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Processus TGV (à travers le verre)

Processus TGV (à travers le verre)

2026-06-08

Processus TGV (à travers le verre)

 

TGV (à travers le verre)Via)est unavancé conditionnementtechnologie qui crée verticalement des microvias dans des substrats de verre ultra-fins et les métallise pouractiver verticaleinterconnexion entrepuces. Mettant en vedettefaibleperteen hautfréquences, faible thermiquestresseret des avantages en termes de coûts, le TGV estconsidérécomme l'une des solutions clés pour2,5D/3Dconditionnementet Chipletintégration.

 

dernières nouvelles de l'entreprise Processus TGV (à travers le verre)  0

Cœur Principe

Le TGVprocessus implique fabricationtrous traversants à l'échelle du micron,typiquement 10 à 50 μmdansdiamètre, dansSubstrats en verre ultra-fins de 100 à 700 μmcomme le verre borosilicaté ou le quartz. Cesviasont alors remplis decuivrepar galvanoplastie pour formerverticaleconducteurchaînes, servant dealternativeau traditionnelInterposeurs en silicium TSV.


Standard Processus Couler

1. Prétraitement du substrat

Le substrat en verre est nettoyé, séché et recouvert de résine photosensible, suivi d'une photolithographie pourretirercontaminants etdéfinirlevia motifs.

2.Laser Via Formation

C'est lecœurétape du TGVprocessus. Un ultrarapidelaser, comme une picoseconde ou une femtosecondelaser, est focalisé à l'intérieur du verre pourinduiredes microfissures oumodifié régions, formant desaspect-rapport via chaînes. Leaspect rapportpeut atteindre jusqu'à150:1, avecvia diamètresaussi petit que3 μmet trou à trouuniformité dépassement 95%à travers des millions devia.

3. MouilléGravure/ViaAgrandissement / Nettoyage

HF ou BHFgravureest utilisé pourretirerlelaser-modifié régions, lisser leviaparois latérales, etprécisémentcontrôler la finalevia diamètre. Le substrat est alorssoigneusementnettoyé àretirer résiduelimpuretés.

4. Métallisation

GraineCoucheDéposition:
Un germe Ti/Cu ou AlN/Cucoucheestdéposéen pulvérisant surassurerfortadhésionauviaparois latérales.

CuivreGalvanoplastie :
Impulsionou la galvanoplastie DC est utilisée pour obtenir une finition complète et sans vide.cuivreremplir à l'intérieur duvia.

Surface Traitement:
CMP est effectué pour planariser lesurface, suivi d'un revêtement anti-oxydation sirequis.

 

dernières nouvelles de l'entreprise Processus TGV (à travers le verre)  1

5. Formation RDL / Cognement

Une couche de redistribution est fabriquée avec une capacité de lignes/espaces fins, généralement≤2 μm, suivi du placement d'une bille de soudure ou de la formation d'un pilier en cuivre pour une liaison ultérieure des puces.

 

dernières nouvelles de l'entreprise Processus TGV (à travers le verre)  2

6. Tests / Découpage

Des tests électriques sont effectués, suivis du découpage des tranches et de l'inspection du produit final.

 

 

Résumé

Avec ses avantages deperformances haute fréquence à faibles pertes, faible contrainte thermique et coût compétitif, le TGV est devenu une technologie clé pour l'interconnexion 3D dans l'ère post-Moore. Ses principales avancées techniques résident danslaser via formation et galvanoplastie du cuivre sans vide. À mesure que la technologie évoluera vers une production de masse en 2026, elle devrait jouer un rôle important dansInformatique IA, appareils RF 5G/6G, packaging avancé et intégration Chiplet.

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TGV (à travers le verre)Via)est unavancé conditionnementtechnologie qui crée verticalement des microvias dans des substrats de verre ultra-fins et les métallise pouractiver verticaleinterconnexion entrepuces. Mettant en vedettefaibleperteen hautfréquences, faible thermiquestresseret des avantages en termes de coûts, le TGV estconsidérécomme l'une des solutions clés pour2,5D/3Dconditionnementet Chipletintégration.

 

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Le TGVprocessus implique fabricationtrous traversants à l'échelle du micron,typiquement 10 à 50 μmdansdiamètre, dansSubstrats en verre ultra-fins de 100 à 700 μmcomme le verre borosilicaté ou le quartz. Cesviasont alors remplis decuivrepar galvanoplastie pour formerverticaleconducteurchaînes, servant dealternativeau traditionnelInterposeurs en silicium TSV.


Standard Processus Couler

1. Prétraitement du substrat

Le substrat en verre est nettoyé, séché et recouvert de résine photosensible, suivi d'une photolithographie pourretirercontaminants etdéfinirlevia motifs.

2.Laser Via Formation

C'est lecœurétape du TGVprocessus. Un ultrarapidelaser, comme une picoseconde ou une femtosecondelaser, est focalisé à l'intérieur du verre pourinduiredes microfissures oumodifié régions, formant desaspect-rapport via chaînes. Leaspect rapportpeut atteindre jusqu'à150:1, avecvia diamètresaussi petit que3 μmet trou à trouuniformité dépassement 95%à travers des millions devia.

3. MouilléGravure/ViaAgrandissement / Nettoyage

HF ou BHFgravureest utilisé pourretirerlelaser-modifié régions, lisser leviaparois latérales, etprécisémentcontrôler la finalevia diamètre. Le substrat est alorssoigneusementnettoyé àretirer résiduelimpuretés.

4. Métallisation

GraineCoucheDéposition:
Un germe Ti/Cu ou AlN/Cucoucheestdéposéen pulvérisant surassurerfortadhésionauviaparois latérales.

CuivreGalvanoplastie :
Impulsionou la galvanoplastie DC est utilisée pour obtenir une finition complète et sans vide.cuivreremplir à l'intérieur duvia.

Surface Traitement:
CMP est effectué pour planariser lesurface, suivi d'un revêtement anti-oxydation sirequis.

 

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5. Formation RDL / Cognement

Une couche de redistribution est fabriquée avec une capacité de lignes/espaces fins, généralement≤2 μm, suivi du placement d'une bille de soudure ou de la formation d'un pilier en cuivre pour une liaison ultérieure des puces.

 

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6. Tests / Découpage

Des tests électriques sont effectués, suivis du découpage des tranches et de l'inspection du produit final.

 

 

Résumé

Avec ses avantages deperformances haute fréquence à faibles pertes, faible contrainte thermique et coût compétitif, le TGV est devenu une technologie clé pour l'interconnexion 3D dans l'ère post-Moore. Ses principales avancées techniques résident danslaser via formation et galvanoplastie du cuivre sans vide. À mesure que la technologie évoluera vers une production de masse en 2026, elle devrait jouer un rôle important dansInformatique IA, appareils RF 5G/6G, packaging avancé et intégration Chiplet.