• Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW
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Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW

Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: ZMKJ
Numéro de modèle: AlN-saphir 2inch

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 5pcs
Prix: by case
Détails d'emballage: conteneur simple de gaufrette dans la chambre de nettoyage
Délai de livraison: dans 30days
Conditions de paiement: T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 50PCS/Month
meilleur prix Contact

Détail Infomation

substrat: gaufrette de saphir couche: Calibre d'AlN
épaisseur de couche: 1-5um type de conductivité: N/P
Orientation: 0001 application: puissance élevée/appareils électroniques à haute fréquence
application 2: dispositifs de 5G saw/BAW épaisseur de silicium: 525um/625um/725um
Surligner:

calibre d'AlN de 2 pouces

,

calibre d'AlN de dispositifs de 5G BAW

,

substrat de saphir de 2 pouces

Description de produit

le saphir de 2inch 4iinch 6Inch a basé le film d'AlN de calibres d'AlN sur le substrat de saphir

2inch sur la gaufrette de couche de calibre d'AlN de substrat de saphir pour des dispositifs de 5G BAW

 

Applications de   Calibre d'AlN
 
  Notre OEM a développé des publications périodiques des technologies de propriété industrielle et des réacteurs et des équipements de croissance le-état- -le art PVT à
fabriquez les différentes tailles des gaufrettes mono-cristallines de haute qualité d'AlN, temlpates d'AlN. Nous sommes l'un des quelques monde-principaux
entreprises high techs qui propre plein capa de fabrication d'AlN ? bilities pour produire les boules et les gaufrettes de haute qualité d'AlN, et à fournir
profes ? services de sional et solutions clés en main à nos clients, disposés de la conception de réacteur et de hotzone de croissance,
modélisation et simulation, conception de processus et optimisation, cristallogénèse,
characteriza wafering et matériel ? tion. Jusqu'à en avril 2019, ils ont appliqué plus de 27 brevets (PCT y compris).
 
             Spécifications
 
SpécificationsGaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW 0aracteristic de ch

 

D'autres spécifications du relaterd 4INCH GaN Template

 

 

     
  Substrats de ₃ du ₂ O d'Al de GaN/(4") 4inch
Article Non dopé de type n

Haut-enduit

de type n

Taille (millimètres) Φ100.0±0.5 (4")
Structure de substrat GaN sur le saphir (0001)
SurfaceFinished (Norme : Option de SSP : DSP)
Épaisseur (μm) 4.5±0.5 ; 20±2 ; Adapté aux besoins du client
Type de conduction Non dopé de type n de type n Haut-enduit
Résistivité (Ω·cm) (300K) ≤0.5 ≤0.05 ≤0.01
GaN Thickness Uniformity
 
≤±10% (4")
Densité de dislocation (cm2)
 
≤5×108
Superficie utilisable >90%
Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100.
 

 

Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW 1Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW 2

Structure cristalline

Wurtzite

Constante de trellis (Å) a=3.112, c=4.982
Conduction à bande Bandgap direct
Densité (g/cm3) 3,23
Microdureté extérieure (essai de Knoop) 800
Point de fusion (℃) 2750 (barre 10-100 en N2)
Conduction thermique (W/m·K) 320
Énergie d'espace de bande (eV) 6,28
Mobilité des électrons (V·s/cm2) 1100
Champ électrique de panne (MV/cm) 11,7

Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW 3Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW 4

 

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à Gaufrette de couche de calibre de Sapphire Substrate AlN de 2 pouces pour des dispositifs de 5G BAW pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
Dans l'attente de votre réponse.