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Détails sur le produit:
Nom de marque: | ZMSH |
Numéro de modèle: | Plateau de plaquettes au SiC |
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: | 5 |
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Délai de livraison: | 2 à 4 semaines |
Conditions de paiement: | T/T |
Capacité d'approvisionnement: | 5 |
Détail Infomation |
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Lieu d'origine: | Chine ZMSH | Composition chimique: | Graphite revêtu de SiC |
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Résistance à la flexion: | 470Mpa | Conduction thermique :: | 300 W/mK |
Fonction: | CVD-SiC | Densité: | 3.21 g/cc |
Dilatation thermique: | 4 10-6/K | Cendre: | < 5 ppm |
Code du SH: | 6903100000 | Conduction thermique :: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-°C) |
Surligner: | Plateaux de carbure de silicium à gravure ICP,Plateaux de carbure de silicium MOCVD,Plateaux de carbure de silicium résistants à l'usure |
Description de produit
Plaque de plaques de silicone pour la gravure des plaques de carbure de silicium pour la gravure des plaques de silicone pour la gravure des plaques de carbure de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium pour la gravure des plaques de silicium
Définition
Les plateaux de graphite revêtus de SIC sont fabriqués à partir de matrices de graphite de haute pureté, recevant un revêtement SiC par dépôt de vapeur chimique (CVD) avec une pureté exceptionnellement élevée et une densité théorique.Ce revêtement CVD SiC est exceptionnellement dur.Ces plateaux recouverts se distinguent par leur haute résistance au vide et à haute température.les rendant idéales pour l'industrie des semi-conducteurs et d'autres environnements ultra-propresUtilisés principalement comme substrats pour la formation de couches épitaxielles sur des plaquettes semi-conducteurs, ils offrent plusieurs avantages, tels que des surfaces de pureté ultra-haute et une résistance à l'usure supérieure.Avec CVD assurant des revêtements SiC avec un minimum de pores et la nature polidable du carbure de silicium, ces produits trouvent une large application dans les industries des semi-conducteurs, y compris les plateaux MOCVD, les RTP et les chambres de gravure d'oxyde,en raison de l'excellente résistance au choc thermique du nitrure de silicium et de sa résistance au plasma.
Vitrine de produits
Propriétés du produit
- Ultra-haute pureté
- Excellente résistance aux chocs thermiques
- Excellente résistance aux chocs physiques
- Machinabilité pour des formes complexes
- Excellente stabilité chimique
- Peut être utilisé dans des atmosphères oxydantes.
Nom de l'article | Unité | Paramètres techniques | |
---|---|---|---|
Matériau de train | - Je ne sais pas. | SSiC | SiSiC |
Couleur | - Je ne sais pas. | Noir | Noir |
Densité | g/cm3 | 3.12 | 3.06 |
Absorption de l'eau | % | 0 | 0 |
HRA | - Je ne sais pas. | ≥ 92 | ≥ 90 |
Module d'élasticité | Le GPA | 400 | 350 |
La force de flexion (@R.T.) | MPa | 359 | 300 |
La force de compression (@R.T.) | MPa | ≥ 2200 | 2000 |
Conductivité thermique (@R.T.) | R/Mq | 110 | 100 |
Coefficient de dilatation thermique (20 à 1000 °C) |
10- 6/°C | 4.0 | 4.0 |
Température de fonctionnement maximale | °C | 1500 | 1300 |
Application du produit
- Je vous en prie. - Je vous en prie.Les plateaux de carbure de silicium sont des composants cruciaux dans les systèmes d'incorporation de plasma (ICP), où ils servent de plates-formes robustes pour la détention et le traitement des plaquettes de semi-conducteurs.La nature résistante à l'usure des plateaux assure une fiabilité et une consistance prolongées pendant le processus de gravure, contribuant à un transfert précis des motifs et à une modification de la surface sur les plaquettes.
Suscepteur de MOCVD:Dans les systèmes MOCVD, les plateaux en carbure de silicium agissent comme des récepteurs, fournissant un support stable pour le dépôt de films minces sur des substrats semi-conducteurs.La capacité des plateaux à maintenir une pureté élevée et à résister à des températures élevées les rend idéales pour faciliter la croissance de couches épitaxiennes de qualité et d'uniformité supérieures.
Résistant à l'usure:Équipés d'un revêtement en SiC, ces plateaux présentent une résistance à l'usure exceptionnelle, assurant une durée de vie prolongée même dans des conditions de fonctionnement difficiles.Leur résistance à l'abrasion et à la dégradation chimique augmente la productivité et minimise les temps d'arrêt, ce qui les rend indispensables dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs à haut débit.
Le plateau en graphite revêtu de SIC est utilisé comme base pour fixer et chauffer les plaquettes de semi-conducteurs pendant le traitement thermique.et sa résistance aux chocs thermiquesDans le processus d'épitaxie du silicium, la gaufre est transportée sur une base,et les performances et la qualité de la base ont un effet crucial sur la qualité de la couche épitaxienne de la gaufre.
Questions et réponses
Qu'est-ce qui est sensible au graphite?
Des soupapeuses et des muffles en matériaux de graphiteprotéger le frittage des influences extérieures, telles que les rayonnements thermiques directs des éléments chauffantsIls se chauffent eux-mêmes et émettent leur chaleur uniformément vers les pièces, évitant ainsi les surchauffeurs locaux (appelés points chauds).
Qu'est-ce que le revêtement en SiC?
Qu'est-ce qu'un revêtement au carbure de silicium?un revêtement dense et résistant à l'usure au carbure de silicium (SiC)Il possède de hautes propriétés de résistance à la corrosion et à la chaleur ainsi qu'une excellente conductivité thermique.Applications.
Qu'est-ce que le graphite au carbure de silicium?
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Les mots clés:
- Plateaux de carbure de silicium
- revêtement au SiC
- CVD (dépôt de vapeur chimique)
- Haute pureté
- Résistant à l'usure
- Industrie des semi-conducteurs
- Couche épitaxienne
- Le dépistage
- Résistance aux chocs thermiques
- Options personnalisables