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Wafer SiC 4H de type N de qualité carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces DSP sur mesure
Détails sur le produit:
| Place of Origin: | China |
| Nom de marque: | ZMSH |
| Model Number: | Silicon Carbide |
Conditions de paiement et expédition:
| Délai de livraison: | 2 à 4 semaines |
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| Conditions de paiement: | T/T |
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Détail Infomation |
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| impureté: | Impureté libre/basse | Grade: | Simulacre de recherches de production |
|---|---|---|---|
| Résistance: | Résistivité haute-basse | Exclusion de bord: | ≤ 50 μm |
| Particule: | Particule libre/basse | Arc/chaîne: | ≤ 50 μm |
| TTV: | ≤2um | Finition de surface: | Latéral simple/double poli |
| Surligner: | Une gaufre SiC de 8 pouces.,Plaquettes en SiC 4H,Wafer SiC de qualité de production |
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Description de produit
Wafer SiC 4H de type N de qualité carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces DSP sur mesure
Description de la plaque de silicone:
La gaufre en carbure de silicium est fournie dans un type 4H n, qui est le type le plus couramment utilisé pour les gaufres en carbure de silicium.conductivité thermique élevée, et une grande stabilité chimique et mécanique.
La gaufre en carbure de silicium est disponible en trois catégories différentes: production, recherche et mannequin.La gaufre de qualité Production est conçue pour une utilisation dans des applications commerciales et est produite selon des normes de qualité strictesLa gaufre de qualité Research est conçue pour une utilisation dans les applications de recherche et développement et est produite selon des normes de qualité encore plus élevées.La gaufre de qualité mannequin est conçue pour être utilisée comme placeholder dans le processus de fabrication.
Le caractère de la gaufre SiC:
Les plaquettes en carbure de silicium (SiC) sont un matériau semi-conducteur clé qui joue un rôle important dans les appareils électroniques à haute puissance et à haute fréquence, entre autres applications.Voici quelques caractéristiques des plaquettes SiC:
1. Caractéristiques de l'écart de large bande:
Le SiC a une large bande passante, généralement entre 2,3 et 3,3 électronvolts, ce qui le rend excellent pour les applications à haute température et à haute puissance.Cette propriété d'écart large bande aide à réduire le courant de fuite dans le matériau et d'améliorer les performances du dispositif.
2Conductivité thermique:
Le SiC a une conductivité thermique très élevée, plusieurs fois supérieure à celle des plaquettes de silicium conventionnelles.Cette haute conductivité thermique facilite une dissipation de chaleur efficace dans les appareils électroniques à haute puissance et améliore la stabilité et la fiabilité des appareils.
3Propriétés mécaniques:
Le SiC a une excellente résistance mécanique et dureté, ce qui est important pour les applications à haute température et dans des environnements difficiles.et environnements à haut rayonnement, ce qui les rend adaptés à des applications nécessitant une résistance et une durabilité élevées.
4Stabilité chimique:
Le SiC a une résistance élevée à la corrosion chimique et peut résister à l'attaque de nombreux produits chimiques, il fonctionne donc bien dans certains environnements spéciaux où des performances stables sont requises.
5Propriétés électriques:
Le SiC a une tension de rupture élevée et un courant de fuite faible, ce qui le rend très utile dans les appareils électroniques haute tension et haute fréquence.Les plaquettes SiC ont une résistivité plus faible et une permissivité plus élevée, ce qui est essentiel pour les applications RF.
En général, les plaquettes SiC ont de larges perspectives d'application dans les appareils électroniques à haute puissance, les appareils RF et les appareils optoélectroniques en raison de leurs excellentes propriétés électriques, thermiques et mécaniques.
Tableau des caractéristiques des plaquettes SiC:
| Nom de l'article | 4H type n Wafer SiC de qualité P ((2 ~ 8 pouces) | ||||
| Diamètre | 500,8 ± 0,3 mm | 76.2 ± 0,3 mm | 1000,0 ± 0,3 mm | 1500,0 ± 0,5 mm | 2000,0 ± 0,5 mm |
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | 350 ± 25 μm | 350 ± 25 μm | 350 ± 25 μm | 500 ± 25 μm |
| Orientation de la surface | En dehors de l'axe:4° vers le bas <11-20>±0,5° | ||||
| L'orientation principale est plate | Parallèle à <11-20>±1° | Le niveau d'humidité doit être supérieur ou égal à: | |||
| Longueur plate primaire | 160,0 ± 1,5 mm | 220,0 ± 1,5 mm | 32.5 ± 2,0 mm | 47.5 ± 2,0 mm | Encastrement |
| Orientation à plat secondaire | Sicile face vers le haut: 90° CW. de la plaine primaire ± 5,0° | N/A | N/A | ||
| Longueur plate secondaire | 80,0 ± 1,5 mm | 110,0 ± 1,5 mm | 18.0 ± 2,0 mm | N/A | N/A |
| Résistance | 0.014 ¥0.028Ω•cm | ||||
| Finition de surface avant | Si-Face: CMP, Ra<0,5 nm | ||||
| Finition de surface arrière | La surface en C: polissage optique, Ra<1,0 nm | ||||
| Marque au laser | À l'arrière: face C. | ||||
| TTV | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 20 μm |
| - Je vous en prie. | ≤ 25 μm | ≤ 25 μm | ≤ 30 μm | ≤ 40 μm | ≤ 60 μm |
| Le WARP | ≤ 30 μm | ≤ 35 μm | ≤ 40 μm | ≤ 60 μm | ≤ 80 μm |
| Exclusion des bords | ≤ 3 mm | ||||
Une photo physique de SiC Wafer:
Applications de la gaufre SiC:
1. Appareils électroniques de puissance:
Les plaquettes SiC ont un large éventail d'applications dans le domaine des appareils électroniques de puissance tels que les MOSFET de puissance (transistors à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde métallique) et les SCHTKEY (diodes de barrière Schottky).La forte résistance au champ de décomposition et la grande vitesse de dérive de saturation électronique du matériau SiC en font un choix idéal pour les convertisseurs de puissance à haute densité de puissance et à haute efficacité.
2. Dispositifs à radiofréquence (RF):
Les plaquettes SiC trouvent également des applications importantes dans les appareils RF, tels que les amplificateurs de puissance RF et les appareils à micro-ondes.La haute mobilité électronique et la faible perte des matériaux SiC les rendent excellents dans les applications à haute fréquence et à haute puissance.
3Appareils optoélectroniques:
Les plaquettes SiC trouvent également de plus en plus d'applications dans les appareils optoélectroniques, tels que les photodiodes, les détecteurs de lumière ultraviolette et les diodes laser.Les excellentes propriétés optiques et la stabilité du matériau SiC en font un matériau important dans le domaine des appareils optoélectroniques.
4. Capteur de température élevée:
Les plaquettes SiC sont largement utilisées dans le domaine des capteurs à haute température en raison de leurs excellentes propriétés mécaniques et de leur stabilité à haute température.les radiations, et environnements corrosifs et sont adaptés aux secteurs aérospatial, énergétique et industriel.
5- appareils électroniques résistants aux rayonnements:
La résistance aux rayonnements des plaquettes de SiC les rend largement utilisées dans l'énergie nucléaire, l'aérospatiale et d'autres domaines où des caractéristiques de résistance aux rayonnements sont requises.Le matériau SiC a une grande stabilité au rayonnement et convient aux appareils électroniques dans un environnement à forte radiation.
Image de l'application de la plaque SiC:
Personnalisation de la gaufre SiC:
Nous nous engageons à fournir des solutions de plaquettes SiC personnalisées de haute qualité et de haute performance pour répondre aux divers besoins de nos clients.notre usine peut personnaliser des plaquettes SiC de différentes spécifications, épaisseurs et formes selon les exigences spécifiques de nos clients.
FAQ:
1Q: Quelle est la plus grande plaque de saphir?
Le saphir de 300 mm est désormais la plus grande gaufre pour les diodes électroluminescentes (LED) et les appareils électroniques grand public.
2Q: Quelle est la taille des gaufres en saphir?
R: Les diamètres de nos plaquettes standard varient de 25,4 mm (1 pouce) à 300 mm (11,8 pouce) de taille;les plaquettes peuvent être produites dans différentes épaisseurs et orientations avec des côtés poli ou non poli et peuvent inclure des dopants.
3Q: Quelle est la différence entre les plaquettes en saphir et en silicium?
R: Les LED sont les applications les plus populaires pour le saphir. Le matériau est transparent et un excellent conducteur de lumière.le silicium est opaque et ne permet pas une extraction efficace de la lumièreCependant, le matériau semi-conducteur est idéal pour les LED, car il est à la fois bon marché et transparent.
Recommandation du produit:
2.Substrate SiC de 4 pouces 4H-N
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