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Substrats à base de nitrate de gallium semi-isolants
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | zmkj |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 3PCS |
|---|---|
| Prix: | by case |
| Détails d'emballage: | boîte simple de gaufrette |
| Délai de livraison: | 2-4weeks |
| Conditions de paiement: | Western Union, T/T, MoneyGram |
| Capacité d'approvisionnement: | 100Pcs |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | GaN-Sur-silicium/saphir | Épaisseur: | 350um |
|---|---|---|---|
| Diamètre: | 50.8mm/101mm | Conductivité: | de type n ou semi-insultant |
| orientation: | Avion de C (0001) outre d'angle vers le ± 0.15° du M-axe 0,35 | arc: | μm du ≤ 20 |
| Surligner: | Wafer semi-isolant GaN sur silicium,substrats de nitrure de gallium en position libre,Wafer GaN sur silicium de 350um |
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Description de produit
Nitrure de gallium Substrats GaN Wafers GaN sur silicium Substrate indépendant semi-insultant
Nous pouvons offrir un substrat monocristallin de 2 à 8 pouces de nitrure de gallium (GaN) ou une feuille épitaxielle, et des feuilles épitaxielles GaN de 2 à 8 pouces à base de saphir / silicium sont disponibles.
The rapid development of the first and second generation semiconductor materials represented by silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) has promoted the rapid development of microelectronics and optoelectronics technologyCependant, en raison des propriétés limitées du matériau, la plupart des dispositifs fabriqués à partir de ces matériaux semi-conducteurs ne peuvent fonctionner qu'à des températures inférieures à 200 °C.qui ne peuvent pas répondre aux exigences de la technologie électronique moderne pour des températures élevées, des dispositifs à haute fréquence, à haute pression et anti-radiation.
Le nitrure de gallium (GaN), comme le carbure de silicium (SiC), appartient à la troisième génération de matériaux semi-conducteurs à large bande, à large bande, à haute conductivité thermique,taux de migration de saturation électronique élevéLes dispositifs GaN présentent un large éventail de perspectives d'application en haute fréquence,champs à haute vitesse et à forte consommation d'énergie tels que l'éclairage LED à économie d'énergie, affichage de projection laser, véhicules à énergie nouvelle, réseau intelligent, communication 5G.
Les matériaux semi-conducteurs de troisième génération comprennent principalement le SiC, le GaN, le diamant, etc., parce que sa largeur d'écart de bande (Eg) est supérieure ou égale à 2,3 électronvolts (eV),également connus sous le nom de matériaux semi-conducteurs à large bandeComparés aux matériaux semi-conducteurs de première et deuxième générations, les matériaux semi-conducteurs de troisième génération présentent les avantages d'une conductivité thermique élevée, d'un champ électrique de rupture élevée,taux élevé de migration d'électrons saturés, et une énergie de liaison élevée, qui peut répondre aux nouvelles exigences de la technologie électronique moderne pour des températures élevées, une puissance élevée, une pression élevée,résistance aux radiations et aux fréquences élevées et autres conditions difficilesIl a d'importantes perspectives d'application dans les domaines de la défense nationale, de l'aviation, de l'aérospatiale, de l'exploration pétrolière, du stockage optique, etc.et peut réduire les pertes d'énergie de plus de 50% dans de nombreuses industries stratégiques telles que les communications à large bande, l'énergie solaire, la fabrication automobile, l'éclairage par semi-conducteurs et le réseau intelligent, et peut réduire le volume des équipements de plus de 75%,qui est d'une importance capitale pour le développement de la science et de la technologie humaines.
| Nom de l'article | Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'acide chlorhydrique. | Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de lin. | Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement. |
| Diamètre | 50.8 ± 1 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Les orientations | Le plan C (0001) hors angle vers l'axe M est de 0,35 ± 0,15° | ||
| Pré-plate | (1-100) 0 ± 0,5°, 16 ± 1 mm | ||
| Appartement secondaire | (11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm | ||
| Conductivité | Type N | Type N | Semi-isolant |
| Résistance (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106 Ω·cm |
| TTV | ≤ 15 μm | ||
| - Je vous en prie. | ≤ 20 μm | ||
| Roughness de la surface de la face | < 0,2 nm (polissé); | ||
| N La rugosité de la surface | 0.5 ~ 1,5 μm | ||
| Option: 1 à 3 nm (moulé finement); < 0,2 nm (polissé) | |||
| Densité de dislocation | De 1 x 105 à 3 x 106 cm-2 (calculé par CL) * | ||
| Densité des macrodéfects | > 2 cm2 | ||
| Surface utilisable | > 90% (exclusion des défauts de bord et des défauts macro) | ||
* Peut être personnalisé selon les exigences du client, structure différente de silicium, saphir, feuille épitaxielle GaN à base de SiC
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