De 6 pouces 4H de silicium de carbure gaufrettes de substrats sic pour la croissance épitaxiale de dispositif adaptée aux besoins du client
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: | La Chine |
Nom de marque: | ZMKJ |
Numéro de modèle: | 6inch sic |
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: | 1pcs |
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Prix: | 600-1500usd/pcs by FOB |
Détails d'emballage: | paquet simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories |
Délai de livraison: | 1-6weeks |
Conditions de paiement: | T / T, Western Union, MoneyGram |
Capacité d'approvisionnement: | 1-50pcs/month |
Détail Infomation |
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Matériau: | Type du monocristal sic 4H-N | Qualité: | Simulacre/catégorie /Production de recherches |
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Thicnkss: | 430um ou adapté aux besoins du client | Suraface: | LP/LP |
Application: | essai de polissage de fabricant de dispositif | Diamètre: | 150±0.5mm |
Surligner: | substrat de carbure de silicium,sic gaufrette |
Description de produit
Gaufrettes de substrats de monocristal de carbure de silicium du diamètre 150mm de la catégorie 6inch de l'essai 4H-N (sic), de lingots substrats sic en cristal de semi-conducteur sic, gaufrette en cristal de carbure de silicium
Au sujet du cristal de carbure de silicium (sic)
Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Sic est employé dans des dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou both.SiC est également l'un des composants importants de LED, c'est un substrat populaire pour élever des dispositifs de GaN, et il sert également d'écarteur de la chaleur dans la LED de haute puissance
1. Les spécifications
6 po. de diamètre, spécifications de substrat de carbure de silicium (sic) | ||||||||
Catégorie | Catégorie zéro de MPD | Catégorie de production | Catégorie de recherches | Catégorie factice | ||||
Diamètre | 150,0 mm±0.2mm | |||||||
ThicknessΔ | 350 μm±25μm ou 500±25un | |||||||
Orientation de gaufrette | Outre de l'axe : 4.0° vers< 1120=""> ±0.5° pour 4H-N sur l'axe : <0001>±0.5° pour 6H-SI/4H-SI | |||||||
Appartement primaire | {10-10} ±5.0° | |||||||
Longueur plate primaire | 47,5 mm±2.5 millimètre | |||||||
Exclusion de bord | 3 millimètres | |||||||
TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | |||||||
Densité de Micropipe | cm2 ≤1 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||
Résistivité | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||||||
4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
Rugosité | Ra≤1 polonais nanomètre | |||||||
CMP Ra≤0.5 nanomètre | ||||||||
Fissures par la lumière de forte intensité | Aucun | 1 laissé, ≤2 millimètre | ≤ cumulatif 10mm, length≤2mm simple de longueur | |||||
Plats de sortilège par la lumière de forte intensité | Secteur cumulatif ≤1% | Secteur cumulatif ≤2% | Secteur cumulatif ≤5% | |||||
Régions de Polytype par la lumière de forte intensité | Aucun | Area≤2% cumulatif | Area≤5% cumulatif | |||||
Éraflures par la lumière de forte intensité | 3 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | |||||
Puce de bord | Aucun | 3 laissés, ≤0.5 millimètre chacun | 5 laissés, ≤1 millimètre chacun | |||||
Contamination par la lumière de forte intensité | Aucun |
Gaufrette du type 4H-N/grande pureté sic
2 gaufrette de type n de pouce 4H sic
3 gaufrette de type n de pouce 4H sic 4 gaufrette de type n de pouce 4H sic 6 gaufrette de type n de pouce 4H sic |
gaufrette pureté semi-isolante/grande de 4H sic 2 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic
3 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 4 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic 6 gaufrette semi-isolante de pouce 4H sic |
sic gaufrette 6H de type n
2 gaufrette de type n de pouce 6H sic |
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Ventes et service à la clientèle
Achat de matériaux
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Qualité
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Service
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