La production de semi-conducteurs à base de carbure de silicium va passer de 6 pouces à 8 pouces
July 1, 2024
La production de semi-conducteurs à base de carbure de silicium va passer de 6 pouces à 8 pouces
Le processus de production des semi-conducteurs de puissance au carbure de silicium (SiC) doit passer de 6 pouces à 8 pouces.fournissant des semi-conducteurs de puissance SiC sur le marché à des prix compétitifsLa transition commencera au troisième trimestre 2025.
Amélioration de l'efficacité de la production
Francesco Muggeri, vice-président de Power Discrete and Analog Products, a partagé ses idées dans une récente interview.Mais nous prévoyons de passer progressivement à 8 pouces à partir du troisième trimestre de l'année prochaine."Avec l'augmentation de la taille des plaquettes, chaque plaquette peut produire plus de puces, réduisant ainsi le coût de production par puce.Cette décision stratégique devrait répondre à la demande croissante du marché et stabiliser les prix..
Plans mondiaux de transition
L'entreprise a défini un plan global pour cette transition. Le passage à des plaquettes de 8 pouces commencera dans son usine de plaquettes SiC à Catania, en Italie, au troisième trimestre de l'année prochaine.leur usine de Singapour va également passer à des plaquettes de 8 poucesEn outre, une entreprise commune en Chine devrait commencer la production de plaquettes SiC de 8 pouces au quatrième trimestre de la même année.
Dynamique du marché et projections futures
Le scénario actuel du marché des semi-conducteurs de puissance SiC est caractérisé par une forte demande et des prix élevés.Les produits vendus aujourd'hui sont basés sur des commandes de plus de deux ansMais nous prévoyons que les cotations pour 2027 et au-delà seront inférieures de 15 à 20% aux prix actuels, ce qui indique un certain niveau de stabilisation des prix des semi-conducteurs SiC", a-t-il expliqué.
Impact sur le marché des véhicules électriques
En réponse aux inquiétudes suscitées par le ralentissement potentiel du marché mondial des véhicules électriques, Muggeri est resté optimiste.Alors que la croissance a ralenti dans certains des pays à croissance la plus rapide, tels que l'EuropeLa demande de semi-conducteurs n'a pas diminué de façon significative dans les États-Unis et en Corée du Sud.et la demande de semi-conducteurs de puissance SiC reste forte" Muggeri a noté.
Il a souligné les avantages des semi-conducteurs de puissance SiC dans les véhicules électriques, tels qu'une augmentation de 18 à 20% de la portée de conduite.Le taux d'adoption des semi-conducteurs de puissance SiC dans les voitures devrait passer de 15% actuel à 60% dans le futur"La technologie SiC jouera un rôle essentiel dans l'évolution de l'industrie automobile.
Conclusion
La transition vers les plaquettes SiC de 8 pouces marque un pas en avant important pour répondre à la demande croissante de semi-conducteurs de puissance efficaces et rentables.Cette démarche stratégique est destinée à renforcer les capacités de production et à stabiliser les prix du marché, soutenant les progrès en cours dans la technologie des véhicules électriques et au-delà.
Des plaquettes de SiC de 8 pouces sont disponibles maintenant (cliquez sur l'image pour plus)
Cette étude présente la caractérisation d'une plaque de carbure de silicium (SiC) de type 4H-N de 8 pouces destinée aux applications de semi-conducteurs.a été fabriqué selon des techniques de pointe et est doté d'impuretés de type nDes techniques de caractérisation comprenant la diffraction par rayons X (XRD), la microscopie électronique par balayage (SEM) et les mesures de l'effet Hall ont été utilisées pour évaluer la qualité du cristal, la morphologie de la surface, la résistance à l'oxydation et la résistance à l'oxydation.et propriétés électriques de la gaufreL'analyse XRD a confirmé la structure poly-type 4H de la plaque SiC, tandis que l'imagerie SEM a révélé une morphologie de surface uniforme et sans défaut.