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2 pouces 50.8mm Sapphire Substrate Wafer Double Side ont poli l'axe de l'axe A de M Axis C
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | ZMKJ |
| Certification: | ROHS |
| Numéro de modèle: | 2inch 50.8mm 370~380um |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 25pcs |
|---|---|
| Prix: | by case |
| Détails d'emballage: | caisse de gaufrette du cassettle 25pcs dans le sac de nettoyage de 100 catégories |
| Délai de livraison: | 3days |
| Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacité d'approvisionnement: | 1000pcs par mois |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Catégorie optique de substrat de saphir | orientation: | un-axe de c-axe de m-axe |
|---|---|---|---|
| Épaisseur: | 430um (l'autre épaisseur correcte) | Surface: | DSP SSP |
| TTV: | <10um (l'autre TTV est correct) | arc: | <10um (l'autre ARC est correct) |
| chaîne: | <15um | Paquet: | pièce de nettoyage de 100 catégories par l'emballage sous vide |
| Surligner: | Sapphire Substrate Wafer 2 pouces,double Sapphire Substrate Wafer polie latérale,M Axis Sapphire Wafer |
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Description de produit
2 côté de gaufrette de Sapphire Substrate de pouce 50,8 le double a poli l'axe de l'axe A de M Axis C
Gaufrettes spéciales de substrats de saphir du M-axe <11-20> 2inch <1-102> 3inch<10-10> 4inch 6inch de R-axe d'Un-axe de l'orientation SSP/DSP pour la croissance épitaxiale de GaN ; substrats de c-axe de saphir de 0.1mm/100um 2inch
Le détail pour des gaufrettes du c-axe 2inch
Le saphir est un cristal simple d'alumine et le matériel deuxième-le plus dur en nature, après diamant. Le saphir a la bonne transmittance légère, de haute résistance, résistance de collision, la résistance à l'usure, résistance à la corrosion, et la résistance à hautes températures et à haute pression, biocompatibility est un matériel idéal de substrat pour la production des dispositifs optoélectroniques de semi-conducteur, les propriétés électriques du saphir la faire devenir le matériel de substrat pour la production de la LED blanche et bleue.
Épaisseur à long terme ≧0.1mm de la production de notre société, et sa gaufrette de saphir haute précision de la taille ≧Φ2 de forme de ». En plus du Φ2 conventionnel « , Φ4 », Φ6 « , Φ8 », Φ10 « , Φ12 », d'autres tailles peut être adapté aux besoins du client, contacte svp notre personnel de vente.
Les caractéristiques pour des gaufrettes du c-axe 2inch
Taille : DSP-100-R-axis de deux pouces
Matériel : Monocristal des KY Sapphire Al 2O3 sans bulle ; couleur ;
Orientation : C-coupe, M-axe outre de 0.0+/-0.2° ;
Diamètre : 50,8 +/-0.2mm ;
Épaisseur : 100 ± 15 um ;
De l'appartement : 16,0 +/- 1,0 millimètres ; OU forme ronde
De l'orientation : un-axe
Surface : Epi-prêt de SSP /dsp poli ;
Ra<>
d'aspérité de dos de Ra de TTV <>
Front Surface Roughness (Ra) (Ra) = 1,0 +/-0.2um ;
Bord : de 1mm ;
Les demandes de substrats de gaufrette de saphir
Le saphir se compose d'alumine (A1203), qui se compose de trois atomes d'oxygène et de deux atomes en aluminium dans un type de liaison covalente, et sa structure cristalline est une structure de trellis hexagonale. Elle est employée souvent sur des facettes d'Un-avion, de C-avion, et de R-avion. En raison de sa bande optique large de pénétration, saphir a l'excellente transmission de la lumière de l'ultraviolet proche (190nm) à mi-infrarouge. Par conséquent, il est très utilisé dans les composants optiques, dispositifs infrarouges, matériaux à haute intensité de lentille de laser, et des matériaux de masque, il a les caractéristiques de la vitesse saine élevée, résistance à hautes températures, résistance à la corrosion, dureté élevée, transmittance légère élevée, le point de fusion élevée (2045°C) et ainsi de suite. C'est un matériel plutôt difficile à traiter, ainsi il est employé souvent comme matériel photoélectrique d'élément. Actuellement, la qualité du blanc ultra-haut d'éclat/de LED bleue dépend de la qualité matérielle de la nitrure épitaxiale (GA), alors que la qualité de la nitrure épitaxiale est étroitement liée à la qualité de traitement extérieure du substrat de saphir employait. Le taux constant de disparité de trellis entre la surface de C du saphir (monocristal A1203) et les films des groupes d'II-V et d'II-VI sont petit. En même temps, il répond à l'exigence de la résistance à hautes températures dans le processus épitaxial de GaN, faisant à la gaufrette de saphir le matériel de base pour rendre LED blanche/bleue/verte.
Les actions de la gaufrette de saphir
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Gaufrette standard
gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 2 pouces
gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 3 pouces gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 4 pouces gaufrette SSP/DSP de saphir de C-avion de 6 pouces gaufrette de saphir de C-avion de 8 pouces
SSP/DSP
gaufrette du saphir 12inch
SSP/DSP
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Orientation spéciale
1120) gaufrettes de saphir d'Un-avion ( 1102) gaufrettes de saphir de R-avion ( 1010) gaufrettes de saphir de M-avion ( C-axe avec une chute de 0.5°~ 10°, vers l'Un-axe ou le M-axe L'autre orientation adaptée aux besoins du client |
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Taille adaptée aux besoins du client
gaufrette de saphir de 10x10x0.5mm gaufrette de saphir de 20x20x0.5mm (100um) gaufrette ultra mince du saphir 2inch gaufrette de saphir de 8 pouces |
Sapphire Substrate modelée (PSS)
C-avion PSS de 2 pouces C-avion PSS de 4 pouces |
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FAQ
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