• Perfection de gaufrette de carbure de silicium de grande pureté/gaufrettes de simulacre/ultra de catégorie 4H-Semi sic pour le dispositif 5G
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Perfection de gaufrette de carbure de silicium de grande pureté/gaufrettes de simulacre/ultra de catégorie 4H-Semi sic pour le dispositif 5G

Perfection de gaufrette de carbure de silicium de grande pureté/gaufrettes de simulacre/ultra de catégorie 4H-Semi sic pour le dispositif 5G

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: ZMKJ
Numéro de modèle: pureté 4inch à hauteur

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1pcs
Prix: 1000-2000usd/pcs by FOB
Détails d'emballage: paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Délai de livraison: 1-6weeks
Conditions de paiement: T / T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 1-50pcs/month
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Matériau: Type du monocristal 4H-semi de pureté sic grande Qualité: Simulacre/catégorie /Production de recherches
Thicnkss: 500um Suraface: CMP/MP
Application: dispositif 5G Diamètre: 100±0.3mm
Surligner:

substrat de carbure de silicium

,

sic gaufrette

Description de produit

 Gaufrettes de substrats de monocristal de carbure de silicium du diamètre 150mm de la grande pureté 4H-N 4inch 6inch (sic), de lingots substrats sic en cristal de semi-conducteur sic, de silicium de carbure de gaufrette en cristal de Customzied de comme-coupe gaufrettes sic

Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)  

Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Sic est employé dans des dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou both.SiC est également l'un des composants importants de LED, c'est un substrat populaire pour élever des dispositifs de GaN, et il sert également d'écarteur de la chaleur dans la LED de haute puissance.

PROPRIÉTÉS du monocristal 4H-SiC

  • Paramètres de trellis : a=3.073Å c=10.053Å
  • Empilement de l'ordre : ABCB
  • Dureté de Mohs : ≈9.2
  • Densité : 3,21 g/cm3
  • Therm. Coefficient d'expansion : 4-5×10-6/K
  • Index de réfraction : ne= 2,66 du no= 2,61
  • Constante diélectrique : 9,6
  • Conduction thermique : a~4.2 W/cm·K@298K
  • (de type n, 0,02 ohm.cm) c~3.7 W/cm·K@298K
  • Conduction thermique : a~4.9 W/cm·K@298K
  • C~3.9 (semi-isolant) W/cm·K@298K
  • Bande-Gap : 3,23 eV Bande-Gap : eV 3,02
  • Champ électrique de panne : 3-5×10 6V/m
  • Vitesse de dérive de saturation : 2.0×105m/

gaufrette n-enduite par pouce de carbure de silicium 4 4H sic

 Spécifications de substrat de carbure de silicium de diamètre de la grande pureté 4inch (sic)

 

caractéristiques de substrat de carbure de silicium de la pureté de 4 po. de diamètre d'hauteur 4H

PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT

Catégorie de production

Catégorie de recherches

Catégorie factice

Diamètre

100,0 millimètre +0.0/-0.5millimètre

Orientation extérieure

{0001} ±0.2°

Orientation plate primaire

<11->20> ̊ du ± 5,0

Orientation plate secondaire

onde entretenue de 90,0 ̊ de ̊ primaire du ± 5,0, silicium récepteur

Longueur plate primaire

32,5 millimètres ±2.0 millimètre

Longueur plate secondaire

18,0 millimètres ±2.0 millimètre

Bord de gaufrette

Chanfrein

Densité de Micropipe

cm2 de ≤5 micropipes/

cm2du ≤10micropipes/

cm2 de ≤50 micropipes/

Régions de Polytype par la lumière à haute intensité

Aucun n'a laissé

secteurdu ≤10%

Résistivité

≥1E5 Ω·cm

(secteur 75%) ≥1E5 Ω·cm

Épaisseur

350,0 μm de μm du ± 25,0 de μm ou 500,0 de ± 25,0 de μm

TTV

10μm

μmdu 15

Arc (valeur absolue)

μmdu 25

μmdu 30

Chaîne

μmdu 45

Finition extérieure

Double polonais de côté, CMP de visage de SI (polissage de produit chimique)

Aspérité

Visage Ra≤0.5 nanomètre du CMP SI

NON-DÉTERMINÉ

Fissures par la lumière à haute intensité

Aucun n'a laissé

Puces/creux de bord par l'éclairage diffus

Aucun n'a laissé

Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres

Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres

Secteur utilisable total

≥90%

≥80%

NON-DÉTERMINÉ

le *The d'autres caractéristiques peut être adapté aux besoins du client selon les exigences de client

 

6 pouces - d'hauteur - caractéristiques semi-isolantes des substrats 4H-SiC de pureté

Propriété

Catégorie d'U (ultra)

Catégorie de P (production)

Catégorie de R (recherche)

Catégorie (factice) de D

Diamètre

150,0 mm±0.25 millimètre

Orientation extérieure

{± 0.2° de 0001}

Orientation plate primaire

<11-20> ̊ du ± 5,0

Orientation plate secondaire

NON-DÉTERMINÉ

Longueur plate primaire

47,5 millimètres ±1.5 millimètre

Longueur plate secondaire

Aucun

Bord de gaufrette

Chanfrein

Densité de Micropipe

≤1 /cm2

≤5 /cm2

≤10 /cm2

≤50 /cm2

Région de Polytype par la lumière à haute intensité

Aucun

≤ 10%

Résistivité

≥1E7 Ω·cm

(secteur 75%) ≥1E7 Ω·cm

Épaisseur

350,0 μm de μm du ± 25,0 de μm ou 500,0 de ± 25,0 de μm

TTV

μmdu 10

Arc (valeur absolue)

μmdu 40

Chaîne

μmdu 60

Finition extérieure

C-visage : Poli optique, SI-visage : CMP

Rugosité (10μm de ×10deμm)

Ra de SI-visage de CMP<> 0,5 nanomètres

NON-DÉTERMINÉ

Fente par la lumière à haute intensité

Aucun

Puces/creux de bord par l'éclairage diffus

Aucun

Qty≤2, la longueur et largeur de chaque<> 1mm

Secteur efficace

≥90%

≥80%

NON-DÉTERMINÉ


* les limites de défauts s'appliquent à la surface entière de gaufrette excepté le secteur d'exclusion de bord. # les éraflures devraient être vérifiées le visage de SI seulement.

 

 

Au sujet sic des applications de substrats
 
 
TAILLE DE TERRAIN COMMUNAL DE CATALOGUE                             
 

 

Type 4H-N/gaufrette/lingots grande pureté sic
2 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic
3 gaufrette de type n de pouce 4H sic
4 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic
6 gaufrette/lingots de type n de pouce 4H sic

 

gaufrette pureté semi-isolante/grande de 4H sic

2 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
3 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
4 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
6 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
 
 
sic gaufrette 6H de type n
2 gaufrette/lingot de type n de pouce 6H sic

 
 Taille de Customzied pour 2-6inch 
 

Perfection de gaufrette de carbure de silicium de grande pureté/gaufrettes de simulacre/ultra de catégorie 4H-Semi sic pour le dispositif 5G 1

 

Perfection de gaufrette de carbure de silicium de grande pureté/gaufrettes de simulacre/ultra de catégorie 4H-Semi sic pour le dispositif 5G 2

Ventes et service à la clientèle               

Achat de matériaux

Le service des achats de matériaux est responsable pour recueillir toutes les matières premières requises pour fabriquer votre produit. La traçabilité complète de tous les produits et matériaux, y compris l'analyse chimique et physique sont toujours disponible.

Qualité

Pendant et après la fabrication ou l'usinage de vos produits, le département de contrôle de qualité est impliqué en veillant que tous les matériaux et tolérances répondent ou dépassent à vos spécifications.

 

Service

Nous nous glorifions en ayant le personnel d'ingénierie de ventes avec sur 5 ans d'expériences dans l'industrie de semi-conducteur. Elles sont formées pour répondre à des questions techniques aussi bien que pour fournir des citations opportunes pour vos besoins.

nous sommes sur votre côté par n'importe quand quand vous avez le problème, et le résolvons dans 10hours.

 

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à Perfection de gaufrette de carbure de silicium de grande pureté/gaufrettes de simulacre/ultra de catégorie 4H-Semi sic pour le dispositif 5G pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
Dans l'attente de votre réponse.