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Le type le substrat SI de 4 pouces N de semi-conducteur de 15° a enduit la gaufrette SSP de GaAs
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | zmkj |
| Numéro de modèle: | GaAs-N-3inch |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 5pcs |
|---|---|
| Prix: | 100-200usd/pcs |
| Détails d'emballage: | dans le cas de gaufrette simple ou de la cassette 25pcs par l'emballage sous vide |
| Délai de livraison: | 2-4weeks |
| Conditions de paiement: | T/T, Western Union |
| Capacité d'approvisionnement: | 2000pcs par mois |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Cristal de GaAs | Méthode: | VGF |
|---|---|---|---|
| taille: | dia76.2mm | thickess: | 350um |
| Surface: | DSP | Application: | mené, dispositif de LD |
| type: | de type n | dopage: | SI-enduit |
| Surligner: | Le SI a enduit GaAs Wafe,Substrat GaAs Wafe de semi-conducteur,Type gaufrette de N de ssp |
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Description de produit
Metod 2inch/3inch de type n, 4inch, gaufrettes de VFG d'arséniure de gallium de 6inch dia150mm GaAs de type n
Type semi-isolant pour la microélectronique,
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Gaufrettes d'arséniure de gallium (GaAs)
L'arséniure de gallium (GaAs) est un composé des éléments gallium et arsenic. C'est un semi-conducteur direct de bandgap d'III-V
avec une structure cristalline de blende de zinc.
L'arséniure de gallium est employé dans la fabrication des dispositifs tels que des circuits intégrés de fréquence micro-ondes, monolithique
circuits intégrés à micro-ondes, diodes électroluminescentes infrarouges, diodes lasers, piles solaires et fenêtres optiques. [2]
La GaAs est employée souvent comme matériel de substrat pour la croissance épitaxiale d'autres semi-conducteurs d'III-V comprenant l'arséniure de gallium d'indium,
arséniure de gallium et d'aluminium et d'autres.
.
Caractéristique et application de gaufrette de GaAs
| Caractéristique | Champ d'application |
|---|---|
| Mobilité des électrons élevée | Diodes électroluminescentes |
| Haute fréquence | Diodes lasers |
| Efficacité de conversion élevée | Dispositifs photovoltaïques |
| Consommation de puissance faible | Haut transistor de mobilité des électrons |
| Espace de bande direct | Transistor bipolaire d'hétérojonction |
Spécifications
GaAs non dopée
Caractéristiques semi-isolantes de GaAs
| Méthode de croissance | VGF |
| Dopant | Carbone |
| Gaufrette Shape* | Rond (diamètre : 2", 3", 4", et 6") |
| Orientation extérieure ** | (100) ±0.5° |
» Gaufrettes *5 disponibles sur demande
** D'autres orientations peut-être disponibles sur demande
| Résistivité (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| Mobilité (cm2/V.S) | ≥ 5 000 | ≥ 4 000 |
| Densité de lancement gravure à l'eau forte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| Diamètre de gaufrette (millimètres) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| Épaisseur (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| CHAÎNE (µm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| DE (millimètres) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ENTAILLE |
| DE/SI (millimètres) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | NON-DÉTERMINÉ |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
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Paquet et livraison
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Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ? : Nous avons nos propres moyens pour la fabrication de gaufrette.
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Q : Quelles sont vos conditions de paiement ? : pour les premières affaires est 100% avant la livraison.