Une nouvelle gaufre SiC de 12 pouces lancée, révolutionnant l'industrie des semi-conducteurs haute performance

Une nouvelle gaufre SiC de 12 pouces lancée, révolutionnant l'industrie des semi-conducteurs haute performance

Shanghai, le 20 février 2025 Shanghai Famous Trade Co., Ltd. est ravie d'annoncer le lancement de sa nouvelleWafer en carbure de silicium (SiC) de 12 pouces (300 mm), marquant une percée significative dans le domaine des matériaux semi-conducteurs hautes performances.ce produit répond aux exigences strictes des milieux de recherche et de production, et est largement utilisé dans des industries telles que les véhicules électriques (VE), l'électronique de puissance et la technologie radiofréquence (RF).

Principales caractéristiques de la gaufre SiC haute performance

La nouvelle plaque SiC de 12 pouces présente une orientation cristalline 4H-N et une épaisseur de 750 ± 25 μm, offrant des propriétés électriques, thermiques et mécaniques exceptionnelles.Comparé aux matériaux traditionnels en siliciumLa haute conductivité thermique, la tension de rupture élevée et l'excellente mobilité électronique du SiC ̊ lui permettent de fonctionner à des tensions, températures et fréquences plus élevées.amélioration considérable de l'efficacité et de la fiabilité du dispositif.

• Les avantages matériels: Le SiC a une large bande passante, une conductivité thermique élevée et une tolérance à haute tension, ce qui le rend idéal pour les appareils électroniques à haute puissance et à haute température, tels que les MOSFET de puissance et les diodes de puissance.
• Propriétés mécaniques: La dureté et la rigidité du SiC® dépassent de loin les matériaux traditionnels en silicium, ce qui améliore la durabilité et l'intégrité structurelle des dispositifs.
• Applications étendues: La nouvelle plaque SiC de 12 pouces est particulièrement adaptée aux exigences de haute performance des véhicules électriques, de l'électronique de puissance, des communications haute fréquence, de l'éclairage LED et plus encore,stimuler les progrès dans des secteurs tels que les véhicules à énergie nouvelle, les énergies renouvelables et les systèmes d'alimentation industrielle.

Spécifications du produit

• Diamètre: 300 mm
• Épaisseur: 750 ± 25 μm
• L'orientation cristalline: type 4H-N, <0001> (sur axe) et 4° hors axe <1120>
• Résistance: 0,015 0,03 Ω·cm
• Densité des micropipes (MPD): ≤ 10/cm2
• Roughness de la surface: Ra polonais ≤1nm, Ra CMP ≤0,2nm
• Emballage: conteneur à plaquette unique

Perspectives d'applications révolutionnaires

La nouvelle plaque SiC de 12 pouces sera largement utilisée dans les produits électroniques de haute puissance, en particulier dans les systèmes de gestion de l'énergie des véhicules électriques, les réseaux intelligents, le stockage d'énergie et les systèmes de conversion d'énergie.Stabilité à haute température du SiC, de fortes capacités de traitement de l'énergie et des caractéristiques de commutation rapide en font un choix idéal pour les appareils semi-conducteurs à faible consommation d'énergie de nouvelle génération.

En outre, ces plaquettes joueront un rôle clé dans les applications à haute fréquence telles que les communications 5G, l'aérospatiale et les systèmes de radar militaires.Alors que la demande d'appareils électroniques hautes performances continue d'augmenter, la plaque SiC de 12 pouces est sur le point de devenir une force motrice majeure dans l'industrie des semi-conducteurs.

À propos de Shanghai Famous Trade Co., Ltd.

Shanghai Famous Trade Co., Ltd. est spécialisée dans la recherche, le développement et la fourniture de matériaux semi-conducteurs haute performance.Nous nous engageons à fournir des technologies de pointe et des produits de haute qualité aux clients mondiauxAvec des années d'expertise technologique et d'expérience sur le marché, nous sommes devenus un leader reconnu et un partenaire de confiance dans l'industrie.

Pour plus d'informations sur les produits ou des demandes de commande, veuillez visiter notre site officiel ou contacter notre équipe commerciale.Nous sommes impatients de vous rejoindre pour faire progresser la prochaine génération de semi-conducteurs haute performance.