• 2 gaufrette de nitrure du gallium III de 4 pouces 4-5 Um de 0,43 millimètres de saphir substrats sic
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Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: zmkj
Numéro de modèle: calibre 2-4inch

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 2PCS
Prix: by case
Détails d'emballage: caisse simple de gaufrette par l'emballage sous vide
Délai de livraison: 1-5weeks
Conditions de paiement: T / T, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 50pcs par mois
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Matériau: Monocristal de GaN Taille: 2inch
Epaisseur: 4-5um sur 0.43mm Type: Calibre
Application: Affichage de projection de laser, dispositif de puissance Croissance: HVPE
Surligner:

gaufrette gan

,

Gaufrette d'arséniure de gallium

Description de produit

calibre de substrats de 2inch GaN, gaufrette de GaN pour LeD, gaufrette semi-conductrice de nitrure de gallium pour le LD, calibre de GaN, gaufrette de MOCVD GaN, substrats libres de GaN par taille adaptée aux besoins du client, gaufrette de petite taille de GaN pour la LED, gaufrette 10x10mm, 5x5mm, gaufrette de 10x5mm GaN, substrats libres non polaires de nitrure de gallium de MOCVD de GaN (un-avion et m-avion)

 

Caractéristique de gaufrette de GaN

  1. III-nitrure (GaN, AlN, auberge)

La nitrure de gallium est un genre de semi-conducteurs composés de large-Gap. Le substrat de nitrure de gallium (GaN) est

un substrat monocristallin de haute qualité. Il est fait avec la méthode originale de HVPE et la technologie transformatrice de gaufrette, qui a été à l'origine développée pour 10+years en Chine. Les caractéristiques sont uniformité haut cristalline et bonne, et qualité extérieure supérieure. Des substrats de GaN sont employés pour beaucoup de genres de demandes, de LED blanche et LD (violet, bleu et vert) en outre, développement a progressé pour des applications d'appareil électronique de puissance et de haute fréquence.

 

Couverture interdite de largeur de bande (luminescente et absorption) l'ultraviolet, la lumière visible et l'infrarouge.

 

2-4 spécifications de calibres de GaN de pouce

2 gaufrette de nitrure du gallium III de 4 pouces 4-5 Um de 0,43 millimètres de saphir substrats sic 0

2 gaufrette de nitrure du gallium III de 4 pouces 4-5 Um de 0,43 millimètres de saphir substrats sic 1

  de type n de type p Semi-isolant
n [cm-3] jusqu'à 1019 - -
p [cm-3] - jusqu'à 1018 -
p [cm-3] 10-3 - 10-2 102 - 103 109 - 1012
¼ d'Î [cm2 de /Vs] jusqu'à 150 - -
Variation totale (TTV)/µm d'épaisseur <40> <40> <40>
Bow/µm <10> <10> <10>
FWHM [arcseconde] de la courbe de basculage de rayon X, surface epi-prête, au ¼ m X de 100 Î fente du ¼ m de 100 Î <20>
Densité de dislocation [cm-2] <10>5
Misorientation/degré Sur demande
Finition extérieure Comme coupé/rectifié
Rudement poli
Optiquement poli (RMS < 3="" nm=""> Epi-prêt (RMS < 0="">

Avantages de ces spécifications 

  Une plus petite courbure Moins dislocations Des transporteurs plus électriques
Lasers De plus grands rendements Abaissez la tension de seuil Une puissance plus élevée
LED Une meilleure efficacité (IQE)
Transistors Abaissez le courant de fuite Un plus haut PO

Application :

GaN peut être employé dans beaucoup de secteurs tels que l'affichage à LED, La détection de grande énergie et la représentation,
Affichage de projection de laser, dispositif de puissance, etc.

2 gaufrette de nitrure du gallium III de 4 pouces 4-5 Um de 0,43 millimètres de saphir substrats sic 2

  • Les dispositifs à haute fréquence détection de grande énergie à micro-ondes et imaginent
  • Nouvelle détection d'environnement de technologie d'hydrogène de solor d'énergie et médecine biologique
  • Bande de terahertz de source lumineuse
  • Affichage de projection de laser, dispositif de puissance, stockage de date etc.
  • Affichage polychrome de fla d'éclairage de rendement optimum
  • Appareils électroniques à haute efficacité de laser Projecttions

2 gaufrette de nitrure du gallium III de 4 pouces 4-5 Um de 0,43 millimètres de saphir substrats sic 3

 

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Notre vision d'entreprise de Factroy
nous fournirons au substrat de haute qualité de GaN et à la technologie d'application pour l'industrie notre usine.
GaNmaterial de haute qualité est le facteur retenant pour l'application d'III-nitrures, par exemple longue durée
et LDs de forte stabilité, puissance élevée et dispositifs élevés à micro-ondes de fiabilité, intense luminosité
et rendement élevé, LED économiseuse d'énergie.

- FAQ –


Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 2pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 5pcs-10pcs.
Il dépend de la quantité et des techniques.

Q : Avez-vous le rapport d'inspection pour le matériel ?
Nous pouvons fournir des rapports de rapport et de portée de ROHS pour nos produits.


Q : Que pouvez-vous assurer la logistique et le coût ?
(1) nous acceptons DHL, Fedex, le TNT, l'UPS, le SME, le SF et etc.
(2) si vous avez votre propre nombre exprès, il est grand.
Sinon, nous pourrions vous aider pour livrer. Freight=USD25.0 (le premier poids) + USD12.0/kg

Q : Quel est le délai de livraison ?
(1) pour les produits standard tels que la gaufrette de 2inch 0.33mm.
Pour l'inventaire : la livraison est 5 jours ouvrables après ordre.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou 4 semaines de travail après ordre.

Q : Comment payer ?
100%T/T, Paypal, union occidentale, MoneyGram, paiement sûr et assurance du commerce.
 

 

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à 2 gaufrette de nitrure du gallium III de 4 pouces 4-5 Um de 0,43 millimètres de saphir substrats sic pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
Dans l'attente de votre réponse.