lentille optique sic de carbone non dopé du silicium 4h-Semi de la grande pureté 5x5mmt
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | ZMKJ |
Numéro de modèle: | non dopé |
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: | 5pcs |
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Prix: | by case |
Détails d'emballage: | paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories |
Délai de livraison: | 1-6weeks |
Conditions de paiement: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacité d'approvisionnement: | 1-50pcs/month |
Détail Infomation |
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Matériel: | Monocristal sic | Dureté: | 9,4 |
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Forme: | 5x5x10mmt | Tolérance: | ±0.1mm |
Application: | Optique | Type: | grande pureté 4h-semi |
Résistivité: | >1E7 Ω | couleur: | transparent |
Surface: | DSP | Conduction thermique: | >400W/298KH |
Surligner: | Sic lentille optique de carbone de silicium,lentille optique de carbone du silicium 4h-Semi,lentille optique de carbone du silicium 5x5mmt |
Description de produit
gaufrettes de lingots de 2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/de substrats de monocristal de carbure de silicium du diamètre 150mm grande pureté 4H-N 4inch 6inch (sic),
5x5mmt lentille optique de carbone de silicium de la grande pureté 4h-semi sic pour la lentille non linéaire infrarouge intermédiaire optique de laser et de quantum d'optique
Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)
Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Sic est employé dans des dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou both.SiC est également l'un des composants importants de LED, c'est un substrat populaire pour élever des dispositifs de GaN, et il sert également d'écarteur de la chaleur dans la LED de haute puissance.
Application de sic
Sic en cristal est un matériel large-bandgap important de semi-conducteur. En raison de sa conduction thermique élevée, taux de glissement des électrons élevé, intensité de champ élevée de panne et propriétés physiques et chimiques stables, il est très utilisé dans la haute température, dans des appareils électroniques de puissance à haute fréquence et élevée. Il y a plus de 200 types sic de cristaux qui ont été découverts jusqu'ici. Parmi eux, les cristaux 4H- et 6H-SiC ont été commercialement fournis. Ils tous appartiennent au groupe de point de 6mm et avoir un effet optique non linéaire de second ordre. Sic les cristaux semi-isolants sont évidents et moyens. La bande infrarouge a une transmittance plus élevée. Par conséquent, les dispositifs optoélectroniques basés sur sic des cristaux sont très appropriés aux applications dans les environnements extrêmes tels que la haute température et la haute pression. On s'est avéré que le cristal 4H-SiC semi-isolant est un nouveau type de cristal optique non linéaire mi-infrarouge. Comparé aux cristaux optiques non linéaires mi-infrarouges utilisés généralement, sic le cristal a un espace de bande large (3.2eV) dû au cristal. , Conduction thermique élevée (490W/m·K) et grande énergie en esclavage (5eV) entre le sic, de sorte que sic le cristal ait un seuil élevé de dommage dû au laser. Par conséquent, le cristal 4H-SiC semi-isolant comme cristal non linéaire de conversion de fréquence a des avantages évidents en produisant le laser mi-infrarouge de haute puissance. Ainsi, dans le domaine des lasers de haute puissance, sic en cristal est un cristal optique non linéaire avec de larges perspectives d'application. Cependant, la recherche actuelle basée sur les propriétés non linéaires sic des cristaux et des applications connexes n'est pas encore complète. Ce travail prend les propriétés optiques non linéaires des cristaux 4H- et 6H-SiC comme contenu principal de recherches, et vise à résoudre quelques problèmes de base sic des cristaux en termes de propriétés optiques non linéaires, afin de favoriser l'application sic des cristaux dans le domaine de l'optique non linéaire. Une série de travaux relatifs a été menée à bien théoriquement et expérimentalement, et les résultats de la recherche principaux sont comme suit : D'abord, les propriétés optiques non linéaires de base sic des cristaux sont étudiées. La réfraction variable de la température des cristaux 4H- et 6H-SiC dans les bandes évidentes et mi-infrarouges (404.7nm~2325.4nm) a été examinée, et l'équation de Sellmier de l'indice de réfraction variable de la température a été adaptée. La théorie des modèles d'oscillateur simple a été employée pour calculer la dispersion du coefficient thermo-optique. Une explication théorique est donnée ; l'influence de l'effet thermo-optique sur l'assortiment de phase des cristaux 4H- et 6H-SiC est étudiée. Les résultats prouvent que l'assortiment de phase des cristaux 4H-SiC n'est pas affecté par la température, alors que les cristaux 6H-SiC ne peuvent pas encore réaliser l'assortiment de phase de la température. condition. En outre, le facteur de doublement de fréquence du cristal 4H-SiC semi-isolant a été examiné par la méthode de frange de fabricant. En second lieu, la génération de paramètre de femtoseconde et la représentation optiques d'amplification du cristal 4H-SiC est étudiée. L'assortiment de phase, la vitesse de groupe s'assortissant, le meilleur angle non-situé sur la même droite et meilleure la longueur en cristal du cristal 4H-SiC pompés par le laser de la femtoseconde 800nm sont théoriquement analysés. Utilisant le laser de femtoseconde avec une longueur d'onde de la sortie 800nm par le Ti : Le laser de saphir comme source de pompe, utilisant la technologie paramétrique optique à deux étages d'amplification, utilisant un cristal 4H-SiC semi-isolant 3.1mm épais comme cristal optique non linéaire, au-dessous de l'assortiment de phase de 90°, pour la première fois, un laser mi-infrarouge avec une longueur d'onde centrale de 3750nm, une énergie d'impulsion simple jusqu'à 17μJ, et une durée d'impulsion de 70fs a été obtenu expérimentalement. Le laser de la femtoseconde 532nm est utilisé comme lumière de pompe, et sic l'en cristal est 90° phase-assorti pour produire du signal lumineux avec une longueur d'onde de centre de sortie de 603nm par des paramètres optiques. Troisièmement, la représentation de élargissement spectrale de 4H-SiC semi-isolant en cristal comme support optique non linéaire est étudiée. Les résultats expérimentaux prouvent que la largeur de moitié-maximum des augmentations élargies de spectre avec la longueur en cristal et l'incident de densité de puissance de laser sur le cristal. L'augmentation linéaire peut être expliquée par le principe de la modulation d'auto-phase, qui est principalement provoquée par la différence de l'indice de réfraction du cristal avec l'intensité de la lumière d'incident. En même temps, on l'analyse que dans l'échelle de temps de femtoseconde, l'indice de réfraction non linéaire sic du cristal peut être principalement attribué aux électrons attachés dans le cristal et aux électrons libres dans la bande de conduction ; et la technologie de z-balayage est employée pour étudier préalablement sic l'en cristal sous le laser 532nm. Absorption non linéaire et non
représentation linéaire d'indice de réfraction.
Propriétés | unité | Silicium | Sic | GaN |
Largeur de Bandgap | eV | 1,12 | 3,26 | 3,41 |
Champ de panne | MV/cm | 0,23 | 2,2 | 3,3 |
Mobilité des électrons | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
Valocity de dérive | 10^7 cm/s | 1 | 2,7 | 2,5 |
Conduction thermique | W/cmK | 1,5 | 3,8 | 1,3 |
Spécifications de substrat de carbure de silicium (sic)
Carborundum sic en cristal de gaufrette de substrat de carbure de silicium
Les spécifications de 3" pouce
Catégorie | Production | Catégorie de recherches | Catégorie factice | |
Diamètre | 100 mm±0.38 millimètre ou toute autre taille | |||
Épaisseur | 500 μm±25μm ou adapté aux besoins du client | |||
Orientation de gaufrette | Sur l'axe : <0001> ±0.5° | |||
Densité de Micropipe | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤50 | |
Résistivité | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||
6H-N | 0.02~0.1 Ω·cm | |||
4/6H-SI | >1E7 Ω·cm | (90%) >1E5 Ω·cm | ||
Appartement primaire | {10-10} ±5.0° | |||
Longueur plate primaire | 22,2 mm±3.2 millimètre | |||
Longueur plate secondaire | 11.2mm±1.5 millimètre | |||
Orientation plate secondaire | Silicium récepteur : Onde entretenue de 90°. de ±5.0° plat principal | |||
Exclusion de bord | 2 millimètres | |||
TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤25μm | |||
Rugosité | Ra≤1 polonais nanomètre | |||
CMP Ra≤0.5 nanomètre | ||||
Fissures par la lumière de forte intensité | Aucun | 1 permis, ≤ 1mm | 1 laissé, ≤2 millimètre | |
Plats de sortilège par la lumière de forte intensité | Area≤ cumulatif 1 % | Area≤ cumulatif 1 % | Area≤ cumulatif 3 % | |
Régions de Polytype par la lumière de forte intensité | Aucun | Area≤ cumulatif 2 % | Area≤ cumulatif 5 % | |
Éraflures par la lumière de forte intensité | 3 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 8 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | |
Puce de bord | Aucun | 3 laissés, ≤0.5 millimètre chacun | 5 laissés, ≤1 millimètre chacun | |
Contamination par la lumière de forte intensité | Aucun |
Au sujet de ZMKJ Company
ZMKJ peut fournit la gaufrette de haute qualité de monocristal sic (carbure de silicium) à l'industrie électronique et optoélectronique. Sic la gaufrette est un matériel de semi-conducteur de prochaine génération, avec les propriétés électriques uniques et les excellentes propriétés thermiques, comparées à la gaufrette de silicium et à la gaufrette de GaAs, sic gaufrette est plus appropriée à l'application de dispositif de haute température et de puissance élevée. Sic la gaufrette peut être fournie dans pouce du diamètre 2-6, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.
- FAQ :
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- Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 -4 semaines après vous contact d'ordre.
- Q : Avez-vous les produits standard ?
- : Nos produits standard en stock. en tant que substrats similaires 4inch 0.35mm.