• 6" silicium a basé le film des calibres 500nm AlN d'AlN sur le substrat de silicium
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6" silicium a basé le film des calibres 500nm AlN d'AlN sur le substrat de silicium

6" silicium a basé le film des calibres 500nm AlN d'AlN sur le substrat de silicium

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: ZMKJ
Numéro de modèle: UTI-AlN-150

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 3pcs
Prix: by case
Détails d'emballage: conteneur simple de gaufrette dans la chambre de nettoyage
Délai de livraison: dans 30days
Conditions de paiement: T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 50PCS/Month
meilleur prix Contact

Détail Infomation

substrat: gaufrette de silicium couche: Calibre d'AlN
épaisseur de couche: 200-1000nm type de conductivité: N/P
Orientation: 0001 application: puissance élevée/appareils électroniques à haute fréquence
application 2: dispositifs de 5G saw/BAW épaisseur de silicium: 525um/625um/725um
Surligner:

Film d'AlN sur le substrat de silicium

,

calibres de 500nm AlN

,

6" calibres d'AlN

Description de produit

diamètre 150mm   film basé sur silicium des calibres 500nm AlN de 8inch 4inch 6inch AlN sur le substrat de silicium

 

Applications de   Calibre d'AlN
la technologie des semiconducteurs basée sur silicium a atteint ses limites et n'a pas pu répondre aux exigences de l'avenir
appareils électroniques. Comme genre typique de matériel du semi-conducteur 3rd/4th-generation, la nitrure en aluminium (AlN) a
les propriétés physiques et chimiques supérieures telles que le bandgap large, conduction thermique élevée, panne élevée ont classé,
la tenue électronique élevée à mobilité et à corrosion/rayonnements, et est un substrat parfait pour les dispositifs optoélectroniques,
appareils électroniques de dispositifs de la radiofréquence (rf), de haute puissance/à haute fréquence, etc… en particulier, substrat d'AlN est
le meilleur candidat pour UV-LED, détecteurs UV, lasers UV, dispositifs RF de haute puissance/à haute fréquence de 5G et 5G SAW/BAW
dispositifs, qui pourraient largement être répandus dans la protection de l'environnement, l'électronique, communications sans fil, impression,
champs de biologie, de soins de santé, militaires et autre, tels que la purification/stérilisation UV, traitement UV, photocatalysis, coun ?
détection de terfeit, stockage à haute densité, communication médicale phototherapy, de drogue de découverte, sans fil et protégée,
détection aérospatiale/profond-espace et d'autres champs.
nous avons développé des publications périodiques des processus et des technologies de propriété industrielle pour fabriquer
calibres de haute qualité d'AlN. Actuellement, notre OEM est la seule société dans le monde entier qui peut produire 2-6 pouce AlN
calibres dans la capacité à grande échelle de production industrielle avec la capacité de 300 000 morceaux en 2020 de rencontrer explosif
demande du marché de la communication UVC-LED, 5G sans fil, des détecteurs UV et des capteurs etc.
 
Le factroy est une entreprise high tech innovatrice fondée en 2016 par les professionnels d'outre-mer chinois renommés du semicon ? industrie de ductor.
ils concentrent ses activités de base sur le développement et la commercialisation de 3rd/4th-genera ? substrats de la taille ultra d'AlN de semi-conducteur de bandgap de tion,
Calibres d'AlN, réacteurs complètement automatiques de croissance de PVT et produits et services relatifs pour différentes entreprises high techs.
on l'a identifié en tant que chef global dans ce domaine. Nos produits de noyau sont les matériaux principaux de stratégie énumérés dans « fait en Chine ».
  ils ont développé des publications périodiques des technologies de propriété industrielle et des réacteurs et des équipements de croissance le-état- -le art PVT à
fabriquez les différentes tailles des gaufrettes mono-cristallines de haute qualité d'AlN, temlpates d'AlN. Nous sommes l'un des quelques monde-principaux
entreprises high techs qui propre plein capa de fabrication d'AlN ?
bilities pour produire les boules et les gaufrettes de haute qualité d'AlN, et pour fournir des profes ? services de sional et solutions clés en main à nos clients,
disposé de la conception de réacteur et de hotzone de croissance, de la modélisation et de la simulation, de la conception de processus et de l'optimisation, cristallogénèse,
characteriza wafering et matériel ? tion. Jusqu'à en avril 2019, ils ont appliqué plus de 27 brevets (PCT y compris).
 
             Spécifications
 
Spécifications caractéristiques
  • Modèle                                           UTI-AlN-150S
  • Type de conductivité                       C-avion de gaufrette de monocristal de SI
  • Résistivité (Ω)                                      >5000
  • Structure d'AlN                                     Wurtzite
  • Diamètre (pouce)                                   6inch
  •  
  • Épaisseur de substrat (µm)                     625 ± 15
  • Épaisseur de film d'AlN (µm)                      500nm
  •  
  • Orientation                                          C-axe [0001] +/- 0.2°
  • Secteur utilisable                                          ≥95%
  • Fissures                                                  Aucun
  • FWHM-2θXRD@ (0002)                     ≤0.22°
  • FWHM-HRXRD@ (0002)                    ≤1.5°
  • Aspérité [5×5µm] (nanomètre)       RMS≤6.0
  • TTV (µm)                                             ≤7
  • Arc (µm)                                             ≤40
  • Chaîne (µm)                                          -30~30
  • Note : Ces résultats de caractérisation peuvent varier légèrement selon les équipements et/ou le logiciel utilisés
6" silicium a basé le film des calibres 500nm AlN d'AlN sur le substrat de silicium 0

6" silicium a basé le film des calibres 500nm AlN d'AlN sur le substrat de silicium 1

6" silicium a basé le film des calibres 500nm AlN d'AlN sur le substrat de silicium 26" silicium a basé le film des calibres 500nm AlN d'AlN sur le substrat de silicium 3

Structure cristalline

Wurtzite

Constante de trellis (Å) a=3.112, c=4.982
Conduction à bande Bandgap direct
Densité (g/cm3) 3,23
Microdureté extérieure (essai de Knoop) 800
Point de fusion (℃) 2750 (barre 10-100 en N2)
Conduction thermique (W/m·K) 320
Énergie d'espace de bande (eV) 6,28
Mobilité des électrons (V·s/cm2) 1100
Champ électrique de panne (MV/cm) 11,7

6" silicium a basé le film des calibres 500nm AlN d'AlN sur le substrat de silicium 4

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à 6" silicium a basé le film des calibres 500nm AlN d'AlN sur le substrat de silicium pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
Dans l'attente de votre réponse.