Pourquoi les équipements semi-conducteurs haut de gamme dépendent des composants CVD SiC

Méta-description :
Le CVD SiC devient un matériau essentiel pour les équipements semi-conducteurs avancés. Découvrez pourquoi les composants CVD en carbure de silicium de haute pureté sont essentiels pour la gravure, le dépôt, l'épitaxie et d'autres processus semi-conducteurs exigeants.

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Alors que l’industrie mondiale des semi-conducteurs continue d’évoluer vers une plus grande précision, un rendement plus élevé et des nœuds de fabrication plus avancés, la demande de matériaux d’équipement critiques augmente rapidement. Parmi ces matériaux,CVD SiC, également connu sous le nomcarbure de silicium par dépôt chimique en phase vapeur, est devenu l'un des choix les plus importants pour les composants d'équipements semi-conducteurs haut de gamme.

 

Dans la fabrication de semi-conducteurs, des processus clés tels que la gravure au plasma, le dépôt de couches minces, la croissance épitaxiale, le nettoyage de tranches et l'implantation ionique fonctionnent tous dans des conditions extrêmement difficiles. Les pièces d'équipement sont exposées à des gaz corrosifs, à des plasmas à haute énergie, à des températures élevées, à des champs électriques puissants et à des exigences strictes en matière de contrôle de la contamination. Les métaux ordinaires, le quartz, le graphite ou les céramiques conventionnelles ont souvent du mal à répondre à ces conditions exigeantes.

 

C'est pourquoiComposants CVD SiCsont de plus en plus utilisés dans les équipements semi-conducteurs avancés. Avec une pureté, une stabilité chimique, une résistance au plasma, une conductivité thermique et une résistance mécanique excellentes, le CVD SiC est devenu un matériau de base pour de nombreuses pièces semi-conductrices critiques.

 

ÀZMSH, nous suivons de près le développement de matériaux semi-conducteurs avancés et fournissons des solutions matérielles de haute qualité aux clients des domaines des semi-conducteurs, de l'optoélectronique et de l'industrie haute performance.

Qu’est-ce que le CVD-SiC ?

CVD SiC est un matériau en carbure de silicium de haute pureté produit pardépôt chimique en phase vapeur. Contrairement au carbure de silicium fritté traditionnel, qui est formé à partir de matériaux en poudre, le CVD SiC est développé atome par atome par le biais de réactions chimiques en phase gazeuse.
 

Au cours du processus CVD, des précurseurs gazeux contenant du silicium et du carbone sont introduits dans une chambre de réaction à haute température, généralement supérieure à 1 300 °C. Ces gaz se décomposent et réagissent à la surface d'un substrat, formant progressivement une couche dense de carbure de silicium.
 

Ce procédé de fabrication unique confère au CVD SiC de nombreux avantages difficiles à obtenir avec les méthodes conventionnelles de formage de la céramique.

Avantages clés du CVD SiC pour les équipements semi-conducteurs

1. Ultra-haute pureté

L’une des exigences les plus importantes dans la fabrication de semi-conducteurs est le contrôle de la contamination. Même des traces d'impuretés métalliques telles que le fer, le nickel, le chrome ou le sodium peuvent affecter négativement les performances et le rendement de l'appareil.

 

Le SiC CVD peut atteindre une pureté extrêmement élevée car le processus de dépôt peut être contrôlé avec précision au niveau atomique. Comparé au SiC fritté classique, le SiC CVD présente moins d'impuretés, une meilleure uniformité et des propriétés matérielles plus stables.

 

Cela le rend parfaitement adapté aux équipements semi-conducteurs avancés où la propreté et la stabilité des processus sont essentielles.

2. Structure Dense et Sans Pores

Le carbure de silicium fritté traditionnel peut contenir des pores microscopiques entre les grains de céramique. Dans les environnements de gravure plasma ou de gaz corrosifs, ces pores peuvent devenir des points faibles. Des gaz corrosifs peuvent pénétrer dans le matériau, provoquant une corrosion interne, des fissures, la génération de particules ou la défaillance de composants.
 

Le SiC CVD, cependant, est déposé couche par couche par une réaction en phase vapeur. Le matériau obtenu est extrêmement dense et présente une très faible porosité. Cela lui confère une excellente résistance aux plasmas fluorés et chlorés, à l’oxydation à haute température et aux environnements chimiques agressifs.
 

En raison de sa structure dense, le CVD SiC contribue également à réduire la contamination des particules à l'intérieur des chambres de traitement des semi-conducteurs, améliorant ainsi la stabilité de l'équipement et le rendement des plaquettes.

3. Excellente résistance au plasma et à la corrosion

Les équipements de gravure plasma fonctionnent dans des environnements très agressifs. Les composants à l’intérieur de la chambre sont continuellement exposés à des ions énergétiques, des radicaux réactifs et des gaz corrosifs.

 

CVD SiC présente une excellente résistance à l’érosion plasma. Il peut maintenir la stabilité dimensionnelle et l’intégrité de la surface plus longtemps que de nombreux matériaux traditionnels. Cela permet de prolonger la durée de vie des pièces d’équipement et de réduire la fréquence de maintenance.

 

Pour les fabricants de semi-conducteurs, une durée de vie plus longue des composants et une génération moindre de particules contribuent directement à une productivité plus élevée et à une réduction des coûts d’exploitation globaux.

4. Haute stabilité thermique

De nombreux processus semi-conducteurs sont réalisés à des températures élevées. La croissance épitaxiale, le traitement thermique rapide et certains processus CVD nécessitent des composants capables de résister à des charges thermiques élevées sans déformation, contamination ou dégradation des performances.

CVD SiC offre une stabilité thermique et une conductivité thermique exceptionnelles. Il permet de maintenir une répartition uniforme de la température sur la tranche, ce qui est essentiel à la cohérence du processus et à l’uniformité du film.

 

5. Convient aux formes complexes

Un autre avantage majeur de la technologie CVD est sa capacité à revêtir des surfaces complexes. Étant donné que le SiC CVD est formé à partir de précurseurs en phase gazeuse, le revêtement peut être déposé sur des surfaces tridimensionnelles, des trous profonds, des structures courbes, des tubes et des substrats en graphite aux géométries complexes.

 

Cela rend le CVD SiC particulièrement utile pour les pièces semi-conductrices personnalisées telles que les supports de tranches, les suscepteurs, les revêtements de chambre, les bagues de focalisation, les anneaux de bord et les pommes de douche.

 

Principales applications du CVD SiC dans les équipements semi-conducteurs

Le CVD SiC est largement utilisé dans de nombreux processus critiques de fabrication de semi-conducteurs. Ses excellentes performances le rendent adapté aussi bien aux composants structurels qu’aux revêtements de protection.

 

1. Équipement de gravure au plasma : bagues de focalisation et revêtements de chambre

La gravure au plasma est l’un des processus les plus exigeants dans la fabrication de semi-conducteurs. L'environnement de la chambre contient souvent des gaz à base de fluor ou de chlore, du plasma à haute énergie et des champs électriques puissants.

 

Dans cet environnement, le CVD SiC est largement utilisé pour des composants tels que :

• Bagues de mise au point
• Anneaux de bord
• Revêtements de chambre
• Boucliers de protection
• Pièces face au plasma

UNBague de mise au point CVD SiCest généralement installé autour de la tranche sur le mandrin électrostatique. Sa fonction est d'aider à contrôler la distribution du champ électrique, à stabiliser la gaine du plasma et à améliorer l'uniformité du processus près du bord de la tranche.

 

En même temps, la bague de mise au point agit comme une barrière protectrice pour les pièces sensibles telles que les électrodes et les mandrins électrostatiques. Il réduit le bombardement direct du plasma et la corrosion chimique, contribuant ainsi à prolonger la durée de vie des équipements.

 

Étant donné que le CVD SiC présente une excellente résistance au plasma et une faible génération de particules, il constitue l'un des matériaux préférés pour les équipements de gravure avancés.

 

2. Dépôt de couches minces et épitaxie : suscepteurs et pommes de douche

CVD SiC joue également un rôle essentiel dans les équipements de croissance épitaxiale et de dépôt de couches minces.

 

Dans les procédés d'épitaxie Si, SiC et GaN, le suscepteur de la tranche doit résister à des températures élevées, à des gaz corrosifs et à des cycles thermiques répétés. Les suscepteurs en graphite à revêtement CVD SiC sont largement utilisés car ils combinent les avantages thermiques du graphite avec la stabilité chimique et la propreté du SiC.

 

Le revêtement CVD SiC protège le substrat en graphite de la corrosion, de l'oxydation et de la génération de particules tout en conservant de bonnes performances thermiques.

 

Une autre application importante est lapomme de douche à gaz. Dans les processus PECVD, ALD et autres processus de dépôt, la pomme de douche distribue les gaz de processus uniformément sur la surface de la tranche. Étant donné que la pomme de douche est directement exposée au plasma et aux gaz réactifs, le choix des matériaux est extrêmement important.

 

Les pommes de douche CVD SiC offrent une bonne résistance à la corrosion, une bonne stabilité du plasma et des propriétés électriques, aidant à maintenir une distribution uniforme du gaz et un dépôt de film stable.

3. Nettoyage des plaquettes, implantation ionique et traitement thermique

Au-delà de la gravure et du dépôt, le CVD SiC est également utilisé dans de nombreux autres modules d'équipements semi-conducteurs.

 

Dans les systèmes de nettoyage de plaquettes, les composants CVD SiC peuvent résister aux produits chimiques agressifs et aux environnements de nettoyage de haute pureté. Dans les équipements d'implantation ionique, le CVD SiC peut être utilisé pour les pièces de chambre cible et les composants de blindage, où il doit résister à un bombardement ionique à haute énergie.

 

Dans les équipements de traitement thermique rapide et de four, les bateaux et supports de plaquettes à revêtement CVD SiC offrent une pureté de surface améliorée, une meilleure résistance à la corrosion et une durée de vie plus longue par rapport aux composants en céramique ou en graphite non revêtus.

 

Défis techniques dans la fabrication CVD SiC

Bien que le CVD SiC offre des performances exceptionnelles, la fabrication de composants CVD SiC haut de gamme de qualité semi-conducteur est techniquement difficile.
 

1. Purification des précurseurs et contrôle de la contamination

Le CVD SiC de qualité semi-conducteur nécessite des matières premières d'ultra haute pureté. Toute contamination provenant de sources de gaz, de chambres de réaction, de pipelines, d'accessoires ou de substrats peut pénétrer dans la couche de SiC déposée.

Par conséquent, un contrôle strict de la pureté des précurseurs, de la propreté des équipements et de l’environnement de production est essentiel.
 

2. Dépôt uniforme de grande taille

Pour les revêtements CVD SiC de grande surface ou épais, il est difficile de maintenir une épaisseur uniforme et une qualité cristalline constante. Des contraintes internes, des déformations, des fissures et des dépôts inégaux peuvent survenir si le processus n'est pas bien contrôlé.

Les composants CVD SiC de grande taille nécessitent un équipement de dépôt avancé et un contrôle précis du processus.
 

3. Usinage d’ultra-précision

Le CVD SiC est extrêmement dur et cassant. Sa dureté Mohs peut atteindre environ 9,5, ce qui la rend très difficile à usiner, meuler et polir.

Pour les pièces d’équipements semi-conducteurs, la rugosité de la surface, la précision dimensionnelle et la qualité des bords sont essentielles. Réaliser un polissage au niveau nanométrique et un usinage de structures complexes nécessite un équipement de pointe et une forte capacité de processus.



 

La demande croissante de CVD SiC dans la localisation de semi-conducteurs

 

Avec le développement continu de la fabrication avancée de semi-conducteurs, la demande de pièces CVD SiC de haute pureté et de haute précision augmente rapidement.

 

Pendant de nombreuses années, les composants CVD SiC haut de gamme étaient principalement fournis par des fabricants étrangers. Cependant, à mesure que les chaînes d'approvisionnement nationales en équipements et matériaux de semi-conducteurs continuent de se développer, le CVD SiC devient une direction importante pour la localisation et la sécurité de la chaîne d'approvisionnement.

 

Le marché passe d’une disponibilité de base à une fiabilité haute performance. À l’avenir, une pureté plus élevée, une taille plus grande, une meilleure uniformité et un usinage plus précis deviendront des tendances clés de développement pour les composants CVD SiC.

ZMSH : prise en charge des applications avancées de matériaux semi-conducteurs
 

En tant que fournisseur axé sur les matériaux avancés pour les industries des semi-conducteurs et de haute technologie,ZMSHaccorde une attention particulière à l'application croissante du CVD SiC et des matériaux semi-conducteurs associés.

 

Qu'ils soient utilisés dans la gravure au plasma, le dépôt de couches minces, la croissance épitaxiale, la manipulation de tranches ou le traitement thermique, les composants CVD SiC deviennent essentiels aux performances et à la stabilité des équipements semi-conducteurs avancés.

 

ZMSH s'engage à fournir à ses clients des solutions matérielles fiables, un support technique professionnel et des services produits personnalisés pour les applications industrielles et semi-conductrices exigeantes.

 

Conclusion

Le CVD SiC est devenu l'un des matériaux les plus importants pour les équipements semi-conducteurs haut de gamme. Sa très haute pureté, sa structure dense, son excellente résistance au plasma, sa résistance à la corrosion, sa stabilité thermique et son adéquation aux formes complexes le rendent idéal pour les composants critiques utilisés dans la gravure, le dépôt, l'épitaxie, le nettoyage, l'implantation ionique et le traitement thermique.

 

À mesure que la fabrication de semi-conducteurs continue de progresser, le rôle du CVD SiC deviendra encore plus important. Pour les fabricants d’équipements et les usines de fabrication de plaquettes, le choix de composants CVD SiC de haute qualité n’est pas seulement une décision matérielle, mais également un facteur clé pour améliorer la stabilité du processus, réduire la contamination et augmenter le rendement des dispositifs.

ZMSH continuera à soutenir le développement de matériaux semi-conducteurs avancés et à fournir des solutions de haute qualité aux clients mondiaux.
 

CVD SiC est un matériau en carbure de silicium de haute pureté produit pardépôt chimique en phase vapeur. Contrairement au carbure de silicium fritté traditionnel, qui est formé à partir de matériaux en poudre, le CVD SiC est développé atome par atome par le biais de réactions chimiques en phase gazeuse.
 

Au cours du processus CVD, des précurseurs gazeux contenant du silicium et du carbone sont introduits dans une chambre de réaction à haute température, généralement supérieure à 1 300 °C. Ces gaz se décomposent et réagissent à la surface d'un substrat, formant progressivement une couche dense de carbure de silicium.

 

Ce procédé de fabrication unique confère au CVD SiC de nombreux avantages difficiles à obtenir avec les méthodes conventionnelles de formage de la céramique.
 

Avantages clés du CVD SiC pour les équipements semi-conducteurs

1. Ultra-haute pureté

L’une des exigences les plus importantes dans la fabrication de semi-conducteurs est le contrôle de la contamination. Même des traces d'impuretés métalliques telles que le fer, le nickel, le chrome ou le sodium peuvent affecter négativement les performances et le rendement de l'appareil.

 

Le SiC CVD peut atteindre une pureté extrêmement élevée car le processus de dépôt peut être contrôlé avec précision au niveau atomique. Comparé au SiC fritté classique, le SiC CVD présente moins d'impuretés, une meilleure uniformité et des propriétés matérielles plus stables.
 

Cela le rend parfaitement adapté aux équipements semi-conducteurs avancés où la propreté et la stabilité des processus sont essentielles.

2. Structure Dense et Sans Pores

Le carbure de silicium fritté traditionnel peut contenir des pores microscopiques entre les grains de céramique. Dans les environnements de gravure plasma ou de gaz corrosifs, ces pores peuvent devenir des points faibles. Des gaz corrosifs peuvent pénétrer dans le matériau, provoquant une corrosion interne, des fissures, la génération de particules ou la défaillance de composants.

Le SiC CVD, cependant, est déposé couche par couche par une réaction en phase vapeur. Le matériau obtenu est extrêmement dense et présente une très faible porosité. Cela lui confère une excellente résistance aux plasmas fluorés et chlorés, à l’oxydation à haute température et aux environnements chimiques agressifs.

En raison de sa structure dense, le CVD SiC contribue également à réduire la contamination des particules à l'intérieur des chambres de traitement des semi-conducteurs, améliorant ainsi la stabilité de l'équipement et le rendement des plaquettes.

3. Excellente résistance au plasma et à la corrosion

Les équipements de gravure plasma fonctionnent dans des environnements très agressifs. Les composants à l’intérieur de la chambre sont continuellement exposés à des ions énergétiques, des radicaux réactifs et des gaz corrosifs.

CVD SiC présente une excellente résistance à l’érosion plasma. Il peut maintenir la stabilité dimensionnelle et l’intégrité de la surface plus longtemps que de nombreux matériaux traditionnels. Cela permet de prolonger la durée de vie des pièces d’équipement et de réduire la fréquence de maintenance.

Pour les fabricants de semi-conducteurs, une durée de vie plus longue des composants et une génération moindre de particules contribuent directement à une productivité plus élevée et à une réduction des coûts d’exploitation globaux.

4. Haute stabilité thermique

De nombreux processus semi-conducteurs sont réalisés à des températures élevées. La croissance épitaxiale, le traitement thermique rapide et certains processus CVD nécessitent des composants capables de résister à des charges thermiques élevées sans déformation, contamination ou dégradation des performances.

CVD SiC offre une stabilité thermique et une conductivité thermique exceptionnelles. Il permet de maintenir une répartition uniforme de la température sur la tranche, ce qui est essentiel à la cohérence du processus et à l’uniformité du film.

5. Convient aux formes complexes

Un autre avantage majeur de la technologie CVD est sa capacité à revêtir des surfaces complexes. Étant donné que le SiC CVD est formé à partir de précurseurs en phase gazeuse, le revêtement peut être déposé sur des surfaces tridimensionnelles, des trous profonds, des structures courbes, des tubes et des substrats en graphite aux géométries complexes.

Cela rend le CVD SiC particulièrement utile pour les pièces semi-conductrices personnalisées telles que les supports de tranches, les suscepteurs, les revêtements de chambre, les bagues de focalisation, les anneaux de bord et les pommes de douche.

Principales applications du CVD SiC dans les équipements semi-conducteurs

Le CVD SiC est largement utilisé dans de nombreux processus critiques de fabrication de semi-conducteurs. Ses excellentes performances le rendent adapté aussi bien aux composants structurels qu’aux revêtements de protection.

1. Équipement de gravure au plasma : bagues de focalisation et revêtements de chambre

La gravure au plasma est l’un des processus les plus exigeants dans la fabrication de semi-conducteurs. L'environnement de la chambre contient souvent des gaz à base de fluor ou de chlore, du plasma à haute énergie et des champs électriques puissants.

Dans cet environnement, le CVD SiC est largement utilisé pour des composants tels que :

• Bagues de mise au point
• Anneaux de bord
• Revêtements de chambre
• Boucliers de protection
• Pièces face au plasma

UNBague de mise au point CVD SiCest généralement installé autour de la tranche sur le mandrin électrostatique. Sa fonction est d'aider à contrôler la distribution du champ électrique, à stabiliser la gaine du plasma et à améliorer l'uniformité du processus près du bord de la tranche.

 

En même temps, la bague de mise au point agit comme une barrière protectrice pour les pièces sensibles telles que les électrodes et les mandrins électrostatiques. Il réduit le bombardement direct du plasma et la corrosion chimique, contribuant ainsi à prolonger la durée de vie des équipements.

 

Étant donné que le CVD SiC présente une excellente résistance au plasma et une faible génération de particules, il constitue l'un des matériaux préférés pour les équipements de gravure avancés.

2. Dépôt de couches minces et épitaxie : suscepteurs et pommes de douche

CVD SiC joue également un rôle essentiel dans les équipements de croissance épitaxiale et de dépôt de couches minces.

 

Dans les procédés d'épitaxie Si, SiC et GaN, le suscepteur de la tranche doit résister à des températures élevées, à des gaz corrosifs et à des cycles thermiques répétés. Les suscepteurs en graphite à revêtement CVD SiC sont largement utilisés car ils combinent les avantages thermiques du graphite avec la stabilité chimique et la propreté du SiC.

 

Le revêtement CVD SiC protège le substrat en graphite de la corrosion, de l'oxydation et de la génération de particules tout en conservant de bonnes performances thermiques.

 

Une autre application importante est lapomme de douche à gaz. Dans les processus PECVD, ALD et autres processus de dépôt, la pomme de douche distribue les gaz de processus uniformément sur la surface de la tranche. Étant donné que la pomme de douche est directement exposée au plasma et aux gaz réactifs, le choix des matériaux est extrêmement important.

 

Les pommes de douche CVD SiC offrent une bonne résistance à la corrosion, une bonne stabilité du plasma et des propriétés électriques, aidant à maintenir une distribution uniforme du gaz et un dépôt de film stable.
 

3. Nettoyage des plaquettes, implantation ionique et traitement thermique

Au-delà de la gravure et du dépôt, le CVD SiC est également utilisé dans de nombreux autres modules d'équipements semi-conducteurs.

Dans les systèmes de nettoyage de plaquettes, les composants CVD SiC peuvent résister aux produits chimiques agressifs et aux environnements de nettoyage de haute pureté. Dans les équipements d'implantation ionique, le CVD SiC peut être utilisé pour les pièces de chambre cible et les composants de blindage, où il doit résister à un bombardement ionique à haute énergie.

Dans les équipements de traitement thermique rapide et de four, les bateaux et supports de plaquettes à revêtement CVD SiC offrent une pureté de surface améliorée, une meilleure résistance à la corrosion et une durée de vie plus longue par rapport aux composants en céramique ou en graphite non revêtus.

Défis techniques dans la fabrication CVD SiC

Bien que le CVD SiC offre des performances exceptionnelles, la fabrication de composants CVD SiC haut de gamme de qualité semi-conducteur est techniquement difficile.

1. Purification des précurseurs et contrôle de la contamination

Le CVD SiC de qualité semi-conducteur nécessite des matières premières d'ultra haute pureté. Toute contamination provenant de sources de gaz, de chambres de réaction, de pipelines, d'accessoires ou de substrats peut pénétrer dans la couche de SiC déposée.

Par conséquent, un contrôle strict de la pureté des précurseurs, de la propreté des équipements et de l’environnement de production est essentiel.

2. Dépôt uniforme de grande taille

Pour les revêtements CVD SiC de grande surface ou épais, il est difficile de maintenir une épaisseur uniforme et une qualité cristalline constante. Des contraintes internes, des déformations, des fissures et des dépôts inégaux peuvent survenir si le processus n'est pas bien contrôlé.

Les composants CVD SiC de grande taille nécessitent un équipement de dépôt avancé et un contrôle précis du processus.

3. Usinage d’ultra-précision

Le CVD SiC est extrêmement dur et cassant. Sa dureté Mohs peut atteindre environ 9,5, ce qui la rend très difficile à usiner, meuler et polir.

Pour les pièces d’équipements semi-conducteurs, la rugosité de la surface, la précision dimensionnelle et la qualité des bords sont essentielles. Réaliser un polissage au niveau nanométrique et un usinage de structures complexes nécessite un équipement de pointe et une forte capacité de processus.

La demande croissante de CVD SiC dans la localisation de semi-conducteurs

Avec le développement continu de la fabrication avancée de semi-conducteurs, la demande de pièces CVD SiC de haute pureté et de haute précision augmente rapidement.

Pendant de nombreuses années, les composants CVD SiC haut de gamme étaient principalement fournis par des fabricants étrangers. Cependant, à mesure que les chaînes d'approvisionnement nationales en équipements et matériaux de semi-conducteurs continuent de se développer, le CVD SiC devient une direction importante pour la localisation et la sécurité de la chaîne d'approvisionnement.

Le marché passe d’une disponibilité de base à une fiabilité haute performance. À l’avenir, une pureté plus élevée, une taille plus grande, une meilleure uniformité et un usinage plus précis deviendront des tendances clés de développement pour les composants CVD SiC.

ZMSH : prise en charge des applications avancées de matériaux semi-conducteurs

En tant que fournisseur axé sur les matériaux avancés pour les industries des semi-conducteurs et de haute technologie,ZMSHaccorde une attention particulière à l'application croissante du CVD SiC et des matériaux semi-conducteurs associés.

 

Qu'ils soient utilisés dans la gravure au plasma, le dépôt de couches minces, la croissance épitaxiale, la manipulation de tranches ou le traitement thermique, les composants CVD SiC deviennent essentiels aux performances et à la stabilité des équipements semi-conducteurs avancés.

 

ZMSH s'engage à fournir à ses clients des solutions matérielles fiables, un support technique professionnel et des services produits personnalisés pour les applications industrielles et semi-conductrices exigeantes.

 

Conclusion

Le CVD SiC est devenu l'un des matériaux les plus importants pour les équipements semi-conducteurs haut de gamme. Sa très haute pureté, sa structure dense, son excellente résistance au plasma, sa résistance à la corrosion, sa stabilité thermique et son adéquation aux formes complexes le rendent idéal pour les composants critiques utilisés dans la gravure, le dépôt, l'épitaxie, le nettoyage, l'implantation ionique et le traitement thermique.

 

À mesure que la fabrication de semi-conducteurs continue de progresser, le rôle du CVD SiC deviendra encore plus important. Pour les fabricants d’équipements et les usines de fabrication de plaquettes, le choix de composants CVD SiC de haute qualité n’est pas seulement une décision matérielle, mais également un facteur clé pour améliorer la stabilité du processus, réduire la contamination et augmenter le rendement des dispositifs.

 

ZMSH continuera à soutenir le développement de matériaux semi-conducteurs avancés et à fournir des solutions de haute qualité aux clients mondiaux.