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Gaufrette enduite par SI de l'arséniure de gallium de substrat de semi-conducteur GaAs pour Microwave/HEMT/PHEMT
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | zmkj |
| Numéro de modèle: | 6inch S-C-N |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 5pcs |
|---|---|
| Prix: | by case |
| Détails d'emballage: | la gaufrette simple a emballé dans 6" boîte en plastique sous le N2 |
| Délai de livraison: | 2-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Capacité d'approvisionnement: | 500pcs par mois |
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Détail Infomation |
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| Matériau: | Monocristal de GaAs | Taille: | 6inch |
|---|---|---|---|
| Epaisseur: | 650um ou customzied | Du type: | entaille ou d'appartement |
| Orientation: | (100) 2°off | de surface: | DSP |
| Méthode de croissance: | VFG | ||
| Surligner: | substrat de gasb,gaufrette de semi-conducteur |
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Description de produit
le type de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N SI-a enduit la gaufrette de l'arséniure de gallium GaAs
Description de produit
Gaufrettes d'arséniure de gallium (GaAs)
PWAM développe et fabrique le cristal et la gaufrette d'arséniure de substrat-gallium de semi-conducteur composé. Nous technologie transformatrice a employé la technologie avancée de cristallogénèse, le gel vertical de gradient (VGF) et de GaAs gaufrette, a établi une chaîne de production de la cristallogénèse, coupe, rectifiant au traitement de polissage et a établi une salle propre de 100 classes pour le nettoyage et l'emballage de gaufrette. Notre gaufrette de GaAs incluent le lingot/gaufrettes de 2~6 pouces pour la LED, le LD et les applications de la microélectronique. Nous sommes toujours consacrés pour améliorer la qualité actuellement des sous-états et pour développer les substrats de grande taille.
Gaufrettes d'arséniure de gallium (GaAs) pour des applications de LED
- 1. Principalement utilisé dans l'électronique, alliages à basse température, arséniure de gallium.
- 2. Le composé chimique primaire du gallium dans l'électronique, est utilisé dans des circuits à micro-ondes, des circuits ultra-rapides de commutation, et des circuits infrarouges.
- 3. La nitrure de gallium et la nitrure de gallium d'indium, parce que les utilisations de semi-conducteur, produisent les diodes électroluminescentes bleues et violettes (LEDs) et les lasers de diode.
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SPÉCIFICATIONS --6 gaufrette de type n d'arséniure de gallium du SI-dopant SSP/DSP LED/LD de pouce
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Méthode de croissance
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VGF
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Orientation
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<100>
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Diamètre
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150,0 +/- 0,3 millimètres
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Épaisseur
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650um +/- 25um
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Polonais
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(SSP) poli à simple face
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Aspérité
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Poli
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TTV/Bow
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<10um>
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Dopant
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SI
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Type de conductivité
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de type n
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Résistivité (à la droite)
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(1.2~9.9) *10-3 ohm cm
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Densité de mine gravure à l'eau forte (EPD)
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LED <5000>2 ; LD <500>
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Mobilité
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Cm2 de LED >1000/v.s ; Cm2 de LD >1500/v.s
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Concentration en transporteur
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LED > (0.4-4) *1018 /cm 3 ; LD > (0.4-2.5) *1018 /cm3
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Caractéristiques de gaufrette semi-conductrice de GaAs
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Méthode de croissance |
VGF |
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Dopant |
de type p : Zn |
de type n : SI |
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Forme de gaufrette |
Rond (diamètre : 2", 3", 4", 6") |
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Orientation extérieure * |
(100) ±0.5° |
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|
* d'autres orientations peut-être disponibles sur demande |
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Dopant |
SI (de type n) |
Zn (de type p) |
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Concentration en transporteur (cm-3) |
(0.8-4) × 1018 |
(0.5-5) × 1019 |
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Mobilité (cm2/V.S.) |
× 103 (de 1-2.5) |
50-120 |
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Densité de lancement gravure à l'eau forte (cm2) |
100-5000 |
3,000-5,000 |
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Diamètre de gaufrette (millimètre) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
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Épaisseur (µm) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
|
|
TTV [P/P] (µm) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
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TTV [P/E] (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
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CHAÎNE (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
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|
DE (millimètre) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
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DE/SI (millimètre) |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
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Polish* |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
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Caractéristiques de gaufrette semi-isolante de GaAs
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Méthode de croissance |
VGF |
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Dopant |
Type de SI : Carbone |
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Forme de gaufrette |
Rond (diamètre : 2", 3", 4", 6") |
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Orientation extérieure * |
(100) ±0.5° |
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|
* d'autres orientations peut-être disponibles sur demande |
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Résistivité (Ω.cm) |
× 107 du ≥ 1 |
× 108 du ≥ 1 |
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Mobilité (cm2/V.S) |
≥ 5 000 |
≥ 4 000 |
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Densité de lancement gravure à l'eau forte (cm2) |
1,500-5,000 |
1,500-5,000 |
||
|
Diamètre de gaufrette (millimètre) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
150±0.3 |
|
Épaisseur (µm) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
675±25 |
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TTV [P/P] (µm) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
|
TTV [P/E] (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
|
CHAÎNE (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 15 |
|
DE (millimètre) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
ENTAILLE |
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DE/SI (millimètre) |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
NON-DÉTERMINÉ |
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Polish* |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
FAQ –
Q : Que pouvez-vous assurer la logistique et le coût ?
(1) nous acceptons DHL, Fedex, le TNT, l'UPS, le SME, le SF et etc.
(2) si vous avez votre propre nombre exprès, il est grand.
Sinon, nous pourrions vous aider pour livrer. Freight=USD25.0 (le premier poids) + USD12.0/kg
Q : Quel est le délai de livraison ?
(1) pour les produits standard tels que la lentille de boule, la lentille de powell et la lentille de collimateur :
Pour l'inventaire : la livraison est 5 jours ouvrables après ordre.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou 3 semaines de travail après ordre.
(2) pour les produits -standard, la livraison est 2 ou 6 semaines de travail après que vous passiez la commande.
Q : Comment payer ?
T/T, Paypal, union occidentale, MoneyGram, assurance sûre de paiement et de commerce sur Alibaba et etc….
Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 5pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 5pcs-20pcs.
Il dépend de la quantité et des techniques
Q : Avez-vous le rapport d'inspection pour le matériel ?
Nous pouvons fournir le rapport de détail pour nos produits.
Empaquetage – Logistcs
nous concernons chacun des détails du paquet, nettoyage, antistatique, traitement de choc. Selon la quantité et la forme du produit,
nous prendrons un processus différent d'emballage !