Mardi 2025

ZMSH est fier d'annoncer la sortie officielle de notreWafer monocristallin de carbure de silicium (SiC) de 12 pouces, marquant uneétape importanteCe produit d'avant-garde est désormais disponible pour les clients dans le monde entier, pour répondre à la demande croissante de véhicules électriques (VE), d'énergie renouvelable,et systèmes d'alimentation industrielle.

En tant qu'acteur de premier plan dans l'industrie des semi-conducteurs, ZMSH s'est engagée à fournir des solutions de pointe qui aident à stimuler l'avenir de l'énergie et de la technologie.Le lancement de ces plaquettes SiC de 12 pouces représente une percée dans la production d'appareils de puissance hautes performances, idéal pour une variété d'applications, y compris les véhicules électriques (EV), les systèmes d'énergie renouvelable et les réseaux électriques.

Comparées aux plaquettes de silicium traditionnelles, les plaquettes SiC offrent une conductivité thermique supérieure, une tolérance à la tension plus élevée et une meilleure efficacité, ce qui en fait un matériau crucial pour les systèmes énergétiques modernes.Avec l'introduction de la galette de 12 pouces, ZMSH est désormais en mesure de fournir des plaquettes plus grandes et plus efficaces, ce qui permet la production de plus d'appareils de puissance par plaquette à moindre coût.

Cette nouvelle offre de ZMSH permettra aux fabricants d'accroître leur production de dispositifs électriques à base de SiC,réduire les coûts tout en répondant à la demande mondiale croissante de solutions énergétiques durables et performantes.

Nous vous invitons à explorer le potentiel de nos plaquettes monocristallines SiC de 12 pouces et à voir comment elles peuvent révolutionner vos projets et vos applications dans le monde de l'électronique de puissance.Contactez ZMSH dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre dernier produit et comment il peut bénéficier à votre entreprise.

Restez en avance avec ZMSH, votre partenaire en électronique de puissance de nouvelle génération.

Recommandation de produit

Wafer SiC de 12 pouces Wafer au carbure de silicium de 300 mm Wafer conducteur de qualité N-type

8 pouces 12 pouces 4H-N type SiC épaisseur de gaufre 500±25um 1000±50 N dopé Dummy Prime de qualité de recherche