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INP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate de 3 pouces
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | LA CHINE |
| Nom de marque: | zmkj |
| Numéro de modèle: | gaufrettes d'INP de 2 pouces |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 3PCS |
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| Prix: | by case |
| Détails d'emballage: | paquet simple de conteneur de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories |
| Délai de livraison: | 2weeks |
| Conditions de paiement: | T/T, Western Union |
| Capacité d'approvisionnement: | 500PCS |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Cristal d'INP | méthode de croissance: | vFG |
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| Taille: | POUCE 2inch/3inch/4 | Épaisseur: | 350-650um |
| Application: | Dispositif de LED/LD | Surface: | ssp/dsp |
| PAQUET: | conteneur simple de gaufrette | enduit: | S/Zn/Fe ou non dopé |
| TTV: | <10um> | Arc: | <10um> |
| Surligner: | Substrat principal factice de semi-conducteur,INP Crystal Semiconductor Substrate,Substrat de semi-conducteur de SSP |
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Description de produit
TYPE substrat S+/enduit par gaufrettes Zn+ /Fe des gaufrettes 3inch 4inch N/P d'INP 2inch de semi-conducteur d'INP +
la croissance (méthode modifiée de VFG) est employée pour tirer un monocristal par un liquide borique d'oxyde encapsulant à partir d'une graine.
Le dopant (Fe, S, Sn ou Zn) est ajouté au creuset avec le polycrystal. La haute pression est appliquée à l'intérieur de la chambre pour empêcher la décomposition de la société de l'indium Phosphide.he a développé un processus pour rapporter la pureté entièrement stoechiométrique et grande et le bas monocristal d'INP de densité de dislocation.
La technique de VFG s'améliore sur grâce de méthode de LEC à une technologie thermique de cloison en liaison avec un numérique
modélisation des états thermiques de croissance. le tCZ est une technologie mûre rentable avec la reproductibilité de haute qualité du boule au boule.
Caractéristiques :
1. Le cristal est développé par la technologie liquide-scellée de droit-dessin (LEC), avec la technologie mûre et la représentation électrique stable.
2, utilisant l'instrument directionnel de rayon X pour l'orientation précise, la déviation d'orientation en cristal est seulement ±0.5°
3, la gaufrette est polis par (CMP) la technologie de polissage mécanique chimique, aspérité <0>
4, pour réaliser les conditions prêtes à employer « de boîte ouverte »
5, selon des besoins des utilisateurs, traitement spécial de produit de caractéristiques
Applications :
IIt a les avantages de la vitesse électronique élevée de dérive de limite, de la bonne tenue aux rayonnements et de la bonne conduction de chaleur. Approprié aux dispositifs de fabrication à micro-ondes et aux circuits intégrés à haute fréquence, ultra-rapides, de haute puissance.
2inch S-C-N/S a enduit des GAUFRETTES d'INP
2inch S-C-N/Fe+ a enduit des GAUFRETTES d'INP
---FAQ –
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
: le zmkj est une société commerciale mais a un fabricant de saphir
en tant que fournisseur des gaufrettes de matériaux de semi-conducteur pour une grande envergure des applications.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
: Généralement c'est de 5-10 jours si les marchandises sont en stock. ou c'est de 15-20 jours si les marchandises ne sont pas
en stock, il est selon la quantité.