• Monocristal poli double par côté 4 H-N Sic Wafer
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Monocristal poli double par côté 4 H-N Sic Wafer

Monocristal poli double par côté 4 H-N Sic Wafer

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: ZMKJ
Numéro de modèle: Gaufrettes de graine

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 3 PCs
Prix: by case
Détails d'emballage: paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Délai de livraison: 1-6weeks
Conditions de paiement: T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 1-50pcs/month
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Matériel: Type du monocristal sic 4H-N Catégorie: Catégorie de production
Thicnkss: 0.5mm ou 1mm ; Suraface: double côté poli
Application: essai de polissage de fabricant de dispositif Diamètre: 153±0.5mm
Surligner:

Monocristal 4 H-N Sic Wafer

,

Gaufrette sic polie double par côté

,

SIC 4 H-N Seed Crystal Wafer

Description de produit

 

 

gaufrette en cristal de graine de SIC 4H-N de carbure de silicium de 2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC ingots/4inch 6inch pour la cristallogénèse

Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)

 

Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Sic est employé dans des dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou both.SiC est également l'un des composants importants de LED, c'est un substrat populaire pour élever des dispositifs de GaN, et il sert également d'écarteur de la chaleur dans la LED de haute puissance.

 
1. Description
Propriété 4H-SiC, monocristal 6H-SiC, monocristal
Paramètres de trellis a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilement de l'ordre ABCB ABCACB
Dureté de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densité 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coefficient d'expansion 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Index @750nm de réfraction

aucun = 2,61

Ne = 2,66

aucun = 2,60

Ne = 2,65

Constante diélectrique c~9.66 c~9.66
ohm.cm (de type n et 0,02) de conduction thermique

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conduction thermique (semi-isolante)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Bande-Gap eV 3,23 eV 3,02
Champ électrique de panne 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Vitesse de dérive de saturation 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

4 pouces n-ont enduit la gaufrette de carbure de silicium 4H sic

Spécifications standard pour sic des gaufrettes

 

4 spécifications en cristal de substrat de carbure de silicium de diamètre de la catégorie 4inch de H-N Seed (sic)

Monocristal poli double par côté 4 H-N Sic Wafer 1

Exposition de produit :

 

Monocristal poli double par côté 4 H-N Sic Wafer 2

Monocristal poli double par côté 4 H-N Sic Wafer 3

 
CATALOGUE   TAILLE COMMUNE
                            
 

 

4 H-N Type/gaufrette/lingots grande pureté sic
2 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic
3 gaufrette de type n de pouce 4H sic
4 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic
6 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic

 

gaufrette pureté semi-isolante/grande de 4H sic

2 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
3 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
4 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
6 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
 
 
sic gaufrette 6H de type n
2 gaufrette/lingot de type n de pouce 6H sic

 
 Taille de Customzied pour 2-6inch
 
 

Au sujet de ZMKJ Company

 

ZMKJ peut fournit la gaufrette de haute qualité de monocristal sic (carbure de silicium) à l'industrie électronique et optoélectronique. Sic la gaufrette est un matériel de semi-conducteur de prochaine génération, avec les propriétés électriques uniques et les excellentes propriétés thermiques, comparées à la gaufrette de silicium et à la gaufrette de GaAs, sic gaufrette est plus appropriée à l'application de dispositif de haute température et de puissance élevée. Sic la gaufrette peut être fournie dans pouce du diamètre 2-6, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.

 

FAQ :

Q : Quelle est la manière de l'expédition et du coût ?

: (1) nous acceptons DHL, Fedex, SME etc.

(2) il est très bien si vous avez votre propre compte exprès, sinon, nous pourrions vous aider à les embarquer et

Le fret est conforme au règlement réel.

 

Q : Comment payer ?

: Dépôt de T/T 100% avant la livraison.

 

Q : Quel est votre MOQ ?

: (1) pour l'inventaire, le MOQ est 1pcs. si 2-5pcs il est meilleur.

(2) pour les produits communs adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10pcs.

 

Q : Quel est le délai de livraison ?

: (1) pour les produits standard

Pour l'inventaire : la livraison est pendant 5 jours ouvrables après que vous passez la commande.

Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 -4 semaines après vous contact d'ordre.

 

Q : Avez-vous les produits standard ?

: Nos produits standard en stock. en tant que substrats similaires 4inch 0.35mm.

 

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à Monocristal poli double par côté 4 H-N Sic Wafer pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
Dans l'attente de votre réponse.