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Je suis...Je suis désolée.Nitrure de gallium (GaN)Je suis désolée.
Le nitrure de gallium (GaN) est un composé chimique inorganique de formule Je vais vous aider., composé de gallium (Ga) et d'azote (N).les matériaux semi-conducteurs de troisième génération Il est généralement présent sous forme de poudre blanche ou légèrement jaune.

• Je suis désolée.Stabilité structurelle dans des conditions extrêmes
• Je suis désolée.Point de fusion élevé.D'une teneur en poussière de
• Je suis désolée.Résistance à haute tension.(champ de décomposition ~ 3,3 MV/cm)
• Je suis désolée.Tolérance aux radiations(efficace pour les environnements spatiaux et nucléaires)

Ce semi-conducteur à large bandeau présente des performances supérieures dans des environnements de fonctionnement difficiles par rapport aux matériaux traditionnels à base de silicium, ce qui le rend essentiel pour les applications en électronique de puissance,les systèmes de radiofréquence (RF) et l'optoélectronique.

II. Taille du marché et tendance de croissance
Avec l'expansion continue de la technologie du nitrure de gallium (GaN) depuis l'électronique grand public jusqu'aux applications de haute puissance telles que les véhicules électriques (EV), le stockage d'énergie photovoltaïque et les centres de données,Le marché mondial des dispositifs de puissance GaN connaît une croissance accélérée:
Je suis désolée.Données de marché Le texte est le suivant:

• En 2022, la taille du marché a atteint 180 millions USD, et devrait atteindre 1,33 milliard USD d'ici 2026, avec un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 65%.
• L'électronique grand public reste le segment de marché dominant, représentant environ 146 millions USD en 2022, qui devrait atteindre 1,307 milliard USD d'ici 2028 (Yole Développement).

Je suis désolée.Élargissement de l'application Le texte est le suivant:

Le champ d'application s'est élargi de la recharge rapide traditionnelle des smartphones et des adaptateurs d'alimentation aux scénarios de puissance moyenne à élevée, y compris les chargeurs embarqués des véhicules à énergie nouvelle (OBC),stations de base de télécommunications, les onduleurs photovoltaïques, les serveurs de centres de données, les alimentations industrielles et les systèmes de stockage d'énergie.

III. Tendances du développement technique et évolution des applications

Je suis désolée.1. Les tendances techniques Je suis désolée.

• Je suis désolée.Intégration élevée : Co-emballage des conducteurs avec des dispositifs de puissance GaN pour réduire les composants périphériques
• Je suis désolée.Une grande fiabilité.: Dureté radiologique améliorée et résistance aux surtensions
• Je suis désolée.Une grande efficacité.: faible résistance, fréquence de commutation élevée, densité de puissance améliorée et efficacité de conversion du système

Je suis désolée.Je suis désolée.2. Scénarios d'expansion des applications Je suis désolée.

Résumé et perspectives
Le nitrure de gallium (GaN), en tant que représentant principal des semi-conducteurs de troisième génération, accélère sa pénétration dans des domaines clés tels que la conversion de puissance, la recharge rapide,et systèmes de commande électrique automobile, en tirant parti de ses avantages de haute fréquence, de haute efficacité et d'intégration élevée.

Je suis désolée.Les projections pour les cinq prochaines années Le texte est le suivant:

1. L'échelle du marché continuera de doubler en taille.Ils pénétreront progressivement dans des scénarios à forte valeur ajoutée, y compris les systèmes de transmission automobile., serveurs d'IA et onduleurs photovoltaïques.
2. L'écosystème technologique passera de "appareil piloté" à "système synergique".L'optimisation et l'optimisation spécifiques à l'application deviendront les principaux facteurs de différenciation.