez sa résistance mécanique exceptionnelle, sa stabilité thermique et sa précision dimensionnelle, conçus pour les applications industrielles exigeantes.
Caractéristiques Du Produit Connexes:
Conçu avec des fentes annulaires multi-zones pour réduire le poids et optimiser le flux thermique.
Comporte un réseau de nervures radiales renforcées pour une résistance mécanique et une stabilité rotationnelle accrues.
La surface usinée de haute précision garantit la planéité et l'uniformité de l'épaisseur pour les applications de semi-conducteurs.
L'interface de montage centralisée permet une installation sécurisée sur les arbres rotatifs et les systèmes automatisés.
Le renforcement structurel de la bague extérieure améliore la résistance aux vibrations et la stabilité de la charge périphérique.
Disponible en plusieurs matériaux haute performance, notamment le SSiC, le RBSiC, la céramique d'alumine et les métaux à haute résistance.
Idéal pour la fabrication de semi-conducteurs, la production de LED, le traitement de matériaux avancés et la machinerie de précision.
Offre une efficacité thermique, une durabilité structurelle, une stabilité de processus et une personnalisation pour divers besoins industriels.
FAQ:
Qu'est-ce qu'un plateau en céramique SiC ?
Un plateau en céramique SiC est un support de précision fabriqué à partir de carbure de silicium de haute pureté, conçu pour supporter, charger et transporter des plaquettes ou des substrats lors de la fabrication de semi-conducteurs, de LED, d'optiques et de procédés sous vide. Il offre une stabilité thermique exceptionnelle, une résistance mécanique et une résistance à la déformation dans des environnements difficiles.
Quels sont les avantages d'utiliser des plateaux en SiC par rapport aux plateaux en quartz, graphite ou aluminium ?
Les plateaux en SiC offrent des avantages de performance supérieurs, notamment une résistance aux hautes températures jusqu'à 1600-1800°C, une excellente conductivité thermique, une résistance mécanique exceptionnelle, une faible dilatation thermique, une haute résistance à la corrosion et une durée de vie plus longue dans des conditions de fabrication continues à fortes contraintes.
À quelles applications les plateaux en céramique SiC sont-ils principalement destinés ?
Les plateaux en carbure de silicium (SiC) sont largement utilisés dans la manipulation de plaquettes de semi-conducteurs, les procédés LPCVD, PECVD, MOCVD, le traitement thermique, le recuit, la diffusion, l'oxydation et l'épitaxie, le chargement de plaquettes de saphir/substrats optiques, les environnements à vide poussé et à haute température, et les plateformes de fixation de polissage ou de CMP de précision.